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    Lift-off process
    72.
    发明公开
    Lift-off process 失效
    Abhebe-Verfahren。

    公开(公告)号：EP0164675A2

    公开(公告)日：1985-12-18

    申请号：EP85106842.9

    申请日：1985-06-03

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： Anderson, Herbert Rudolph, Jr. ,  Sachdev, Harbans Singh ,  Sachdev, Krishna Gandhi

    IPC分类号： G03F7/10

    CPC分类号： H01L21/7688 ,  G03F7/039 ,  H01L21/0272 ,  H05K3/048 ,  Y10S438/951

    摘要： An improved lift-off process for multilevel metal structure in the fabrication of integrated circuits by employing lift-off layer formed from polymers which undergo clean depolymerization under the influence of heat or radiation and allow rapid and residue-free release of an "expendable mask". An embedded interconnection metallurgy system is formed by application of the lift-off layer of this invention over a cured polymer film or on an oxygen RIE barrier layer previously deposited on organic or inorganic substrate, followed by another barrier over which is then coated a radiation sensitive resist layer. After definition of the desired resist pattern by imagewise exposure and development, the image is replicated into the barrier by sputter etching in a fluorine containing ambient and subsequently into the base layer down to the substrate by oxygen reactive ion etching which is followed by blanket metal evaporation and finally the lift-off by brief heat treatment at the depolymerization temperature of the lift-off layer, and brief solvent soak.

    摘要翻译： 通过使用由在热或辐射的影响下经历清洁解聚的聚合物形成的剥离层，并且允许快速和无残留地释放“消耗性掩模”，在多层金属结构制造集成电路中改进了多层金属结构的剥离工艺， 。 通过将本发明的剥离层施加在固化的聚合物膜上或预先沉积在有机或无机基底上的氧RIE阻挡层上，然后再涂覆有辐射敏感的另一个屏障，形成嵌入式互连冶金系统 抗蚀剂层。 在通过图像曝光和显影定义所需的抗蚀剂图案之后，通过在含氟环境中的溅射蚀刻将图像复制到势垒中，随后通过氧反应离子蚀刻进入基底层，然后通过橡皮布金属蒸发 最后通过在剥离层的解聚温度下进行短暂热处理，并进行短暂的溶剂浸泡。

    Schattenwurfmaske für die Ionenimplantation und die Ionenstrahllithographie
    77.
    发明公开
    Schattenwurfmaske für die Ionenimplantation und die Ionenstrahllithographie 失效
    离子植入和离子电离层析仪。

    公开(公告)号：EP0078336A1

    公开(公告)日：1983-05-11

    申请号：EP81109370.7

    申请日：1981-10-30

    申请人： IBM DEUTSCHLAND GMBH ,  International Business Machines Corporation

    发明人： Bohlen, Harald ,  Greschner, Johann, Dr. ,  Nehmiz, Peter, Dr.

    IPC分类号： H01L21/308

    CPC分类号： G03F1/20 ,  H01L21/266

    摘要： Die Maske enthält eine dünne P+-dotierte Siliciumschicht (1) mit durchgehenden, dem Maskenmuster angepaßten Löchern (21), ein dies& Schicht (1) unterstützendes Gitter (2) aus Siliciumrippen, mindestens auf ihrer von dem Gitter (2) abgewandten Seite eine Schicht (5, 6), welche mindestens so dick ist, daß das Implantieren von lonen in die Siliciumschicht verhindert wird. Mindestens die der lonenstrahlung ausgesetzte Oberfläche der Maske ist elektrisch und thermisch leitfähig und mechanisch widerstandsfähig. Die Beschichtung des Siliciumgerüsts (1, 2) der Maske ist so ausgebildet, daß sie keine temperaturbedingte und/oder durch Eigenspannungen der Beschichtung bedingte Deformation der Maske verursacht. Bevorzugt dienen als absorbierende Materialien Gold, Silber, Platin, Wolfram und Tantal und als mechanisch widerstandsfähige Materialien Kohlenstoff, Molybdän, Titan, Wolfram und Tantal.
    Beim Einsatz wird die Maske mit dem Gitter (2) auf das zu bestrahlende Substrat aufgesetzt und dann mit einem lonenstrahl ganzflächig beleuchtet oder Zeile für Zeile überstrichen, bis jeder Punkt der Maske sich im Strahlengang befunden hat.

    摘要翻译： 1.包括具有适合于掩模图案的通孔的薄P +掺杂硅层（1）的阴影投影掩模和在没有空穴的区域中支撑该层（1）的栅格（2），并且由不同于 硅层（1）至少具有背离栅格（2）的侧面（以下称为上侧）的离子吸收层，并且其中至少暴露于离子辐射的表面是导电和导热的; 其特征在于，在要暴露于离子束的地方，掩模的硅框架（1,2）的涂层由能够抵抗离子的机械攻击和离子吸收的材料组成，或者是 暴露于离子辐射的层由抵抗离子的机械攻击的材料组成，并且与考虑到离子能量和吸收特性的离子吸收材料的面向硅框架的层相反的层 具有没有离子渗透到硅中的厚度，并且包含栅格（2）（以下称为下侧）的掩模侧具有优选与沉积在上侧上的涂层相同的涂层 - 其补偿机械张力 由上层的涂层造成。

