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    SCHMELZVERFAHREN FÜR LEGIERUNGEN
    1.
    发明公开
    SCHMELZVERFAHREN FÜR LEGIERUNGEN 有权
    SCHMELZVERFAHRENFÜRLEGIERUNGEN

    公开(公告)号：EP3026133A1

    公开(公告)日：2016-06-01

    申请号：EP15196034.1

    申请日：2015-11-24

    申请人： Ald Vacuum Technologies GmbH

    发明人： Flinspach, Jochen ,  Kunde, Frank ,  Hanselmann, Thomas ,  Mangelsen, Markus

    IPC分类号： C22C1/00 ,  C22C14/00 ,  C22C1/02

    CPC分类号： C22C1/02 ,  C22B9/04 ,  H01J37/305 ,  H01J2237/33

    摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Metalllegierungen. Das Verfahren ermöglicht die Herstellung von Metalllegierungen aus wenigstens zwei Metallen, die einen hohen Schmelzpunktunterscheid aufweisen. Dabei wird das höher schmelzende Metall zuerst geschmolzen und durch Wärmeübertragung das niedriger schmelzende Metall verzögert in Schmelze gebracht woraufhin sich die Metalle miteinander vermischen. Dadurch werden Metalllegierungen mit hoher Reinheit bei geringen Verdampfungsverlusten erhältlich gemacht, die insbesondere den Einsatz von verunreinigten Ausgangskomponenten wie recyceltem Metall ermöglichen.

    摘要翻译： 一种金属合金的制造方法。 该方法允许生产由至少两种具有高熔点差的金属组成的金属合金。 这里，首先熔化较高熔点的金属，并通过传热延迟熔化较低熔点的金属，从而将金属混合在一起。 这样可获得具有高纯度和低蒸发损失的金属合金，这尤其允许使用受污染的起始组分如再循环金属。

    Verfahren zur Plasmabehandlung in Hohlkörpern
    9.
    发明公开
    Verfahren zur Plasmabehandlung in Hohlkörpern 审中-公开
    维尔法赫恩·祖尔·普拉斯帕贝德隆在霍尔霍芬

    公开(公告)号：EP0948969A1

    公开(公告)日：1999-10-13

    申请号：EP99105037.8

    申请日：1999-03-22

    申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.

    发明人： Behnisch, Jürgen ,  Holländer, Andreas

    IPC分类号： A61L2/14

    CPC分类号： A61L2/14 ,  B01J2219/0894 ,  B29C59/142 ,  H01J2237/33

    摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Plasmabehandlung in Hohlkörpern, insbesondere zur plasmachemischen Modifizierung von im Inneren von Hohlkörpern befindlichen Oberflächen. Bei dem Verfahren wird ein flexibler Hohlkörper bereitgestellt, der vor dem Verschließen unter Volumenkontraktion auf einen bestimmten Druck evakuiert wird. Dieser Druck wird so gewählt, daß der Hohlkörper unter reduziertem Außendruck in einer Plasmaprozeßkammer eine Volumenexpansion erfährt, bei der der Druck im Hohlkörper einen Wert erreicht, der bei Anlegen eines äußeren elektrischen Feldes eine Gasentladung im Hohlkörper zuläßt. Der auf diese Weise evakuiert und verschlossene Hohlkörper wird in eine Vakuumkammer gebracht, die derart evakuiert wird, daß sich im Hohlkörper die Voraussetzungen für das Zünden einer Gasentladung einstellen. Schließlich wird die Gasentladung innerhalb des Hohlkörpers durch Anlegen eines elektrischen Feldes gezündet.
    Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren läßt sich auf einfache und vorteilhafte Weise die Plasmabehandlung im Inneren von Hohlkörpern erreichen, ohne daß zusätzliche Modifikationen an bestehenden Plasmaanlagen erforderlich wären.

    摘要翻译： 柔性中空体设置有开口，并且内部通过体积收缩被抽空到压力水平，使得当抽真空和封闭的中空体处于另一压力水平的环境中时，存在体积膨胀。 通过保持第一压力水平将空心体密封，并将其放置在真空室中。 将空心体抽真空到能够通过外部电场点燃非热气体放电的压力水平。 第二压力水平被设定为使得真空室中的电场也会在中空体外部引发气体放电，或者在体外没有放电。 在排空之前或期间，用处理气体冲洗空心体。 在抽空之前将固体或液体物质插入中空体中以形成工艺气体。 第二工艺气体被供给到真空室中，与第一气体或不同组成物匹配。 在空心体密封之前，插入物体以进行等离子体处理，其中中空体是单独的反应室，并且在等离子体作用之后可以容易地除去物体。 中空体通过焊接密封。 在等离子体条件下，对表面施加灭菌作用，沉积层以限制扩散，表面具有增加的交联，并且其生物相容性增加。

    GAS BARRIER FILM AND METHOD FOR PRODUCING SAME
    10.
    发明公开
    GAS BARRIER FILM AND METHOD FOR PRODUCING SAME 审中-公开
    维多利亚州ZER HERSTELLUNG DAVON的GASBARRIENENLAMINATFILM

    公开(公告)号：EP3130459A1

    公开(公告)日：2017-02-15

    申请号：EP15772887.4

    申请日：2015-03-27

    申请人： Dai Nippon Printing Co., Ltd.

    发明人： SUZUKI, Azusa ,  IWAHASHI, Hiroyuki ,  NISHIZONO, Takeshi ,  MATSUI, Shigeki ,  HARAGUCHI, Kazutoshi

    IPC分类号： B32B9/00 ,  B65D65/02 ,  C08J7/04

    CPC分类号： C08J7/045 ,  B05D3/0254 ,  B05D3/144 ,  B05D7/04 ,  B05D2350/63 ,  B32B27/00 ,  B65D65/42 ,  C08J7/047 ,  C08J2367/02 ,  C08J2429/04 ,  C08J2483/00 ,  C23C16/02 ,  C23C16/403 ,  C23C16/44 ,  C23C18/1254 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/3277 ,  H01J37/32899 ,  H01J2237/33

    摘要： The invention provides a gas barrier film with low deterioration in the gas barrier property before and after high-temperature hot water treatment. The gas barrier film has a gas barrier coating film, formed as a composite film comprising a network structure having a mesh structure with Si-O-Si bonds as the basic lattice and a water-soluble polymer crystallized as microcrystals, incorporated into the mesh of the network structure, wherein a barrier coating agent, obtained by mixing a condensate solution of an alkoxysilane hydrolysate prepared as a mixed solution in which the proportion of bonded states of the silicon atoms of the condensate with Q1 and Q2 structures is at least 60% of the total silicon atoms, with a crystalline water-soluble polymer, is coated on a base material film, either after forming or without forming an aluminum oxide vapor deposition film, to form a coating layer.

    摘要翻译： 本发明提供了在高温热水处理之前和之后，阻气性劣化低的阻气膜。 阻气膜具有阻气性涂膜，其形成为复合膜，该复合膜由具有Si-O-Si键的网格结构作为基本晶格的复合膜和作为微晶结晶化的水溶性聚合物形成， 所述网状结构体，其中通过混合制备为混合溶液的烷氧基硅烷水解产物的缩合物溶液得到的阻隔涂层剂，其中所述冷凝物的硅原子与Q1和Q2结构的键合状态的比例为至少60％ 在形成或不形成氧化铝气相沉积膜之后，将总体硅原子与结晶水溶性聚合物涂覆在基材膜上，以形成涂层。