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    IMAGE SENSOR
    4.
    发明公开
    IMAGE SENSOR 审中-公开

    公开(公告)号：EP3358623A1

    公开(公告)日：2018-08-08

    申请号：EP18150955.5

    申请日：2018-01-10

    Applicant: Renesas Electronics Corporation

    Inventor： Murao, Fumihide ,  Shida, Koji

    IPC: H01L27/146

    CPC classification number: H04N5/374 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/361 ,  H04N5/378

    Abstract: In a related image sensor, here is a problem that the SN ratio of the image signal becomes unstable. According to one exemplary embodiment, an image sensor includes a first chip A and a second chip B configured to transmit and receive signals to and from the first chip through a micro-bump, the first chip being stacked on top of the second chip, wherein on the first chip, pixel circuits 31 - 3n are arranged in a lattice structure, each of the pixel circuits including a photoelectric conversion element 41, a transfer transistor 42, a reset transistor 43, and an amplification transistor 44, and on the second chip, at least an input stage circuit COMP of an analog-to-digital converter circuit configured to convert a dark level signal and an imaging signal output from the pixel circuits 31 - 3n into a digital value is formed, and the number of input stage circuits COMP is at least two times the number of lines of the pixel circuits.

    RADIATION-HARD HIGH-SPEED PHOTODIODE DEVICE
    5.
    发明公开
    RADIATION-HARD HIGH-SPEED PHOTODIODE DEVICE 审中-公开

    公开(公告)号：EP3331034A1

    公开(公告)日：2018-06-06

    申请号：EP16202201.6

    申请日：2016-12-05

    Applicant: ams International AG

    Inventor： Meinhardt, Gerald ,  Wachmann, Ewald ,  Sagmeister, Martin ,  Hofrichter, Jens

    IPC: H01L31/115 ,  H01L31/103 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L27/146 ,  H01L27/144

    CPC classification number: H01L31/115 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14663 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/103 ,  Y02E10/50

    Abstract: A CMOS compatible photodiode device comprises a substrate (1) of semiconductor material with a main surface (10) and a plurality of doped wells (3) of a first type of conductivity constituting one pixel of an array of pixels for image detection. The doped wells (3) are spaced apart at the main surface (10). The device further has a guard ring (7) comprising a doped region of a second type of conductivity, which is opposite to the first type of conductivity. The guard ring (7) surrounds an area of the main surface (10) including the plurality of doped wells (3) without dividing this area. Conductor tracks (4) are electrically connected with the doped wells (3), which are thus interconnected, and further conductor tracks (5) are electrically connected with a region of the second type of conductivity. A doped surface region (2) of the second type of conductivity is present at the main surface (10) and covers the entire area between the guard ring (7) and the doped wells (3). The photodiode of the pixel is radiation-hard, has high speed, low capacitance, low leakage current and a low temperature coefficient of the responsivity.

    DISPOSITIF DE PHOTO-DÉTECTION À RÉSEAU INTER-DIODES SUR-DOPÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
    7.
    发明公开
    DISPOSITIF DE PHOTO-DÉTECTION À RÉSEAU INTER-DIODES SUR-DOPÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION 审中-公开
    光电检测装置网间-SUR掺杂二极管和方法

    公开(公告)号：EP3240030A1

    公开(公告)日：2017-11-01

    申请号：EP17167630.7

    申请日：2017-04-21

    Applicant: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

    Inventor： ROTHMAN, Johan

    IPC: H01L27/144 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/103 ,  H01L31/18

    CPC classification number: H01L27/14607 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14696 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/1032 ,  H02S40/44

    Abstract: L'invention porte sur un dispositif de photo-détection comportant un substrat et un réseau de diodes, le substrat comprenant une couche d'absorption (1) et chaque diode comportant dans la couche d'absorption une région de collection (2) qui présente un premier type de dopage. Le dispositif comporte, sous la surface du substrat, un maillage de conduction (7) comprenant au moins un canal de conduction intercalé entre les régions de collection (2) de deux diodes adjacentes, l'au moins un canal de conduction (7) présentant un deuxième type de dopage opposé au premier type et une plus grande densité de dopage que la couche d'absorption. La densité de dopage de l'au moins un canal de conduction (7) est issue d'une diffusion de métal dans la couche d'absorption depuis un maillage métallique présent en surface du substrat. La couche d'absorption présente le premier type de dopage. L'invention porte également sur un procédé de fabrication d'un tel dispositif.

