-
公开(公告)号：CN118919557A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410973891.2
申请日：2024-07-19
申请人： 四川师范大学
摘要： 本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种铁电半导体材料及其制备方法和应用、氮化钪铁电半导体场效应晶体管。本发明提供的铁电半导体材料化学式为Al1‑xScxSbyN1‑y；其中，0.1≤x≤0.5，0.001≤y≤0.1。本发明通过在AlN中掺杂Sc能够降低其极化翻转势垒从而获得铁电性，但带隙仍然较大，不能用于沟道层。进一步地，通过共掺杂Sb、Sc的方法，获得同时具有铁电性与导电性的铁电半导体材料。少量Sb掺杂产生的Sb杂质态以及与近邻的N原子间强的量子相互作用能够大幅减小带隙，并对铁电性影响较小，可用于Sb杂质态主导的导电。因此，本发明提供的铁电半导体材料铁电性与导电性共存，可用作铁电沟道材料。
-
公开(公告)号：CN118910732A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410965720.5
申请日：2024-07-18
申请人： 南京大学
摘要： 本发明提供一种物相可调控的亚稳相氧化镓外延层的制备方法和应用，具体通过Mist‑CVD技术，对的蓝宝石衬底进行高温酸化处理，其表面粗糙度减小，各向异性条纹更加清晰，然后进行高温退火处理，制备出α‑Ga2O3与κ‑Ga2O3单晶外延层的方法。解决了α‑Ga2O3与κ‑Ga2O3同为亚稳相结构，化学气相沉积过程中温度窗口很窄，仅通过调控温度，会出现α‑Ga2O3与κ‑Ga2O3的混相结构外延层，难以控制晶相的问题。
-
公开(公告)号：CN118908269A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410973582.5
申请日：2024-07-19
申请人： 广东工业大学
IPC分类号： C01G15/00 , B82Y40/00 , H01L29/786 , H01L29/24 , H01L31/032 , H01L31/113 , G01J1/42
摘要： 本发明属于多层二维半导体光电器件技术领域，公开了一种级联型梯度结构的In2S3纳米片及其制备方法和应用。该级联型梯度结构的In2S3纳米片为表面平整的等边三角形In2S3纳米片连续生长的多层堆叠结构，等边三角形的边长为20～160μm。本发明的级联型梯度结构In2S3纳米片的多层堆叠结构形成的厚度和面积呈梯度递减变化，其层间界面紧密贴合，该材料具有光电响应性能。本发明通过调节氮气的流量、In2S3粉末与氟金云母片之间的距离，In2S3粉末的蒸发温度和蒸发时间制得级联型梯度结构的In2S3纳米片，将该纳米片转移到SiO2/Si衬底，制备的场效晶体管可实现高的光电响应特性，应用在光电探测器件领域。
-
-
公开(公告)号：CN118835317A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410849628.2
申请日：2024-06-27
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： C30B29/10 , C30B29/64 , C30B11/00 , H01L29/24 , H01L29/04 , H01L29/772 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种紫磷砷单晶及其制备方法和在场效应晶体管中的应用，本发明公开的紫磷砷单晶，以质量百分比计，其元素组成包括88.8％～97.4％的磷和2.6％～11.2％的砷；该紫磷砷单晶为单斜晶格结构，原紫磷晶胞中的P1和P2位置分别由砷、磷原子占据，形成As1/P1和As2/P2的混合占据位点。本发明首次通过熔融法制备了紫磷砷单晶并且通过单晶XRD首次标定了紫磷砷单晶的晶体结构，并且该方法可以通过系统控制紫磷砷单晶的熔融法生长，因而能够实现高质量的紫磷砷的高效率、高产量和可控制备，该方法工艺简单，有利于大规模生产。
-
公开(公告)号：CN113764517B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202110613024.4
申请日：2021-06-02
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/44 , H01L21/34
