公开(公告)号：CN118943202A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202411013900.X

申请日：2024-07-26

申请人： 华中科技大学

发明人： 蹇鹏承 ,  陈茂华 ,  吴峰 ,  陈长清 ,  戴江南

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34

摘要： 本发明属于半导体材料及器件技术领域，公开了一种基于图案化起伏二硫化钼沟道的场效应晶体管及其制备方法，该场效应晶体管包括二硫化钼层、金属源电极、金属漏电极、绝缘介质层、金属栅电极和图案化起伏的衬底，其中：二硫化钼层为单分子层厚度的二硫化钼单晶晶域，该二硫化钼单晶晶域与图案化起伏的衬底直接接触，衬底起伏的突起处和凹陷处均被该二硫化钼单晶晶域紧密覆盖。本发明通过在图案化起伏的衬底上保形生长单晶二硫化钼薄膜，并经微纳加工制备得到场效应晶体管。本发明利用原位生长在图案化衬底上得到了保形生长的单晶二硫化钼，性能优于传统转移方式得到的图案化衬底上二硫化钼薄膜。

公开(公告)号：CN118943201A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410576294.6

申请日：2024-05-10

申请人： 株式会社日本显示器

发明人： 渡壁创 ,  津吹将志 ,  佐佐木俊成 ,  田丸尊也 ,  望月真里奈 ,  小野寺凉 ,  渡部将弘

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/34

摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明提供氧化物半导体膜的形状的偏差小且具有稳定的电特性的半导体装置。半导体装置包含：栅电极；栅电极之上的栅极绝缘层；栅极绝缘层之上的具有多晶结构的氧化物半导体层；氧化物半导体层之上的源电极及漏电极；和层间绝缘层，其覆盖源电极及漏电极并与氧化物半导体层接触，氧化物半导体层包含与源电极及漏电极中的1者重叠的第1区域、和与层间绝缘层接触的第2区域，第1区域的膜厚与第2区域的膜厚之差为1nm以下。

公开(公告)号：CN118888574A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410859081.4

申请日：2024-06-28

申请人： 湖南大学

发明人： 廖蕾 ,  何鹏辉 ,  刘兴强 ,  邹旭明

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L21/44

摘要： 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种栅绝缘层结构及具有该栅绝缘层结构的晶体管。所述栅绝缘层结构包括第一绝缘层和第二绝缘层；所述第一绝缘层的材料为(MO)x(RO)y，0.001＜x＜1，0.0001≤y≤0.3，x+y＝1；MO为基质氧化物，RO为铽或者镨的氧化物，R为铽或者镨中的一种或两种；所述第二绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化铪、氧化锆、氧化钪、氧化钇、氧化钛中的一种或多种。本发明充分发挥铽或镨元素低电荷转移跃迁能的特性，提供良好的载流子输运性能，实现高的载流子迁移率；通过铽或者镨离子与沟道层之间的电荷转移跃迁来促进沟道中离域电子的弛豫，提高薄膜晶体管NBIS稳定性。

公开(公告)号：CN118800786A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410932544.5

申请日：2024-07-12

申请人： 北京超弦存储器研究院 ,  北京大学

发明人： 刘力锋 ,  许登钦 ,  段瑞斌 ,  张兴 ,  韩德栋 ,  王漪

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明涉及一种纳米尺寸异质结晶体管器件结构，包括：衬底、栅介质层、栅电极、源漏电极层，在衬底上具有异质结沟道层，异质结沟道层包括第一沟道层和第二沟道层。栅电极和所述栅介质层位于衬底和所述异质结沟道层之间构成底栅结构。栅电极和栅介质层位于异质结沟道层之间构成顶栅结构。同时提供了对应器件结构的制作方法。本发明采用异质结结构提升了晶体管开态电流，采用禁带较宽的沟道材料改善了短沟效应和泄漏电流，采用接触电阻更小的材料作为异质结和源漏接触的接触层，减小了接触电阻。

公开(公告)号：CN118782655A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410937698.3

申请日：2024-07-12

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 耿玓 ,  李伟伟 ,  卢年端

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H10B12/00

摘要： 本公开提供了一种低漏电流的垂直沟道晶体管及其制备方法、存储器和电子设备，晶体管包括：衬底；绝缘层，绝缘层上开设过孔；设置在过孔底部表面的第一电极层；设置在绝缘层远离衬底一侧表面的第二电极层；沿过孔侧壁设置的第一沟道层，第一沟道层与第一电极层和第二电极层同时连接；设置在第一电极层和第二电极层远离衬底一侧表面的第二沟道层，第二沟道层的电阻小于第一沟道层的电阻；设置在第二沟道层远离衬底一侧表面的栅极介质层；设置在栅极介质层远离衬底一侧表面的栅极层。本公开形成具有不同电阻情况的第一沟道层和第二沟道层，使晶体管在关态下两个电极之间通过具有较高电阻的第一沟道层连接，实现超低漏电流晶体管的形成。

