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公开(公告)号：CN118516766B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410993159.1
申请日：2024-07-24
申请人： 鸿舸半导体设备(上海)有限公司
发明人： 杨亚辉
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种SIC外延气相薄膜沉积系统，该系统包括供气模块和反应模块，供气模块包括气源供应端和气源分配端，气源供应端通过第一输送管道与气源分配端连接，气源分配端通过第二输送管道与反应模块连接；气源供应端包括多个供气单元，每个供气单元通过流量调节装置与第一输送管道连接，气源分配端包括多个输出单元，每个输出单元通过流量调节装置与第二输送管道连接。该SIC外延气相薄膜沉积系统通过使用了流量调节装置，使得整个系统可以调节多个范围内的气体流量，一个流量调节装置可以替代原有的多个支路中的元器件，同时减少了支路和元器件的数量，降低了安装和使用难度，提升了整体系统的可靠性。
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公开(公告)号：CN114855271B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202210428945.8
申请日：2022-04-22
申请人： 浙江晶盛光子科技有限公司
摘要： 本申请涉及外延生长装置，外延生长装置包括炉体，炉体设有反应腔，反应腔内分别设有水平设置的第一反应基座和第二反应基座，第一反应基座和第二反应基座沿着水平方向间隔设置。炉体还设有分别连通反应腔的第一进气部、第二进气部和出气部，第一反应基座设于第一进气部和出气部之间，第二反应基座设于第二进气部和出气部之间；反应介质能够分别通过第一进气部和第二进气部进入反应腔，并通过出气部离开反应腔。本申请提供的外延生长装置，解决了现有的外延炉的外延层产出效率过低的问题。
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公开(公告)号：CN118292101B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410731609.X
申请日：2024-06-06
申请人： 江苏天芯微半导体设备有限公司
发明人： 刘自强
摘要： 本发明提供一种外延设备，包括：反应腔；基座，所述基座设置于所述反应腔内；基座支撑部，所述基座支撑部用于支撑所述基座，并带动所述基座旋转和升降；销支撑部，所述销支撑部与所述基座支撑部同轴设置，且所述销支撑部套设于所述基座支撑部的外部；其中，所述基座支撑部中形成吹扫通道，所述吹扫通道配置为随着所述基座支撑部的旋转而旋转吹扫口，以实现脉冲式定向吹扫所述反应腔的腔体底部的上表面。本发明提供的外延设备设置吹扫口，可以防止下穹顶的内表面上生成反应副产物的发生。
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公开(公告)号：CN118621438A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202311397714.6
申请日：2023-10-26
申请人： 广州粤升半导体设备有限公司
IPC分类号： C30B25/14
摘要： 本发明实施例提供了一种输气装置及外延设备，其中，输气装置包括腔室主体、分气座、整流板和进气管道。腔室主体具有进气口和出气口，出气口用以与反应室连接，腔室主体内部形成有连接进气口和出气口的输气腔；分气座设置在腔室主体的进气口处，并覆盖进气口，分气座与腔室主体固定连接；分气座上设有导气孔；整流板固定设置在腔室主体和分气座之间，并覆盖进气口；整流板和分气座之间形成有匀气腔；整流板上设有多个连通匀气腔和输气腔的整流孔；整流孔为渐扩形孔；渐扩形孔朝向腔室主体的开口，大于其远离腔室主体的开口；进气管道的一端与导气孔固定连接，另一端与气源连接。本申请实施例的输气装置，可在反应室中获得稳定的流场。
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公开(公告)号：CN118374876B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410841581.5
申请日：2024-06-27
申请人： 安徽凯威半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体外延长晶用石墨载盘的使用方法，石墨载盘包括由多个子盘体相互拼接而成的载盘本体，于内座体的下端构造有连接管，于连接管的下端构造有连接接头，于连接管上且位于连接接头的上方开设有多个导通孔，于内座体的上端开设有安装槽，连接管的内腔与安装槽相互连通。本发明的方法为：将多个石墨载盘沿竖向依次连接，将同一型号的硅片或者不同型号的硅片放置在这些石墨载盘上，再将这些石墨载盘放置在开合式反应炉内进行外延作业。本发明能够有效地实现大批量硅片外延的目的，提高了硅片的外延效率，适应不同形态硅片的同步外延作业，提高了外延品质，降低了石墨载盘的耗损成本。本发明适用于半导体外延的技术领域。
