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    High resolution etching mask
    2.
    发明公开
    High resolution etching mask 失效
    Ätzmaskevon hoherAuflösung。

    公开(公告)号：EP0572943A1

    公开(公告)日：1993-12-08

    申请号：EP93108663.1

    申请日：1993-05-28

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： Kenney, Donald McAlpine

    IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/82 ,  H01L27/108 ,  H01L21/033

    CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L21/0337 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/92 ,  Y10S438/964 ,  Y10S977/78 ,  Y10S977/784 ,  Y10S977/887

    摘要： A method is provided to enable the formation of sub-lithographic relief images to increase the surface area of semiconductor structures for use in the capacitors of DRAM cells. The method includes the steps of forming in situ a non-planar region (12) having a relief pattern (14) comprising sub-micron sized elements and the transferring the relief pattern (14) into a masking layer (16) in order to selectively etch a substrate (10) to form relatively deep trenches (20) having a density equal to the relief pattern (14). Polysilicon and porous silicon can be used to form the sub-micron relief pattern.

    摘要翻译： 提供了一种能够形成亚光刻浮雕图像以增加在DRAM单元的电容器中使用的半导体结构的表面积的方法。 该方法包括以下步骤：原位形成具有包括亚微米尺寸元件的浮雕图案（14）的非平面区域（12），并将浮雕图案（14）转移到掩模层（16）中以便选择性地 蚀刻衬底（10）以形成具有等于浮雕图案（14）的密度的相对较深的沟槽（20）。 可以使用多晶硅和多孔硅来形成亚微米浮雕图案。

    Nanostructure, electron emitting device, carbon nanotube device, and method of producing the same
    8.
    发明公开
    Nanostructure, electron emitting device, carbon nanotube device, and method of producing the same 审中-公开
    纳米结构，电子发射器件，碳纳米管器件及其制造方法

    公开(公告)号：EP0951047A2

    公开(公告)日：1999-10-20

    申请号：EP99106041.9

    申请日：1999-03-25

    申请人： CANON KABUSHIKI KAISHA

    发明人： Iwasaki, Tatsuya ,  Den, Tohru

    IPC分类号： H01J1/30

    CPC分类号： H01F1/009 ,  B81C1/00087 ,  B81C2201/0114 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/743 ,  G11B5/855 ,  G11C2213/81 ,  H01F1/0081 ,  H01J1/304 ,  H01J1/3042 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/778 ,  Y10S977/78 ,  Y10S977/939

    摘要： The invention provides a nanostructure including an anodized film including nanoholes. The anodized film is formed on a substrate having a surface including at least one material selected from the group consisting of semiconductors, noble metals, Mn, Fe, Co, Ni, Cu and carbon. The nanoholes are cut completely through the anodized film from the surface of the anodized film to the surface of the substrate. The nanoholes have a first diameter at the surface of the anodized film and a second diameter at the surface of the substrate. The nanoholes are characterized in that either a constriction exists at a location between the surface of the anodized film and the surface of the substrate, or the second diameter is greater than the first diameter.

    摘要翻译： 本发明提供了包括包含纳米孔的阳极氧化膜的纳米结构。 阳极氧化膜形成在具有包括从由半导体，贵金属，Mn，Fe，Co，Ni，Cu和碳组成的组中选择的至少一种材料的表面的衬底上。 纳米孔从阳极氧化膜的表面完全通过阳极氧化膜切割到基材表面。 纳米孔在阳极氧化膜的表面处具有第一直径并且在基板的表面处具有第二直径。 纳米孔的特征在于，在阳极氧化膜的表面和基材表面之间的位置存在收缩部，或者第二直径大于第一直径。