    Abstract translation: 本发明公开了包含基底和二极管阵列，所述衬底包括一个吸收层（1）和每个二极管具有在所述吸收层中的收集区的光电检测装置（2），其具有 第一种掺杂类型。 该装置包括，基板的表面下方，导电网状物（7），包括至少两个相邻的LED的收集区（2）之间的导电沟道，（7）具有至少一个导电沟道 与第一类型相反的第二类型掺杂以及比吸收层更高的掺杂密度。 所述至少一个导电沟道（7）的掺杂密度是从与存在于衬底表面的金属网的吸收层的金属扩散的。 吸收层具有第一种类型的掺杂。 本发明还涉及制造这种装置的方法。

    PIXEL DE DÉTECTION DE TEMPS DE VOL
    9.
    发明公开
    PIXEL DE DÉTECTION DE TEMPS DE VOL 有权
    像素飞行时间检测

    公开(公告)号：EP3188238A1

    公开(公告)日：2017-07-05

    申请号：EP16203843.4

    申请日：2016-12-13

    Applicant: STMicroelectronics (Crolles 2) SAS ,  COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES

    Inventor： ROY, François ,  GUILLON, Marie ,  CAZAUX, Yvon ,  RODRIGUES, Boris ,  ROCHAS, Alexis

    IPC: H01L27/146

    CPC classification number: G01S7/4863 ,  G01S7/4914 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683 ,  H04N5/374

    Abstract: L'invention concerne un pixel (40) de détection de temps de vol comprenant une zone photosensible (PD) comportant une première couche (43) dopée N 1 ; une zone de collection de charges (47) s'étendant dans la première couche et étant plus fortement dopée N 2 que la première couche ; au moins deux zones de stockage de charges (mem 1 , mem 2 , mem 3 , mem 4 ) s'étendant à partir de la zone de collection et comprenant chacune un premier caisson (51) plus fortement dopé N 3 que la zone de collection et séparé de ladite zone de collection par une première portion (59) de la première couche revêtue d'une première grille (61), chaque zone de stockage de charges étant délimitée latéralement par deux électrodes conductrices isolées (53), parallèles et en vis-à-vis ; et une deuxième couche (45) fortement dopée P + revêtant le pixel à l'exception de chaque portion (59, 65) de la première couche revêtue d'une grille (61, 67).

    Abstract translation: 本发明涉及一种飞行时间检测像素（40），其包括包括第一N1掺杂层（43）的光敏区（PD）; 电荷收集区（47），其延伸到所述第一层中并且比所述第一层更强烈地掺杂N 2; 至少两个从收集区域延伸的电荷存储区域（mem1，mem2，mem3，mem4），每个电荷存储区域包括比收集区域更强烈地掺杂N3的第一盒子（51）并且与所述区域分开 通过涂覆有第一栅极（61）的第一层的第一部分（59）进行收集，每个电荷存储区域由两个绝缘导电电极（53）横向地界定，平行且面对面; 以及除了第一栅格涂覆层（61,67）的每个部分（59,65）之外涂覆像素的第二P +强掺杂层（P +）。

    IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC INFORMATION DEVICE
    10.
    发明公开
    IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC INFORMATION DEVICE 审中-公开
    成像设备和电子信息设备

    公开(公告)号：EP2797312A4

    公开(公告)日：2015-11-18

    申请号：EP12858740

    申请日：2012-11-22

    Applicant: SHARP KK

    Inventor： USHINAGA TAKEO ,  HATTORI SHINJI

    IPC: H01L27/146 ,  G03B35/08 ,  H04N5/369

    CPC classification number: H04N13/0207 ,  G03B35/08 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H04N5/3696 ,  H04N13/0217

    Abstract: A means for correcting tilts and positional deviations from a stereo image is rendered unnecessary. The present invention has a solid-state imaging element 2 on which a plurality of light receiving sections for photoelectrically converting and imaging an image light from a subject are arranged in a matrix pattern and a lens means 3 with a single focal point on an imaging surface of the solid-state imaging element 2 . The present invention is configured to simultaneously or chronologically expose and image each imaging light from a subject entering different positions of the lens means 3 as a plurality of images in a plurality of imaging regions for each predetermined imaging regions of the solid-state imaging element 2 .

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