半導体片の製造方法
    11.
    发明专利
    半導体片の製造方法 有权
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:JP2016115803A

    公开(公告)日:2016-06-23

    申请号:JP2014253227

    申请日:2014-12-15

    Abstract: 【課題】カメラ等の検知手段で基板表面側のパターンを検知することなしに切削部材の位置決めができる半導体片の製造方法を提供する。 【解決手段】半導体片の製造方法は、基板の表面から、当該基板の切断領域に沿う表面側の溝と、当該表面側の溝に沿って当該基板の裏面から切削する切削部材の位置決め用の印として、当該表面側の溝よりも深い深さのアライメント用溝(凹部)とを形成する工程と、前記基板の裏面から、アライメント用溝には達するが表面側の溝には達しないように基板をの厚みを薄くする工程と、基板の裏面に露出したアライメント用溝を位置決め用の印として、基板の裏面から切削部材の位置決めを行う工程と、位置決めされた切削部材で基板の裏面側から表面側の溝に向けて切削する工程とを備える。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种制造半导体片的方法,该半导体片允许定位切割构件,而不通过诸如照相机的检测装置在基底表面侧检测图案。解决方案:一种制造半导体片的方法包括 沿着基板的切割区域从基板的表面形成表面侧槽的步骤以及比表面侧凹槽更深的对准槽(凹部),作为用于从背面切割的切割构件的对准标记 的基板的表面侧凹槽,从基板的背面使基板变薄以达到对准槽但不到达表面侧槽的工序;将切割构件从背面侧定位的工序 通过使用暴露于表面的对准槽作为定位标记,以及从基板的背面向表面侧槽切割的工序,借助于 切割构件如此定位。选择图:图1

    光半導体素子、光半導体装置、光伝送システム、および光半導体装置の製造方法

    公开(公告)号:JP2020129587A

    公开(公告)日:2020-08-27

    申请号:JP2019021032

    申请日:2019-02-07

    Abstract: 【課題】表面から光を出射または受光する光半導体素子において、外部と接続した場合に寄生素子を低減しつつ表面を保護することが可能な光半導体素子、光半導体装置、光伝送システム、および光半導体装置の製造方法を提供すること。 【解決手段】半絶縁性の半導体基板(12)と、半導体基板(12)の表面側に形成され、表面側から光を出射または受光する柱状体(P)と、柱状体(P)と接続された表面側の電極(30、36)と、半導体基板の裏面側に形成された裏面側の電極(54)と、半導体基板(12)を貫通して表面側の電極(30、36)と裏面側の電極(54)を接続するとともに、半導体基板(12)の表面側に突出した突出部(50)を有する導電部材(58)と、を備える。 【選択図】図1

    光伝送装置
    16.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2018082060A

    公开(公告)日:2018-05-24

    申请号:JP2016223544

    申请日:2016-11-16

    Abstract: 【課題】第1の発光素子と、第1の発光素子と並列に接続されるとともに、第1の発光素子よりも早く劣化するよう構成された第2の発光素子とを備えた光伝送装置において、第2の発光素子の劣化に伴う波長スペクトルの均一性の低下を抑制することが可能な光伝送装置を提供すること。 【解決手段】光を出射する第1の発光素子50−1、50−2、50−4と、第1の発光素子50−1、50−2、50−4と並列に接続されるとともに、第1の発光素子50−1、50−2、50−4よりも早く劣化するよう構成され、光の出射口が遮蔽された第2の発光素子50−3と、第2の発光素子50−3が劣化したことを検知する検知部と、を備える。 【選択図】図1

    半導体片の製造方法
    17.
    发明专利
    半導体片の製造方法 有权
    半导体芯片制造方法

    公开(公告)号:JP2016058741A

    公开(公告)日:2016-04-21

    申请号:JP2015211536

    申请日:2015-10-28

    Abstract: 【課題】従来よりも切断幅を狭くできる半導体片の製造方法を提供する。 【解決手段】本発明の半導体片の製造方法は、基板の表面から、切断領域に沿って表面側の微細溝140−1、140−2を異方性ドライエッチングで形成する工程と、切断領域の微細溝に沿って基板の内部にレーザを照射して、切断領域に沿った改質領域320、330等を基板の内部に形成する工程と、基板に応力を加え、切断領域に沿って基板を半導体片に分割する工程とを備える。 【選択図】図6

