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    SPINTRONIC LOGIC ELEMENT
    43.
    发明公开
    SPINTRONIC LOGIC ELEMENT 审中-公开
    LOGISCHES SPINTRONIC-ELEMENT

    公开(公告)号：EP3053197A4

    公开(公告)日：2017-05-17

    申请号：EP13894323

    申请日：2013-09-30

    申请人： INTEL CORP

    发明人： NIKONOV DMITRI E ,  MANIPATRUNI SASIKANTH ,  KISHINEVSKY MICHAEL ,  YOUNG IAN A

    IPC分类号： G11C11/16 ,  H01L43/00

    CPC分类号： H03K19/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/222 ,  H01L29/66984 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H03K19/18

    摘要： An embodiment includes a C-element logic gate implemented as a spin logic device that provides a compact and low-power implementation of asynchronous logic by implementing a C-element with spintronic technology. An embodiment includes a first nanopillar including a first contact and a first fixed magnetic layer; a second nanopillar including a second contact and a second fixed magnetic layer; and a third nanopillar including a third contact, a tunnel barrier, and a third fixed magnetic layer; wherein (a) the first, second, and third nanopillars are all formed over a free magnetic layer, and (b) the third fixed magnetic layer, the tunnel barrier, and the free magnetic layer form a magnetic tunnel junction (MTJ). Other embodiments are described herein.

    摘要翻译： 一个实施例包括实现为自旋逻辑器件的C元件逻辑门，其通过实现具有自旋电子技术的C元件来提供异步逻辑的紧凑且低功率的实现。 一个实施例包括：第一纳米柱，其包括第一接触部和第一固定磁性层; 第二纳米柱，其包括第二接触部和第二固定磁性层; 以及第三纳米柱，其包括第三触点，隧道势垒和第三固定磁性层; 其中（a）所述第一，第二和第三纳米柱全部形成在自由磁性层上，并且（b）所述第三固定磁性层，所述隧道势垒和所述自由磁性层形成磁性隧道结（MTJ）。 这里描述了其他实施例。

    TECHNIQUES FOR FORMING SPIN-TRANSFER TORQUE MEMORY HAVING A DOT-CONTACTED FREE MAGNETIC LAYER
    44.
    发明公开
    TECHNIQUES FOR FORMING SPIN-TRANSFER TORQUE MEMORY HAVING A DOT-CONTACTED FREE MAGNETIC LAYER 有权
    VERFAHREN ZUR FORMUNG UNG ES ES ER ER ER UE UE ERS ​​ERS ​​HT HT HT HT HT HT HT HT HT HT HT HT HT HT HT HT HT HT HT HT HT HT

    公开(公告)号：EP3123476A1

    公开(公告)日：2017-02-01

    申请号：EP14887032.2

    申请日：2014-03-28

    申请人： Intel Corporation

    发明人： KUO, Charles, C. ,  OGUZ, Kaan ,  DOYLE, Brian, S. ,  DOCZY, Mark, L. ,  KENCKE, David, L. ,  SURI, Satyarth ,  CHAU, Robert, S.

    IPC分类号： G11C11/16 ,  H01L29/82

    CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

    摘要： Techniques are disclosed for fabricating a self-aligned spin-transfer torque memory (STTM) device with a dot-contacted free magnetic layer. In some embodiments, the disclosed STTM device includes a first dielectric spacer covering sidewalls of an electrically conductive hardmask layer that is patterned to provide an electronic contact for the STTM's free magnetic layer. The hardmask contact can be narrower than the free magnetic layer. The first dielectric spacer can be utilized in patterning the STTM's fixed magnetic layer. In some embodiments, the STTM further includes an optional second dielectric spacer covering sidewalls of its free magnetic layer. The second dielectric spacer can be utilized in patterning the STTM's fixed magnetic layer and may serve, at least in part, to protect the sidewalls of the free magnetic layer from redepositing of etch byproducts during such patterning, thereby preventing electrical shorting between the fixed magnetic layer and the free magnetic layer.

    摘要翻译： 公开了用于制造具有点接触自由磁性层的自对准自旋转移转矩存储器（STTM）装置的技术。 在一些实施例中，所公开的STTM装置包括覆盖导电硬掩模层的侧壁的第一介电间隔物，其被图案化以提供用于STTM自由磁性层的电子接触。 硬掩模接触可以比自由磁性层更窄。 第一介电间隔物可用于图案化STTM的固定磁性层。 在一些实施例中，STTM还包括覆盖其自由磁性层的侧壁的可选的第二电介质间隔物。 第二电介质间隔物可以用于图案化STTM的固定磁性层，并且可以至少部分地用于保护自由磁性层的侧壁在这种图案化期间重新沉积蚀刻副产物，从而防止固定磁性层 和自由磁性层。

    MAGNETORESISTIVE ELEMENT, SPIN MOSFET, MAGNETIC SENSOR, AND MAGNETIC HEAD
    50.
    发明公开
    MAGNETORESISTIVE ELEMENT, SPIN MOSFET, MAGNETIC SENSOR, AND MAGNETIC HEAD 有权
    磁感应元件，SPIN-MOSFET，MAGNETISCHER SENSOR UND MAGNETKOPF

    公开(公告)号：EP3073532A1

    公开(公告)日：2016-09-28

    申请号：EP14864839.7

    申请日：2014-11-14

    申请人： TDK Corporation

    发明人： SASAKI, Tomoyuki ,  OIKAWA, Tohru ,  KOIKE, Hayato

    IPC分类号： H01L29/82 ,  G11B5/39 ,  H01L29/66

    CPC分类号： H01L43/08 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/3996 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66984 ,  H01L29/82 ,  H01L43/02

    摘要： Spin-transport elements using semiconductors have had the problem of higher element resistance than conventional GMR elements and TMR elements, making it difficult to obtain high magnetoresistance ratios. A magnetoresistive element including a semiconductor channel layer (3); a first ferromagnetic layer (12A) disposed on the semiconductor channel layer (3); a second ferromagnetic layer (12B) disposed away from the first ferromagnetic layer (12A); and a non-magnetic first reference electrode (20) disposed away from the first ferromagnetic layer (12A) and the second ferromagnetic layer (12B), wherein current is input from the second ferromagnetic layer (12B) to the first ferromagnetic layer (12A) through the semiconductor channel layer (3), a voltage between the second ferromagnetic layer (12B) and the first reference electrode (20) is output.

    摘要翻译： 使用半导体的旋转元件具有比常规GMR元件和TMR元件更高的元件电阻的问题，使得难以获得高磁阻比。 一种包括半导体沟道层（3）的磁阻元件; 设置在半导体沟道层（3）上的第一铁磁层（12A）; 远离所述第一铁磁层（12A）设置的第二铁磁层（12B）; 以及远离所述第一铁磁层（12A）和所述第二铁磁层（12B）设置的非磁性第一参考电极（20），其中电流从所述第二铁磁层（12B）输入到所述第一铁磁层（12A） 通过半导体沟道层（3），输出第二铁磁层（12B）和第一参考电极（20）之间的电压。