摘要:
Es wird beschrieben ein optisches Abbildungssystem, das ein Objekt (2) in eine Bildebene (3) abbildet und das aufweist einen Beleuchtungsstrahlengang (5), in den Beleuchtungsstrahlung in einem Wellenlängenbereich unterhalb 100 nm eingekoppelt wird und der zur Einstellung der numerischen Apertur der Beleuchtung eine Sigma-Blende (8) aufweist, einen Abbildungsstrahlengang (6), der zur Einstellung der numerischen Apertur der Abbildung eine NA-Blende (10) aufweist und in der Bildebene (3) ein vergrößertes Bild der Maske (2) erzeugt, wobei Beleuchtungs- und Abbildungsstrahlengang (5, 6) eine reflektive Optik (7, 9) aufweisen, wobei eine Justierabbildungseinrichtung (11, 15, 16, 17, 6) vorgesehen ist, die die gegenseitige Lage von Sigma- und NA-Blende (8, 10) abbildet.
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Die vorliegende Erfindung betrifft ein optisches System zur Überlagerung mehrerer optischer Wellen. Durch die daraus resultierende Interferenz können verschiedenste Muster für die Photolithografie, die Lasermaterialbearbeitung, eine strukturierte Beleuchtung oder die Messtechnik erzeugt werden. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren und der Anordnung zur Realisierung einer schaltbaren optischen Apertur, wird ein einfallendes, räumlich kohärentes Lichtbündel (1) in Amplitude und/oder Phase und/oder Polarisation moduliert, durch Linsenarrays (5,6) in Subaperturen aufgeteilt, diese Subaperturen durch Fokussierung in Kugelwellen umgewandelt, von einer Transformationsoptik (8) als ebene Wellen auf die Objektebene (8) kollimiert und dort überlagert werden. Mit dieser Methode ist die Erzeugung räumlich hochfrequenter Strukturen über große Felder möglich, wie sie beispielsweise in der diffraktiven Optik benötigt werden. Die Zahl der zum Interferenzfeld beitragenden optischen Wellen kann hierbei sehr groß gewählt werden. Bei einer XGA-Auflösung (1024x768 Pixel) würden 786.432 ebene Wellen zum Interferenzfeld beitragen.
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Die Erfindung bezieht sich auf ein Mikroskop mit einer Beleuchtungseinrichtung für die UV-Mikroskopie. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Beleuchtungsquelle für UV-Mikroskope zu schaffen, die mit geringerem technischen Aufwand herstellbar und weniger kostenintensiv ist, eine höhere Lebensdauer aufweist und bei der die Probenabbildung nicht in dem Maße wie bisher durch thermische Effekte beeinflußt wird. Erfindungsgemäß ist in einem Mikroskop als Beleuchtungsquelle für die Probenbeleuchtung mindestens eine UV-Halbleiter-Lichtquelle vorgesehen. Eine entsprechend ausgebildete Beleuchtungseinrichtung mit einer oder mehreren UV-Halbleiter-Lichtquellen kann im oder am Mikroskopstativ (1) untergebracht sein. In einer besonderen Ausgestaltungsvariante sind mehrere UV-LED's (12) in das Mikroskopobjektiv (7) integriert.
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Die Erfindung betrifft ein Inspektionssystem für die Untersuchung von Objekten, insbesondere Masken für die Mikrolithographie mit Wellenlängen - einem Beleuchtungssystem zur Ausleuchtung eines Feldes in einer Objektebene (1), wobei - in der Objektebene innerhalb des ausgeleuchteten Feldes das zu untersuchende Objekt angeordnet ist; - einem Abbildungssystem für Wellenlängen ≤ 100 nm zur vergrößernden Abbildung wenigstens eines Ausschnittes des Objektes in eine Bildebene (3); - einem in der Bildebene (3) angeordneten Bildaufnahmesystem.
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The invention relates to a method for processing a substrate with a focussed particle beam which incidents on the substrate, the method comprising the steps of: (a) generating at least one reference mark on the substrate using the focused particle beam and at least one processing gas, (b) determining a reference position of the at least one reference mark, (c) processing the substrate using the reference position of the reference mark, and (d) removing the at least one reference mark from the substrate.
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The present invention relates to a method for processing an object with miniaturized structures, having the steps of: a) feeding the reaction gas onto a surface of the object; b) processing the object by directing an energetic beam onto a processing site on the surface of the object, in order to deposit material on the object or to remove material from the object, c) scanning the surface of the object with the energetic beam and detecting interaction products of the energetic beam with the object, and d) deciding whether the processing of the object must be continued or can be terminated with the aid of information which is obtained from the detected interaction products of the energetic beam with the object, e) in which the processing of the object in step b) is performed with a first set of beam parameters of the beam, and the scanning of the surface in step c) is performed with a second set of beam parameters of the energetic beam, and the second set of beam parameters deviates from the first set of the energetic beam parameters.
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The invention relates to a method for electron beam induced etching of a material (100, 200). Said method consists of the following steps: at least one etching gas is provided on one area of the material (100, 200) on which an electron beam strikes said material (100, 200) and at least one passivation gas that is used to slow down or prevent spontaneous etching by the at least one etching gas is provided.
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The invention relates to a reflective X-ray microscope for examining an object on an object plane wherein the object is illuminated with radiation at a wavelength of