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公开(公告)号：JP2019134176A
公开(公告)日：2019-08-08
申请号：JP2019068432
申请日：2019-03-29
Applicant: エア・ウォーター株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/80 , H01L21/20 , H01L21/338
Abstract: 【課題】高耐圧の半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置は、HEMT(高電子移動度トランジスタ)であり、主面1aおよび1bを有するSi基板またはSOI(Silicon On Insulator)基板1と、Si基板またはSOI基板1の主面1aに形成され、ワイドギャップ半導体であるSi化合物よりなるSi化合物半導体層4とを備える。Si化合物半導体層4は、pn接合を構成するp型半導体層3とn型半導体層5とを含む。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2019072813A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：JP2017201134
申请日：2017-10-17
Applicant: エア・ウォーター株式会社
Abstract: 【課題】低温の液化炭酸ガスを用いて粒径の大きなドライアイススノーを継続的に安定して噴射する。 【解決手段】液化炭酸ガス貯蔵容器110と、二酸化炭素供給路120と、冷却機構130と、絞り機構150と、噴射ノズル160と、推進ガス供給路171と、加熱機構190とを備える。液化炭酸ガス貯蔵容器110は、真空断熱容器である。二酸化炭素供給路120は、液化炭酸ガス貯蔵容器110に連結されている。冷却機構130は、二酸化炭素供給路120内を通過する液化炭酸ガスを冷却して過冷却状態にする。絞り機構150は、二酸化炭素供給路120に設けられ、二酸化炭素供給路120を絞る絞り部材151を内蔵する。噴射ノズル160は、二酸化炭素供給路120の末端に設けられている。推進ガス供給路171は、噴射ノズル160に接続され、推進ガスを供給する。加熱機構190は、絞り機構150の外側から絞り部材151を加熱する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2019058308A
公开(公告)日：2019-04-18
申请号：JP2017184549
申请日：2017-09-26
Applicant: エア・ウォーター株式会社
Abstract: 【課題】健常者は勿論、自立歩行が可能なものの通常の浴槽での入浴が困難な人であっても補助者の手を借りずに無理なく自ら入浴することが可能な使い勝手のよいミスト入浴器を提供する。 【解決手段】ミスト入浴器1は、上面に開放部16が設けられた箱形状の入浴器本体2と、開放部16を覆う蓋体3と、入浴器本体2の側壁に設けられた出入り口を覆う覆いとを備える。入浴器本体2の前部内側および後部内側には、それぞれ通路部17および座部18が設けられ、出入り口は、通路部17と入浴器本体2の外側の空間とを左右方向において結ぶとともに、その上端が開放部16に達するように設けられる。入浴器本体2の前壁11および後壁12の内側壁面には、それぞれ前側ミスト噴出部21〜23および後側ミスト噴出部24が設けられる。 【選択図】図14
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公开(公告)号：JP2019006867A
公开(公告)日：2019-01-17
申请号：JP2017122033
申请日：2017-06-22
Applicant: エア・ウォーター株式会社
Abstract: 【課題】高難燃性、高耐熱性および高温下低分解特性を満たし得るエポキシ樹脂組成物の硬化剤として好適な組成物であって、優れた保存安定性を有する組成物を提供する。 【解決手段】両末端にマレイミド基を有するマレイミド化合物(A)、置換基を有しても良いアミノフェノール化合物(B)、および水酸基を2個含むフェノール化合物(C)を含有する組成物。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP6450086B2
公开(公告)日：2019-01-09
申请号：JP2014083679
申请日：2014-04-15
Applicant: エア・ウォーター株式会社
IPC: C30B25/18 , C23C16/42 , H01L21/205 , C30B29/36
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2017069087A1
公开(公告)日：2018-08-09
申请号：JP2016080702
申请日：2016-10-17
Applicant: エア・ウォーター株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/812 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L21/338
CPC classification number: H01L21/02447 , C23C16/34 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/1029 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66431 , H01L29/778 , H01L29/7787 , H01L29/812 , H01L33/32
Abstract: 所望の品質を有する化合物半導体基板を提供する。 化合物半導体基板は、SiC(炭化ケイ素)層と、SiC層上に形成されたAlN(窒化アルミニウム)バッファー層と、AlNバッファー層上に形成された、Al(アルミニウム)窒化物半導体層と、Al窒化物半導体層上に形成された第1のGaN(窒化ガリウム)層と、第1のGaN層に接触して第1のGaN層上に形成された第1のAlN中間層と、第1のAlN中間層に接触して第1のAlN中間層上に形成された第2のGaN層とを備えている。
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公开(公告)号：JPD1607125S
公开(公告)日：2018-06-18
申请号：JPD201720973
申请日：2017-09-26
Applicant: エア・ウォーター株式会社
Designer： 西川 晃司 郷田 玲央奈 松川 健宏 杉本 満声
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公开(公告)号：JP2018082121A
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：JP2016225198
申请日：2016-11-18
Applicant: エア・ウォーター株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B25/18 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02381 , C23C16/34 , C30B25/18 , C30B29/38 , H01L21/02447 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 【課題】所望の品質を有する化合物半導体基板の製造方法および化合物半導体基板を提供する。 【解決手段】化合物半導体基板CSの製造方法は、Si(ケイ素)基板1上にSiC(炭化ケイ素)層2を形成する工程と、SiC層2上に、12nm以上100nm以下の厚さを有するLT(Low Temperature)−AlN(窒化アルミニウム)層3を700℃以上1000℃以下で形成する工程と、LT−AlN層3を形成する際の温度よりも高い温度で、LT−AlN層3上にHT(High Temperature)−AlN層4を形成する工程と、HT−AlN層4上にAl(アルミニウム)窒化物半導体層5を形成する工程と、Al窒化物半導体層5上にGaN(窒化ガリウム)層6を形成する工程と、GaN層6上にAl窒化物半導体層7を形成する工程とを備える。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6328537B2
公开(公告)日：2018-05-23
申请号：JP2014223547
申请日：2014-10-31
Applicant: エア・ウォーター・マッハ株式会社 , エア・ウォーター株式会社
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公开(公告)号：JP6266490B2
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：JP2014224076
申请日：2014-11-04
Applicant: エア・ウォーター株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L29/47 , H01L21/205 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/267 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02447 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02598 , H01L21/0262 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/207 , H01L29/66212 , H01L29/872
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