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公开(公告)号：JP2017003281A
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：JP2015114134
申请日：2015-06-04
Applicant: 株式会社日本自動車部品総合研究所 , 株式会社デンソー , 学校法人トヨタ学園
CPC classification number: G06K9/6215 , G06K9/4604 , G06K9/6202 , G06T7/593 , G06T2207/20016
Abstract: 【課題】複数の画像間の対応点を探索する対応点探索方法において、利用する画像に拘わらず、より精度よく対応点の探索ができるようにする。 【解決手段】本発明の対応点探索方法においては、予め設定された第1の手法を用いて複数の画像のうちの基準画像中の画素毎に複数の画像間の対応点を探索する。また、第1の手法とは異なる第2の手法を用いて複数の画像のうちの基準画像中の画素毎に複数の画像間の対応点を探索する。そして、第1の手法において利用した基準画像を複数に区分した区分領域毎に、第1の手法による対応点の探索精度が基準値以上であるか否かを判定する(S430)。さらに、探索精度が基準値以上である区分領域にて前記第1の手法による対応点を採用し、探索精度が基準値未満である区分領域にて第2の手法による対応点を採用することで、複数の画像間の対応点を設定する(S420,S440)。 【選択図】図10
Abstract translation: 公开的是搜索对应点的多个图像之间，不管图像的被利用，以便更准确地可以搜索对应点的对应点搜索方法。 在本发明中的相应点的搜索的方法，以通过使用预先设定的第一种方法中搜索针对所述多个图像中的参考图像中的每个像素图像之间的对应点。 此外，要搜索的多个具有不同第二种方法第一种方法图像中的参考图像中的每个像素的多个图像之间的对应点。 然后，将基准图像分类是为每个区域到利用所述第一方法的多个分类，它确定第一种方法的相应点的搜索精度或大于基准值（S430）更大。 此外，通过第一种方法由分割区域搜索精度所采用的对应点是比基准值以上的情况下，在分割区域的搜索精度是通过根据第二种方法采用的对应点比基准值以下 时，它设置的多个图像（S420，S440）之间的对应点。 .The 10
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公开(公告)号：JP2016193138A
公开(公告)日：2016-11-17
申请号：JP2015075301
申请日：2015-04-01
Applicant: 学校法人トヨタ学園 , 株式会社今仙技術研究所
Abstract: 【課題】使用者にかかる負荷を従来と比較して大きく低減することができる4足歩行型歩行支援機を提供する。 【解決手段】使用者の腰に装着される腰宛部材15と、使用者の上腿の側方に配置される上腿支持部材23と、使用者の下腿の側方に配置される下腿支持部材22と、使用者の足を支持する足支持部21と、を備えた左右の後脚部材10と、使用者が把持する把持部を有し使用者の右前方に略垂直に配置される右前脚部材と、使用者が把持する把持部を有し使用者の左前方に略垂直に配置される左前脚部材と、を有する前脚部材50と、を備えた。 【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种四倍式步行支撑机，其能够比常规的减轻对使用者的负担。解决方案：四足式步行支撑机器包括：左右后腿部件10，其包括 安装在使用者的腰部的腰垫部件15，布置在使用者的大腿侧的上部大腿支撑部件23，配置在使用者的大腿侧的下部大腿部支撑部件22，以及用于支撑的脚部支撑部件21 用户脚; 以及前腿构件50，其包括右前腿构件，该右前腿构件包括由使用者握持并且大致垂直地布置在使用者右侧的手柄部分的左前腿构件和包括由使用者握持的握持部的左前腿构件 大致垂直地在用户左侧的前面。选择图：图2
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公开(公告)号：JP2016117615A
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：JP2014258162
申请日：2014-12-22
Applicant: 日星電気株式会社 , トヨタ自動車株式会社 , 学校法人トヨタ学園
Inventor： 西川 慎二 , 岡崎 朋也 , 齋藤 和也 , Edson 晴彦 関谷
IPC: C03B37/018
CPC classification number: C03B37/01807
Abstract: 【課題】MCVD法を用いて希土類が添加された光ファイバ母材を製造する際、先端への反応生成物の付着による汚れや、母材のコアへの不純物混入を抑制するガス供給ノズルおよび光ファイバ母材製造装置を提供する。 【解決手段】加熱ヒータ11を中心軸として、間隔をおいて内側筒部12と少なくとも1つの外側筒部13を同心円状に設けることで、反応性ガス9a流路14と添加剤ガス9b流路15とが形成されたガス供給ノズルにおいて、内側筒部12の先端部を外側筒部13の先端部より飛び出させる光ファイバ母材製造装置。内側筒部12の先端に先細りのテーパー状になった石英ガラス製のキャップを設けられているガス供給装置。 【選択図】図3
