公开(公告)号：EP2190010A2

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：EP10155844.3

申请日：2003-08-11

申请人： S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies

发明人： Ghyselen, Bruno ,  Aulnette, Cécile ,  Osternaud, Bénédite

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L22/12 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L22/20

摘要： The invention relates to a method of preparing a thin layer of semiconductor material, the method including a step (1050') of correcting the thickness of the layer, said step of correcting thickness of the layer itself comprising the following operations: acquiring a measured thickness profile of the layer; deducing thickness correction specifications from the measured thickness profile; and correcting the thickness of the layer in accordance with said specifications; the method being characterized in that thickness correction implements a technique which simultaneously treats the entire surface of the layer, while locally and selectively adapt layer thickness in different regions of the layer surface. The invention also relates to an associated machine.

摘要翻译： 本发明涉及一种制备半导体材料薄层的方法，该方法包括校正层的厚度的步骤（1050'），该层本身的厚度校正步骤包括以下操作：获取测量的厚度 层的轮廓; 从测量的厚度剖面推导厚度校正规范; 并根据所述规格校正层的厚度; 该方法的特征在于，厚度校正实现了同时处理层的整个表面，同时局部且选择性地适应层表面的不同区域中的层厚度的技术。 本发明还涉及一种相关联的机器。

公开(公告)号：EP2115768A1

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：EP07847300.6

申请日：2007-11-23

申请人： S.O.I. TEC Silicon on Insulator Technologies

发明人： KERDILES, Sébastien ,  MICHEL, Willy ,  SCHWARZENBACH, Walter ,  DELPRAT, Daniel ,  BEN MOHAMED, Nadia

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/2007 ,  H01L21/02052

摘要： The invention provides a method of bonding two substrates together during which the surfaces of said substrates are brought into contact with each other, comprising at least one step of cleaning the surface of one or both of the substrates to be bonded before their surfaces are brought into contact, characterized in that the cleaning step is carried out so that each cleaned surface is little roughened and in that the bonding is furthermore preceded by heating at least one substrate to be bonded, said heating being initiated before the surfaces of the substrates are brought into contact and extended at least until they have been brought into contact. The invention also relates to a method of forming a structure comprising a thin film of semiconductor material transferred from a donor substrate to a second substrate, the method comprising the co-implantation of two atomic species into the donor substrate so as to create a weakened zone forming the boundary of thin film to be transferred, and the bonding of said substrates together, characterized in that the two atomic species are implanted in such a way that their peaks are offset by less than 200 Å in the thickness of the donor substrate, and in that the bonding is carried out by the method described above.

公开(公告)号：EP2023380A1

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：EP08160680.8

申请日：2008-07-18

申请人： S.O.I. TEC Silicon on Insulator Technologies

发明人： Legros, David

IPC分类号： H01L21/18 ,  H01L21/762 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/187 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/76254 ,  Y10T156/1189 ,  Y10T156/1972

摘要： L'invention concerne un procédé de fracture d'une structure composite (100) selon un plan de fragilisation défini entre deux couches, le procédé comprenant la réalisation d'une fracture de la structure le long du plan de fragilisation. Lors de la fracture, la structure composite est disposée dans un logement (120) de nacelle et maintenue en contact contre des raidisseurs (118) disposés de part et d'autre de la structure et alignés parallèlement l'un à l'autre.

摘要翻译： 该方法包括沿一薄层和其余层即之间限定的脆化平面实现的复合结构（100）的断裂 供体基片的负层，E.G. 氮化镓板。 该复合结构被维持针对在结构，其中加强件被放置在结构的bothsides并间隔从该结构的压裂过程中能量的释放的时刻加强筋（118）。 因此独立claimsoft包括用于热退火安装的吊舱的壳体。

公开(公告)号：EP1519409B1

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：EP03292377.3

申请日：2003-09-26

申请人： S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A.