摘要： 提供具备特性相互不同的多个氧化物半导体TFT的有源矩阵基板。一种有源矩阵基板，具备第1TFT和第2TFT，第1TFT具有第1氧化物半导体层和隔着第1栅极绝缘层配置在第1氧化物半导体层的一部分上的第1栅极电极，第1栅极绝缘层具有包含第1绝缘膜和配置在第1绝缘膜上的第2绝缘膜的层叠结构，第2TFT具有第2氧化物半导体层和第2栅极电极，第2氧化物半导体层具有比第1氧化物半导体层高的迁移率，第2栅极电极隔着第2栅极绝缘层配置在第2氧化物半导体层的一部分上，第2栅极绝缘层包含第2绝缘膜，并且不包含第1绝缘膜，在第2氧化物半导体层与基板之间还具备包含第1绝缘膜的下部绝缘层。
-
公开(公告)号：CN118763113A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411013451.9
申请日：2024-07-26
申请人： 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
摘要： 本申请提供一种氧化镓超结鳍型场效应晶体管，将第一P型氧化物和氧化镓漂移层引入到氧化镓超结鳍型场效应晶体管中形成超结结构，在超结区域的顶部和底部分别设置缓冲层，通过第一氧化镓缓冲层将P柱与衬底进行隔离，使得器件不会在超结区域底部提前击穿，在氧化镓漂移层顶部也设置有缓冲层，降低鳍型场效应晶体管在栅氧介质层上的电场强度，防止器件在此处提前击穿。本申请设置的双缓冲层结构降低超结区域与其他区域交界处的电场强度，使得超结漂移区内部的电场先达到临界击穿场强，有效地避免了器件的破坏性击穿，以使氧化镓超结鳍型场效应晶体管具有低导通电阻和高击穿电压的优势。
-
公开(公告)号：CN117976544B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410013921.5
申请日：2024-01-04
申请人： 湖南大学
IPC分类号： H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/477 , H01L21/8238 , H01L27/092
摘要： 本发明提供一种基于铜掺杂的氧化亚锡(Cu:SnO)薄膜晶体管、互补型逻辑电路及其制备方法，属于半导体技术领域。所述器件包括依次堆叠衬底、背栅电极层、栅极介电层、半导体沟道材料、电极层和氧化铪层。本发明通过不同的退火顺序获得p型和/或n型沟道Cu:SnO薄膜晶体管，使用等离子体处理技术对p型沟道Cu:SnO进行阈值电压的调控，并在此基础上成功制备互补型逻辑电路。所提出的集成技术成功突破了单种金属氧化物在互补型逻辑电路方面的应用，并应用于柔性衬底上，为未来柔性电子领域应用提供了新思路新技术。
-
公开(公告)号：CN112018168B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202010458017.7
申请日：2020-05-26
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： H01L29/24 , H01L29/786 , C23C14/34 , C23C14/08
摘要： 本发明的目的在于提供一种制造成本相对低、形成了薄膜晶体管时的载流子迁移率及光应力耐性高的氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅镀靶材。本发明为一种氧化物半导体薄膜，其包含金属元素，其中所述金属元素包含In、Zn、Fe及不可避免的杂质，相对于In、Zn及Fe的合计原子数，In的原子数为58atm％以上且80atm％以下，Zn的原子数为19atm％以上且41atm％以下，Fe的原子数为0.6atm％以上且3atm％以下。
-
公开(公告)号：CN118588734A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410630184.3
申请日：2024-05-21
申请人： 友达光电股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/423 , H01L29/786 , H01L21/34
摘要： 本发明公开一种薄膜晶体管及其制造方法，其中薄膜晶体管包括第一源极/漏极、隔离结构、第二源极/漏极、半导体结构、栅介电层、突起结构以及栅极。第一源极/漏极位于基板之上。隔离结构位于第一源极/漏极上，且具有重叠于第一源极/漏极的第一通孔。第二源极/漏极设置于隔离结构上。半导体结构从第二源极/漏极沿着第一通孔的侧壁延伸至第一源极/漏极。栅介电层位于半导体结构上。突起结构，位于第二源极/漏极之上，且具有重叠于第一通孔的第二通孔。栅极位于栅介电层上，且从突起结构上方延伸进入第二通孔中以及第一通孔中。第一源极/漏极、隔离结构、第二源极/漏极、突起结构以及栅极在第一方向上依序堆叠。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
1686 条记录 (耗时 0.033 秒)
