公开(公告)号：EP4189737A1

公开(公告)日：2023-06-07

申请号：EP21739207.5

申请日：2021-06-11

申请人： QUALCOMM INCORPORATED

发明人： YIN, Wen ,  AN, Yonghao ,  ALVARADO, Reynante Tamunan

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/49 ,  H01L21/48 ,  H01L21/683 ,  H01L23/48 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L25/065 ,  H01L25/10

公开(公告)号：EP3298625A1

公开(公告)日：2018-03-28

申请号：EP16728156.7

申请日：2016-05-19

申请人： Qualcomm Incorporated

发明人： RAE, David Fraser ,  KESER, Lizabeth Ann ,  ALVARADO, Reynante Tamunan

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L25/16 ,  H01L23/538 ,  H01L25/10 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/81

摘要： A package may include a die proximate to a structure having a substrate with interconnects and a first component coupled to the interconnects. The die may be face up or face down. The package may include a first redistribution layer coupling the die to the interconnects of the structure and a mold compound covering the die and maybe the structure.

公开(公告)号：EP3140855A1

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：EP15719577.7

申请日：2015-04-20

申请人： Qualcomm Incorporated

发明人： ALVARADO, Reynante Tamunan ,  KESER, Lizabeth Ann ,  BEZUK, Steve Joseph

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/31 ,  H01L25/10 ,  H01R12/71

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/4896 ,  H01L21/56 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00012

摘要： An integrated device that includes a substrate (402), a first die (404) coupled to the substrate (402), a first encapsulation layer (418) coupled to the substrate (402) and the first die (404), and a second encapsulation layer (440) in the first encapsulation layer (418). The second encapsulation layer (440) includes a set of wires (442) configured to operate as vias. In some implementations, the integrated device includes a set of vias in the first encapsulation layer (460). In some implementations, the integrated device further includes a second die (406) coupled to the substrate (402). In some implementations, the second encapsulation layer (440) is positioned between the first die (404) and the second die (406). In some implementations, the integrated device further includes a cavity in the first encapsulation layer (418), where the second encapsulation layer (440) is positioned in the cavity. In some implementations, the cavity has a wall that is non-vertical. In some implementations, at least one of the wires (442) is non-vertical.

摘要翻译： 一些新颖特征涉及一种集成器件，其包括衬底，耦合到衬底的第一裸片，耦合到衬底和第一裸片的第一封装层，以及第一封装层中的第二封装层。 第二封装层包括一组配置为作为过孔工作的导线。 在一些实现中，集成器件包括第一封装层中的一组通孔。 在一些实施方案中，集成器件还包括耦合到衬底的第二管芯。 在一些实施方案中，第二封装层位于第一管芯和第二管芯之间。 在一些实施方案中，集成器件还包括第一封装层中的空腔，其中第二封装层位于空腔中。 在一些实施方案中，空腔具有非垂直的壁。 在一些实施方案中，至少一根导线是非垂直的。

公开(公告)号：EP3000128A1

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：EP14729192.6

申请日：2014-05-12

申请人： Qualcomm Incorporated

发明人： ALVARADO, Reynante Tamunan ,  KESER, Lizabeth Ann ,  XU, Jianwen

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/561 ,  B23K26/364 ,  B23K26/389 ,  B23K26/40 ,  B23K2203/172 ,  H01L21/31127 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/3185 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00

摘要： Some implementations provide a semiconductor device that includes a substrate, several metal and dielectric layers coupled to the substrate, and a pad coupled to one of the several metal layers. The semiconductor device also includes a first metal layer coupled to the pad and an under bump metallization layer coupled to the first metal redistribution layer. The semiconductor device further includes a mold layer covering a first surface of the semiconductor device and at least a side portion of the semiconductor device. In some implementations, the mold layer is an epoxy layer. In some implementations, the first surface of the semiconductor device is the top side of the semiconductor device. In some implementations, the mold layer covers the at least side portion of the semiconductor device such that a side portion of at least one of the several metal layers and dielectric layers is covered with the mold layer.

摘要翻译： 一些实施方案提供了半导体器件，其包括衬底，耦合到衬底的几个金属和电介质层，以及耦合到几个金属层之一的衬垫。 半导体器件还包括耦合到焊盘的第一金属层和耦合到第一金属再分布层的凸块下金属化层。 半导体器件还包括覆盖半导体器件的第一表面和至少半导体器件的侧部的模层。 在一些实施方案中，模制层是环氧树脂层。 在一些实施方案中，半导体器件的第一表面是半导体器件的顶侧。 在一些实施方案中，模具层覆盖半导体器件的至少侧面部分，使得多个金属层和电介质层中的至少一个的侧部被模具层覆盖。