发明人： Akatsu, Takeshi ,  Aulnette, Cécile ,  Ghyselen, Bruno

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  C30B25/18 ,  C30B25/02

CPC分类号： H01L21/76254 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  Y10S117/915

公开(公告)号：EP1702357B1

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：EP04791788.5

申请日：2004-10-28

申请人： S.O.I. TEC Silicon on Insulator Technologies

发明人： LE VAILLANT, Yves-Mathieu

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254 ,  C30B25/18

摘要： The invention relates to a composite support (10) intended to receive a transferred layer (20) made of a material chosen from crystalline materials, so that the assembly forms a substrate (30) for epitaxy, characterized in that it has a longitudinal plane of symmetry (100) parallel to its principal surfaces and in that it consists of: . a central first layer (1) having a first thermal expansion coefficient at a defined temperature T, the said layer extending transversely on either side of the plane of symmetry; and . at least one pair of lateral layers (2, 2'; 3, 3'), the layers of each pair having, facing each other: -arrangements in the composite support (10) that are substantially symmetrical with respect to the plane of symmetry; - second thermal expansion coefficients at the temperature T that are substantially identical to each other; and - thicknesses substantially identical to each other; and in that the materials constituting the layers of the composite support (10) are chosen in such a way that the composite support (10) has an overall thermal expansion coefficient at the temperature T close to the thermal expansion coefficient of the material of the transferred layer (20) at the temperature T. The invention also relates to processes for forming a useful layer on the said composite support and to structures comprising substrates for epitaxy.

公开(公告)号：EP1865551A2

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：EP07108925.4

申请日：2007-05-25

申请人： S.O.I. TEC Silicon on Insulator Technologies

发明人： Hebras, Xavier

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/26506

摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'une hétérostructure comprenant au moins une première couche (102) en matériau semi-conducteur sur une deuxième couche (101) en un matériau différent de celui de la première couche. Pour empêcher des éléments du matériau semi-conducteur de diffuser dans la première couche (102) et dans les couches adjacentes en mode lacunaire, le procédé de l'invention comprend une étape d'enrichissement (S2) en défauts interstitiels (105a) de la première couche (102) de manière à limiter la diffusion en mode lacunaire des éléments de la première couche.

摘要翻译： 通过在第二层材料上提供具有第一半导体材料层的半导体结构来减少半导体结构制造过程中的空位扩散，其中半导体材料包括能够通过空位扩散机构扩散到第二层或相邻层中的元件; 并且将附加元素注入到第一层的半导体材料中，其量产生间隙缺陷以限制或防止元件到第二层的空位扩散。 还包括一种独立权利要求，该半导体结构包括在第二材料层上的第一半导体材料层，其中半导体材料包括能够通过空位扩散机构扩散到第二层或相邻层中的元件; 以及以一定量注入第一层的半导体材料的附加元素，以产生间隙缺陷以限制或防止元件进入第二层的空位扩散。

公开(公告)号：EP1631986A1

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：EP04739271.7

申请日：2004-05-19

申请人： S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A.

发明人： FAURE, Bruce

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/20 ,  C23C16/44 ,  C23C14/00

CPC分类号： C30B25/183 ,  H01L21/76254 ,  Y10S117/915

摘要： The invention relates to a method of preparation of an epitaxial substrate, in particular a GaN, a SiGe, AIN or InN epitaxial substrate. It is the object of the present invention to provide a process of preparation of an epitaxial substrate which further reduces the influence of the substrate while being at the same time economically viable. The object is solved by providing a base substrate, implanting atomic species in the base substrate to create a weak layer like zone, providing an epitaxial stiffening layer on a surface of a base substrate at a first temperature and isolating the stiffening layer at a second higher temperature, in particular together with a sub-layer of the base substrate, from the remainder of the base substrate, whereby the isolated material creates a pseudo substrate on which a homo- or heteroepitaxial layer is provided.

公开(公告)号：EP1535326A2

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：EP03762848.4

申请日：2003-07-09

申请人： S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies

发明人： GHYSELEN, Bruno ,  AULNETTE, Cécile ,  OSTERNAUD, Bénédite ,  DAVAL, Nicolas

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76259 ,  H01L21/76254

摘要： Method of producing a structure comprising a thin layer of semiconductor material obtained from a wafer (10), the wafer (10) comprising a lattice parameter matching layer (2) comprising an upper layer of semiconductor material having a first lattice parameter, a film (3) of semiconductor material having a nominal lattice parameter substantially different from the first lattice parameter, said grown film (3) being strained by the matching layer (2), a relaxed layer (4) a nominal lattice parameter to substantially identical to the first lattice parameter, the method comprising transfer of the relaxed layer (4) and the strained film (3) to a receiving substrate (5) and enrichment in an element other than silicon of the relaxed layer (4), thus increasing the relaxed layer (4) lattice parameter.