    Method of electron beam evaporating reactive metals onto semiconductors
    78.
    发明公开
    Method of electron beam evaporating reactive metals onto semiconductors 失效
    一种用于在通过电子束半导体活性金属的汽相沉积过程。

    公开(公告)号：EP0073312A2

    公开(公告)日：1983-03-09

    申请号：EP82105478.0

    申请日：1982-06-23

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： Dalal, Hormazdyar Minocher ,  Lowney, John Joseph

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/443

    CPC分类号： H01L21/0278 ,  C23C14/04 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/28537 ,  Y10S438/974

    摘要： A method for making low barrier Schottky devices by the electron beam evaporation of a reactive metal such as tantalum, titanium, hafnium, tungsten, molybdenum, and niobium which is selectively deposited at a semiconductor surface such as n-type silicon using a photoresist mask. The method includes a series of steps during the deposition of the barrier metal for degassing the semiconductor substrate (9), photoresist mask (25), reactive metal charge (17) and deposition chamber (2). The method may include steps for preliminarily degassing the substrate, mask and surrounding chamber (3) by infrared heating under vacuum, followed by steps for preliminarily degassing the charge and surrounding chamber (4), while the substrate and mask are shielded, by electron beam heating the charge while under vacuum. Thereafter, and prior to deposition, the substrate and mask can be finally degassed by irradiation with X-rays (31) produced by electron beam heating the charge to a temperature below evaporation for a predetermined time under vacuum. Upon further heating of the charge, the barrier metal is evaporated and deposited at the semiconductor substrate surface.

    Method for photolithographic pattern generation in a photoresist layer
    79.
    发明公开
    Method for photolithographic pattern generation in a photoresist layer 失效
    Verfahren zur photolithographischen Mustererzeugung in einer Photolackschicht。

    公开(公告)号：EP0072933A1

    公开(公告)日：1983-03-02

    申请号：EP82106777.4

    申请日：1982-07-27

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： Abrahamovich, Karen Marie ,  Hamel, Clifford Joseph ,  Payne, Edward Henry ,  Weed, Dean Robert

    IPC分类号： H01L21/312 ,  H01L21/308 ,  G03F7/26

    CPC分类号： G03F7/2022 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/0274 ,  Y10S430/153

    摘要： With the method, in which the photoresist is exposed to radiation more than once, a hole pattern corresponding to the pattern of openings (15, 16) of an exposure mask (14) as well as a hole pattern corresponding to the negative of the pattern of openings (28, 29, 30) of another exposure mask (25) are sequentially produced in a single photoresist layer (12). The method is used e.g. in forming holes (23, 24) defined by the positive image into an oxide layer (11) on a substrate (10), and in producing a metallization pattern (36a, 36b) defined by the negative image for interconnecting areas of the substrate (10).

    摘要翻译： 利用其中光致抗蚀剂暴露于辐射不止一次的方法，与曝光掩模（14）的开口（15,16）的图案相对应的孔图案以及对应于图案的负的孔图案 的另一个曝光掩模（25）的开口（28,29,30）顺序地产生油墨单个光致抗蚀剂层（12）。 该方法例如使用。 在由正像形成的孔（23,24）形成在基板（10）上的氧化物层（11）中，并且在制造由负像形成的用于互连基板的区域的金属化图案（36a，36b） 10）。

    Schottky barrier diode with a guard ring and method of making same
    80.
    发明公开
    Schottky barrier diode with a guard ring and method of making same 失效
    Schottky-Sperrschichtdiode mit Schutzring und Verfahren zu ihrer Herstellung。

    公开(公告)号：EP0065133A2

    公开(公告)日：1982-11-24

    申请号：EP82103562.3

    申请日：1982-04-27

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： Anantha, Narasipur Gundappa ,  Bhatia, Harsaran Singh ,  Gaur, Santosh Prasad ,  Mauer IV, John Lester

    IPC分类号： H01L29/91

    CPC分类号： H01L29/872

    摘要： The Schottky barrier diode having a self-aligned guard ring comprises a dielectric layer (3) on a silicon substrate said layer (3) having a substantially vertically walled hole therein, a doped silicon lining (5) being of uniform width covering the silicon along the walls of said hole and contact metal (7) on said substrate exposed within the inner perimeter of that lining (5).
    To produce such a diode a hole ist etched anisotropically into a dielectric layer (3) on a silicon substrate. Then a doped silicon layer (4) is deposited which is reactively ion etched, to expose said substrate through said hole. By heating the dopant in the remainder of said silicon layer (4) is diffused into the substrate. Onto the exposes substrate metal (7) is applied.

    摘要翻译： 具有自对准保护环的肖特基势垒二极管包括在硅衬底上的介电层（3），所述层（3）上具有基本上垂直的壁孔，掺杂硅衬层（5）具有均匀的宽度，覆盖硅 所述孔的壁和所述基底上的接触金属（7）暴露在该衬里（5）的内周边内。 为了制造这样的二极管，将各向异性地蚀刻到硅衬底上的电介质层（3）中的孔。 然后沉积掺杂的硅层（4），其被反应离子蚀刻，以通过所述孔暴露所述衬底。 通过加热所述硅层（4）的其余部分中的掺杂剂扩散到衬底中。 在曝光的基底金属（7）上施加。