公开(公告)号：CN118738137A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410316931.6

申请日：2024-03-19

申请人： 株式会社日本显示器

发明人： 望月真里奈 ,  渡部将弘 ,  津吹将志 ,  渡壁创 ,  佐佐木俊成 ,  田丸尊也 ,  小野寺凉

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/34

摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造方法。提供偏差少，电特性稳定的半导体装置。半导体装置包含：栅电极；栅电极之上的栅极绝缘层；栅极绝缘层之上的具有多晶结构的氧化物半导体层；氧化物半导体层上的源电极及漏电极；覆盖源电极及漏电极且与氧化物半导体层相接的层间绝缘层；氧化物半导体层包括与源电极及漏电极中的1者重叠的第1区域、以及与层间绝缘层相接的第2区域，第1区域的膜厚与第2区域的膜厚之差为5nm以下。

公开(公告)号：CN115084275B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202110276323.3

申请日：2021-03-15

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 胡合合 ,  刘凤娟 ,  袁广才 ,  贺家煜 ,  宁策 ,  李正亮 ,  赵坤

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/146 ,  H01L27/12 ,  H01L21/34

摘要： 本申请公开了一种金属氧化物TFT及制造方法、x射线探测器和显示面板，属于电子技术领域。所述方法包括：在衬底基板上形成金属氧化物半导体材质的有源层以及层叠在有源层上的包括镧系金属元素的功能层后，对有源层以及功能层进行退火处理，功能层中的镧系金属元素扩散至有源层；扩散至有源层中的镧系金属元素可以在有源层中形成陷阱态，有源层受到光照产生的光生电子，可以被该陷阱态捕获，从而改善有源层的光照稳定性。解决了相关技术中金属氧化物TFT的有源层的光稳定性较差的问题，实现了提升金属氧化物TFT中有源层的光稳定性的效果。

公开(公告)号：CN118645535A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410284769.4

申请日：2024-03-13

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 安藤裕之 ,  塚本直幸 ,  加藤勇次

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H02M3/10 ,  H02M7/48

摘要： 本发明提供一种适合于半导体元件的层叠结构体、半导体元件、电力转换装置及控制系统。一种层叠结构体，具备表面具有沟道结构的第一氧化物层和沿着所述沟道结构层叠的第二氧化物层，所述第二氧化物层的底部的中心与侧壁部的中心的膜厚差异小于30％。

公开(公告)号：CN113540249B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202110719711.4

申请日：2021-06-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 姜慧如 ,  林仲德

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/34 ,  H10B41/10 ,  H10B41/27 ,  H10B41/30

摘要： 半导体器件包括：金属氧化物半导体沟道层；第一栅极介电层，与金属氧化物半导体沟道层的主表面的第一部分接触；第一栅电极，位于第一栅极介电层上面并且与金属氧化物半导体沟道层的主表面的第二部分接触；漏极区域和背侧栅极介电层，与金属氧化物半导体沟道层的另一个主表面接触；背侧栅电极，与背侧栅极介电层接触；第二栅极介电层，与金属氧化物半导体沟道层的端面接触；第二栅电极，与第二栅极介电层的表面接触；以及源极区域，与金属氧化物半导体沟道层的另一端面接触。本发明的实施例还涉及半导体器件的形成方法、半导体存储器器件。

公开(公告)号：CN118588766A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410664362.4

申请日：2024-05-27

申请人： 山东大学

发明人： 辛倩 ,  戴鹏 ,  宋爱民

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L29/24

摘要： 本发明公开一种P型氧化物薄膜晶体管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，包括：由下至上依次布设的衬底、底栅电极、栅极绝缘层、半导体沟道层、源漏电极和钝化层；其中，所述半导体沟道层为氟掺杂氧化物薄膜，所述氟掺杂氧化物薄膜为通过射频磁控溅射法生长氧化物薄膜后，对氧化物薄膜采用含氟等离子体进行氟化处理得到。利用六氟化硫与氩气或四氟化碳与氩气对氧化物薄膜进行等离子氟化处理，减少工艺步骤，获得具有高稳定性、高空穴迁移率和高开关电流比的高性能薄膜晶体管。