公开(公告)号：EP1324385A3

公开(公告)日：2003-09-17

申请号：EP02293182.8

申请日：2002-12-20

申请人： S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies

发明人： Letertre, Fabrice ,  Maurice, Thibaut

IPC分类号： H01L21/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L21/2007 ,  H01L21/76251 ,  Y10S438/954 ,  Y10S438/964

摘要： Un procédé de report de couches minces successives d'un matériau semi-conducteur d'une plaquette donneuse vers une plaquette receveuse comprend les étapes suivantes : (a) assembler une tranche massive constituée du matériau semi-conducteur avec un support pour former la plaquette donneuse avec une couche donneuse (102) dudit matériau semi-conducteur et une couche support (20), (b) créer dans la couche donneuse une zone de fragilisation (12), (c) coller la plaquette donneuse sur la plaquette receveuse (40) au niveau de la face libre de la couche donneuse, (d) effectuer une séparation au niveau de la zone de fragilisation, une couche mince (101) du matériau semi-conducteur étant ainsi reportée de la plaquette donneuse sur la plaquette receveuse, et (e) répéter les opérations (b) à (d) sans que la couche support de la plaquette donneuse ne soit entamée. Un procédé d'obtention d'une plaquette donneuse est également proposé.

摘要翻译： 从供体晶片（30）到接收器晶片半导体的连续薄层的转移涉及秉承施体晶片到接收机晶片在施体晶片的施体层（10）的自由表面，并且传递环的薄半导体层（ 10）从通过在供体层中分离到脆化区施主晶片到接收晶片。 半导体的连续薄层的转移从一个供体晶片到接收机晶片包括：（a）组装一体晶片，其包括半导体材料与载体，以形成机械稳定的组件包括一个供体晶片（30），其包括100-300 半导体材料的微米厚的施体层（10）和100-300微米厚的支撑层（20）; （B）在脆化区在所述施主层的受控深度（10）创建; （C）粘附所述施体晶片（30）到接收器晶片在施体晶片的施体层（10）的自由表面（30）; （D）传递环通过实现在脆化区分离半导体材料的薄层从施主晶片（30）到接收器晶片; 及（e）重复操作（b）至（d）在不损坏所述施主晶片（30）的支撑层（20）。 操作（a）到（d）重复的选择作为施体层（10）和脆化区的深度的厚度的函数的最大次数。 步骤（a）是由体晶片和所述支撑件的抛光表面之间的分子粘附或高温焊接实现。 阶段（b）通过气态物质的注入实现。 阶段（c）通过分子粘附实现。 阶段（d）中，通过施加热和/或机械应力实现。 半导体材料是单晶半导体，优选为Si，SiC和宽间隙单 - 或多 - 金属氮化物，尤其是爱的GaN。 该支撑件从包括以下的组的材料相同的材料作为单晶选择，但所有这些都是低质量的单晶，或者是多晶的，或是不同的聚型的。 支撑层（20）选自Si，氮化镓，碳化硅，氮化镓，碳化硅，氮化铝和蓝宝石中选择。 独立claimsoft给出用于施体晶片的制造方法。

公开(公告)号：EP2363879A3

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：EP11151327.1

申请日：2011-01-18

申请人： S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies

发明人： Vaufredaz, Alexandre ,  Molinari, Sébastien

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76256 ,  H01L21/304 ,  H01L27/1464

摘要： L'invention concerne un procédé de réalisation d'une structure multicouche (130) comprenant:
- le collage (S1) d'une première plaque (110) sur une deuxième plaque (120), au moins la première plaque présentant un bord chanfreiné (117a, 117b), l'interface de collage présentant une énergie d'adhésion inférieure ou égale à 1 J/m 2 ,
- l'amincissement (S3, S4) de la première plaque (110) pour former une couche transférée (115).
Avant l'amincissement de la première plaque (110), une étape de détourage du bord de la première plaque (110) est réalisée avec une roue (150) dont la surface de travail (151) comprend des particules abrasives d'une taille moyenne supérieure ou égale à 800 mesh ou inférieure ou égale à 18 microns, ladite étape de détourage étant réalisée avec une vitesse de descente de la roue supérieure ou égale à 5 micromètres par seconde, la descente de la roue dans la première plaque étant en outre stoppée à une hauteur (h 110 ) de l'interface de collage inférieure ou égale 30 µm.