公开(公告)号：JP5213121B2

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：JP2008549230

申请日：2007-11-16

Applicant: 独立行政法人科学技術振興機構

Inventor： カミラ オリビア ベルツ ,  洋治 前田 ,  由佳 多辺 ,  浩 横山

IPC: C08J9/00 ,  C08F2/44

CPC classification number: C08J9/0014 ,  C08J9/30 ,  C08J2205/026 ,  C08J2333/06 ,  C09K19/02 ,  C09K19/12 ,  C09K19/54 ,  Y10T428/10 ,  Y10T428/1005 ,  Y10T428/1036

公开(公告)号：JPWO2011102517A1

公开(公告)日：2013-06-17

申请号：JP2012500686

申请日：2011-02-21

Applicant: 独立行政法人科学技術振興機構

Inventor： 宇田　泰三 ,  泰三 宇田 ,  一二三　恵美 ,  恵美 一二三 ,  晃 西園 ,  晃 西園 ,  満枝 荒川 ,  満枝 荒川

IPC: C12N9/48 ,  A61K39/395 ,  A61P31/14 ,  A61P31/16 ,  C07K16/10 ,  C12N15/09

CPC classification number: C07K16/10 ,  A61K2039/505 ,  C07K2317/21 ,  C07K2317/30 ,  C07K2317/515 ,  C07K2317/56 ,  C07K2317/76 ,  C12N9/0002

Abstract: 本発明は、新規なヒト抗体κ型軽鎖を含有する抗ウイルス剤、新規なヒト抗体κ型軽鎖であるヒト型の抗体酵素、これらのヒト抗体κ型軽鎖に関連するポリヌクレオチド、ベクター、および形質転換体、抗ウイルス剤または抗体酵素としての機能を有するヒト抗体κ型軽鎖を効率よく取得するためのプライマーセット、ならびに、当該プライマーセットを利用するポリヌクレオチドおよびポリペプチドの製造方法を提供する。

公开(公告)号：JP2013119064A

公开(公告)日：2013-06-17

申请号：JP2011268280

申请日：2011-12-07

Applicant: Toshiba Mach Co Ltd ,  東芝機械株式会社 ,  Japan Science & Technology Agency ,  独立行政法人科学技術振興機構

Inventor： TANAKA KATSUTOSHI ,  NAKAJIMA ATSUSHI ,  KADOYAMA HIROKI

IPC: B01F5/00 ,  B24B19/02

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a micromixer, a micromixer element and a method for producing the same, wherein branch passages can be further microminiaturized and can be smoothed.SOLUTION: The micromixer element 20 incorporated in this micromixer and forming alternately disposed branch passages includes a first plate material 21, a second plate material 22, and an intermediate plate material 23 sandwiched between the first plate material 21 and the second plate material 22. The first plate material 21, the second plate material 22 and the intermediate plate material 23 are respectively formed with prescribed-depth grooves 21B, 22B, 23B continuing from the front surfaces of the respective plate materials to the rear surfaces in main end surfaces 21A, 22A, 23A, the grooves 21B of the first plate material 21 are communicated with every other groove 23B of the intermediate plate material 23, and the grooves 22B of the second plate material 22 are communicated with the grooves with which the grooves 21B of the first plate material 21 do not communicate out of the grooves 23B of the intermediate plate material 23.

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供微混合器，微混合器元件及其制造方法，其中分支通道可以进一步微小化并且可以被平滑化。 解决方案：结合在该微型混合器中并形成交替设置的分支通道的微混合器元件20包括夹在第一板材21和第二板材之间的第一板材21，第二板材22和中间板材23 第一板材21，第二板材22和中间板材23分别形成有从各板材的前表面延伸到主端面的后表面的规定深度的槽21B，22B，23B 如图21A，22A，23A所示，第一板材21的槽21B与中间板材23的每隔一个的槽23B连通，第二板材22的槽22B与槽21B 第一板材21不与中间板材23的槽23B连通。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP5207024B2

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：JP2007228386

申请日：2007-09-03

Applicant: 独立行政法人科学技術振興機構

Inventor： 秀臣 鯉沼 ,  健治 伊高

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L27/115 ,  H01L27/28 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a nonvolatile memory cell capable of electrically obtaining operation of a nonvolatile memory in simple structure by means of an organic transistor, nonvolatile memory and control method of the nonvolatile memory cell. SOLUTION: A nonvolatile memory cell 1 includes a channel 5 constituted of an organic semiconductor, a gate insulating film 3 and a transistor structure constituted of a gate electrode, a source electrode and a drain electrode, and a trap 8 of carrier is formed on or near an interface of the channel 5 and the gate insulating film 3. In particular, the channel 5 is constituted of fullerene and the gate insulating film 3 is constituted of an inorganic substance such as alumina or silicon dioxide, thereby obtaining the nonvolatile memory cell 1 in which writing, deleting and reading can electrically be performed. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

公开(公告)号：JPWO2011093515A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：JP2011551969

申请日：2011-01-26

Applicant: 独立行政法人科学技術振興機構 ,  Jsr株式会社 ,  Jsr株式会社

Inventor： 下田　達也 ,  達也 下田 ,  松木　安生 ,  安生 松木 ,  仲▲榮▼ 申 ,  仲▲榮▼ 申

IPC: C23C18/10 ,  C23C20/04 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01L21/288