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种可以减小比现有宽度窄的切割宽度的半导体芯片制造方法。解决方案:本实施例的半导体芯片制造方法包括:形成细槽140-1,140-2的工艺 在通过各向异性干蚀刻从基板的表面沿着切割区域的表面侧上; 沿着切割区域的细槽将激光束照射在基板的内部,沿着切割区域和基板内部形成重整区域320,330等; 以及将衬底沿着切割区域划分成半导体芯片的工艺。选择图:图6

    半導体片の製造方法
    18.
    发明专利
    半導体片の製造方法 有权
    半导体芯片制造方法

    公开(公告)号:JP2016058474A

    公开(公告)日:2016-04-21

    申请号:JP2014182137

    申请日:2014-09-08

    Abstract: 【課題】従来よりも切断幅を狭くできる半導体片の製造方法を提供する。 【解決手段】半導体片の製造方法は、基板の表面から、切断領域に沿って表面側の微細溝140を異方性ドライエッチングで形成する工程と、切断領域の微細溝140に沿って基板の内部にレーザを照射して、切断領域に沿った改質領域320、330等を基板の内部に形成する工程と、基板に応力を加え、切断領域に沿って基板を半導体片に分割する工程とを備える。 【選択図】図6

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种能够减小切割宽度比现有宽度窄的半导体芯片制造方法。解决方案:一种半导体芯片制造方法包括:沿着切割区域从表面侧形成细槽140的工艺 通过各向异性干法蚀刻表面的基板; 沿着切割区域的细槽140在基板的内侧照射激光束以沿着切割区域和基板内部形成重整区域320,330等的工艺; 以及向衬底施加应力以将衬底沿着切割区域分割成多个半导体芯片的过程。选择的图示:图6

    発光装置
    19.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2021052204A

    公开(公告)日:2021-04-01

    申请号:JP2020207616

    申请日:2020-12-15

    Abstract: 【課題】第1の覆い部を支える壁を他の部分と同じような壁を光源とキャパシタとの間にも設ける場合に比べて、光源とキャパシタとの間を近接させやすい発光装置などを提供する。 【解決手段】発光装置は、基板と、基板上に設けられたキャパシタと、基板上に設けられ、キャパシタに蓄積された電荷により駆動のための電流が供給される光源と、光源が出射する光が透過し、且つ、光源の光軸方向に配置された第1の覆い部と、第1の覆い部を透過した光が透過し、且つ、光源の光軸方向に配置された第2の覆い部と、キャパシタと光源との間を除く基板上に設けられ、第2の覆い部を支持する第1の壁と、第2の覆い部を支持し、第1の壁よりも光軸の中心に近い位置に設けられた第2の壁と、を備える。 【選択図】図14

    発光装置、光学装置および情報処理装置

    公开(公告)号:JP2021002670A

    公开(公告)日:2021-01-07

    申请号:JP2020152153

    申请日:2020-09-10

    Abstract: 【課題】発光素子アレイの駆動素子側に回路素子を設ける構成と比較し、駆動素子と発光素子アレイとを近接させやすい構造の発光装置などを提供する。 【解決手段】配線基板と、互いに対向する第1の側面および第2の側面と、第1の側面および第2の側面とを接続する、互いに対向する第3の側面および第4の側面とを有し、配線基板上に設けられた発光素子アレイと、第1の側面側の配線基板上に設けられ、発光素子アレイを駆動する駆動素子と、第2の側面よりも駆動素子からの距離が遠い配線基板の位置に、第2の側面に沿って設けられた第1の回路素子および第2の回路素子と、第3の側面側および第4の側面側に設けられ、発光素子アレイの上面電極から発光素子アレイの外側に向けて延びる配線部材と、を備え、第1の側面と駆動素子との間には、他の回路素子が設けられていない。 【選択図】図7

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