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公开(公告)号：CN118581445A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410112027.3
申请日：2024-01-26
申请人： 松山湖材料实验室
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/52 , C23C16/455 , C30B25/14 , C30B25/16 , C30B29/46 , C30B25/12 , C23C16/458
摘要： 本申请涉及一种晶圆级过渡金属硫属化合物及其制备方法和装置。本申请的晶圆级过渡金属硫属化合物的制备装置中，在竖直方向上，用于支撑衬底的支撑位的位置高于第一源支撑面和第二源支撑面。使用该晶圆级过渡金属硫属化合物的制备装置进行晶圆级过渡金属硫属化合物的制备时，能够降低硫族源和过渡金属源在衬底表面的不均匀性。同时，本申请的晶圆级过渡金属硫属化合物的制备方法利用上述装置，源在竖直方向上沿逆重力方向传输到衬底表面，有效解决了大尺寸的晶圆级过渡金属硫属化合物制备时的均匀性较差的问题。同时可以通过增加衬底支撑位点的方式实现一次多片批量化生长。
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公开(公告)号：CN112144114B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202010935578.1
申请日：2020-09-08
申请人： 巩义市泛锐熠辉复合材料有限公司
摘要： 本发明涉及MOCVD薄膜材料制备技术领域，公开一种前体源气体输送装置。包括罐体和与其固定连接的顶盖；罐体内设有进气管、出气管以及对进气管和出气管进行加热的加热装置；所述进气管为变径管道，该变径管道由粗径管道和细径管道交替连接组成并且细径管道上连接有前体源气瓶；顶盖上设置有进气阀和出气阀，进气阀连通进气管的进口，进气管的出口和出气管的进口连通，出气管的出口连通出气阀。本发明设计进气管为变径管道，提高了载气气流中前体源蒸汽的含量；进气阀和出气阀与顶盖紧密接触，没有设置多余的管路连接，热传递最大化，有效防止罐体内气化的前体源气体冷凝。
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公开(公告)号：CN118422167A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410520294.4
申请日：2024-04-28
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明提供了一种气体供应装置、化学气相沉积设备和方法，属于IVA族半导体材料技术领域。所述气体供应装置能够提供高压蒸汽源、低压蒸汽源、液体蒸汽源和载气，可以同时向化学气相沉积设备的生长腔室供应多种反应气体，适合外延生长多种IVA族半导体材料。
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公开(公告)号：CN118292103A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410409614.9
申请日：2024-04-07
申请人： 连科半导体有限公司
摘要： 本发明属于碳化硅技术领域，具体的说是一种碳化硅化学气相沉积系统混气装置，包括石英方管；所述石英方管的内部开设有五个通道；所述石英方管的出气端设置有反应腔；所述石英方管与反应腔之间通过连接单元连通；所述反应腔的内部底面固接有固定单元；所述固定单元上固定有衬底片；所述石英方管的五个通道依次通入C2H4+N2+H2、TCS+H2、C2H4+N2+H2、TCS+H2和C2H4+N2+H2；通过将碳源气体和硅源气体进行分隔单独进气的方式，避免了碳源气体和硅源气体在刚进入反应腔便由于高温发生大量反应，从而导致反应腔前端沉积大量碳化硅颗粒；通过减少反应腔前端碳化硅沉积，继而可降低碳化硅颗粒脱落概率，延长设备的维护周期提高设备利用率。
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公开(公告)号：CN118292101A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410731609.X
申请日：2024-06-06
申请人： 江苏天芯微半导体设备有限公司
发明人： 刘自强
摘要： 本发明提供一种外延设备，包括：反应腔；基座，所述基座设置于所述反应腔内；基座支撑部，所述基座支撑部用于支撑所述基座，并带动所述基座旋转和升降；销支撑部，所述销支撑部与所述基座支撑部同轴设置，且所述销支撑部套设于所述基座支撑部的外部；其中，所述基座支撑部中形成吹扫通道，所述吹扫通道配置为随着所述基座支撑部的旋转而旋转吹扫口，以实现脉冲式定向吹扫所述反应腔的腔体底部的上表面。本发明提供的外延设备设置吹扫口，可以防止下穹顶的内表面上生成反应副产物的发生。
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