CPC classification number: C23C18/1603 ,  C23C18/06 ,  C23C18/08 ,  C23C18/10 ,  C23C18/42 ,  C23C22/73 ,  H05K3/182 ,  H05K2203/0709 ,  H05K2203/1105 ,  Y10T428/12028 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/1275 ,  Y10T428/24917

Abstract: 本発明は、プラチナ微結晶粒子からなる層がパターン状に形成された基板を、アミン化合物および水素化アルミニウムの錯体と50〜120℃の温度において接触させる工程を経ることを特徴とする、パターン状導電性膜の形成方法に関する。本発明により、基板との間の電気的接合を確保することができ、多くの電子デバイスに好適に適用しうるパターン状導電性層を、重厚長大な装置を要することなく簡易に形成するための方法が提供される。

公开(公告)号：JP5205440B2

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：JP2010264656

申请日：2010-11-29

Applicant: 独立行政法人科学技術振興機構

Inventor： 仁 遠藤 ,  好克 金井

IPC: A61K38/00 ,  A61K39/395 ,  A61P35/00 ,  A61P43/00

公开(公告)号：JP5201639B2

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：JP2010502852

申请日：2009-03-11

Applicant: 独立行政法人科学技術振興機構

Inventor： 義仁 上野 ,  幸夫 北出

IPC: C12N15/09 ,  C07D487/14 ,  C12Q1/68

CPC classification number: C07D487/14 ,  C07H19/173 ,  C12Q1/6832 ,  Y02P20/55 ,  C12Q2525/113

公开(公告)号：JP2013093586A

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：JP2012265998

申请日：2012-12-05

Applicant: Japan Science & Technology Agency ,  独立行政法人科学技術振興機構 ,  Seiko Epson Corp ,  セイコーエプソン株式会社

Inventor： SHIMODA TATSUYA ,  TOKUMITSU EISUKE ,  KANEDA TOSHIHIKO

IPC: H01L21/8246 ,  B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  B41J2/16 ,  H01L21/316 ,  H01L27/105 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22 ,  H01L41/39

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a production method of a ferroelectric material layer the electrical characteristics of which can be enhanced furthermore.SOLUTION: The production method of a ferroelectric material layer includes a ferroelectric material precursor layer formation step for forming the precursor layer of a ferroelectric material by coating a substrate with a sol-gel solution, a drying step for drying the precursor layer at a first temperature in the range of 120°C-250°C, a type push step for performing type push processing of the precursor layer while heating to a second temperature higher than the first temperature and in the range of 150°C-300°C, and a ferroelectric material layer formation step for forming the ferroelectric material layer from the precursor layer.

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供可以进一步提高其电特性的铁电材料层的制造方法。 解决方案：铁电材料层的制造方法包括铁电材料前体层形成工序，用于通过用溶胶 - 凝胶溶液涂布基板来形成铁电体的前体层，干燥步骤，用于干燥前体层 在120℃-250℃的范围内的第一温度，用于在加热到高于第一温度的第二温度并且在150℃-300℃的范围内进行前体层的类型推动加工的型式推进步骤 以及从前驱体层形成铁电体材料层的铁电体层形成工序。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP5199516B2

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：JP2012500686

申请日：2011-02-21

Applicant: 独立行政法人科学技術振興機構

Inventor： 泰三 宇田 ,  恵美 一二三 ,  晃 西園 ,  満枝 荒川

IPC: C12N9/48 ,  A61K38/46 ,  A61K39/395 ,  A61P31/14 ,  A61P31/16 ,  C07K16/10 ,  C12N15/09

CPC classification number: C07K16/10 ,  A61K2039/505 ,  C07K2317/21 ,  C07K2317/30 ,  C07K2317/515 ,  C07K2317/56 ,  C07K2317/76 ,  C12N9/0002

Abstract: The present invention provides: a novel antiviral agent containing a human antibody º light chain, a novel human abzyme containing a human antibody º light chain; a polynucleotide, a vector, and a transformant, each of which relating to the containing a human antibody º light chain of the above; a primer set for effectively obtaining a human antibody º light chain having a function as an antiviral agent or abzyme; and a method for producing a polynucleotide and a method for producing a polypeptide, each of which method utilizes the primer set.

公开(公告)号：JP5198506B2

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：JP2010107764

申请日：2010-05-07

Applicant: 独立行政法人科学技術振興機構 ,  セイコーエプソン株式会社

Inventor： 達也 下田 ,  毅明 宮迫 ,  敏彦 金田

IPC: H01L21/336 ,  B29C59/02 ,  B41J2/16 ,  H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/368 ,  H01L21/768 ,  H01L29/786 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22 ,  H01L41/29 ,  H01L41/317 ,  H01L41/333 ,  H01L41/39

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a functional device which allows manufacture using raw materials and manufacturing energy far less than ever before and having steps less than even before.SOLUTION: A method of manufacturing a functional device includes, in the following order: a first step of preparing a functional liquid material, which is to be heated to be a functional solid material; a second step of applying the functional liquid material on a base material to form a precursor composition layer of the functional solid material; a third step of heating the precursor composition layer at a first temperature falling within a range of 80°C to 200°C to reduce fluidity of the precursor composition layer in advance; a fourth step of embossing the precursor composition layer while heating the precursor composition layer at a second temperature falling within a range of 80°C to 300°C to form an embossed structure on the precursor composition layer; and a fifth step of heating the precursor composition layer at a third temperature which is higher than the second temperature to form a functional solid material layer from the precursor composition layer.