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种气体供应喷嘴，当具有添加的稀土的预成型体使用以下方法制造时，能够抑制由于反应产物对尖端的粘附而引起的污染或杂质混入到光纤预制棒的芯中 MCVD方法和用于制造光纤预制件的装置。解决方案：一种用于制造光纤预制棒的装置，包括：气体供给喷嘴，其具有：用于反应气体9a的流路14和形成的附加气体9b的流路15 通过使用加热器11作为中心轴，以间隔同心地设置内侧圆柱形部分12和至少一个外侧圆柱形部分13; 内侧圆柱形部分12的顶端部分从外侧圆柱形部分13的顶端部分突出。气体供应装置在内侧圆柱形部分12的顶端具有锥形石英玻璃盖。选择的图示：图3
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公开(公告)号：JP2016054994A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2014184835
申请日：2014-09-11
Applicant: トヨタ自動車株式会社 , 学校法人トヨタ学園
IPC: A61H1/02
Abstract: 【課題】リアルタイムで患者の運動を推定することが可能な運動推定装置を提供することである。 【解決手段】本発明にかかる運動推定装置1は、患者19によって操作される操作部11と、操作部11の操作量を検出する操作量検出部13と、患者19の生体信号を検出する生体信号検出部14と、患者19の運動を推定する運動推定部16と、を有する。運動推定部16は、操作量21を用いて算出された患者19の運動量の真値yと生体信号検出部14で検出された生体信号emg i k とを用いてスパースな重みベクトルθ h を生成する重みベクトル生成部40と、重みベクトル生成部40で生成されたスパースな重みベクトルθ h と患者19がリハビリテーションを行っている際にリアルタイムで検出された生体信号emg i k とを用いて患者19の運動推定値y h を生成する運動推定値生成部50と、を備える。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供能够实时估计患者的运动的运动估计装置。解决方案：运动估计装置1包括：由患者19操作的手术部11; 用于检测操作部11的操作量的操作量检测部13; 以及用于检测患者19的生物信号的生物信号检测部分14; 以及用于估计患者19的运动的运动估计部分16.运动估计部分16包括：加权矢量产生部分40，用于产生稀疏权重矢量θ，其使用从操作计算出的患者19的运动量的真实值y 并使用生物信号检测部分14检测出的生物信号; 以及运动估计值生成部50，用于使用由权重向量生成部40生成的稀疏权重矢量θ生成患者19的运动估计值y，并且当患者19进行康复时使用实时检测到的生物信号 图1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP5894123B2
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：JP2013148848
申请日：2013-07-17
Applicant: トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 学校法人トヨタ学園
CPC classification number: H01F7/20 , H01F27/345 , H01F5/00 , F16D27/112
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公开(公告)号：JP2016008847A
公开(公告)日：2016-01-18
申请号：JP2014128321
申请日：2014-06-23
Applicant: 株式会社日本自動車部品総合研究所 , 株式会社デンソー , 学校法人トヨタ学園
Inventor： ロン チャン , 三田 誠一 , 石丸 和寿 , テヘラニニ ホセイン
IPC: G01C3/06
CPC classification number: G01C3/06
Abstract: 【課題】特定物標の認識結果や既知の校正用物体を用いずに、ステレオ画像間の垂直方向のずれを補正するための技術を提供する。 【解決手段】測距補正装置は、ステレオカメラにより撮像された複数の撮像画像からなるステレオ画像を取得する(S1)。そして、ステレオ画像間の垂直方向のずれを補正するための補正パラメータを用いて、S1で取得されたステレオ画像を相互に平行化する。つぎに、S2で平行化されたステレオ画像から、ステレオマッチングによりステレオ画像間の水平視差の分布を算出する(S3)。そして、S1で取得されたステレオ画像と、S3で算出された水平視差の分布とに基づいて、ステレオ画像間の垂直方向のずれの分布を算出し(S4)、その算出した垂直方向のずれの分布に基づいて、既存の補正パラメータを更新する(S6)。 【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题：提供校正立体图像之间的垂直位移的技术，而不使用识别特定目标或现有校正对象的结果。解决方案：测距校正装置获取由多个图像形成的立体图像， 立体相机（S1）通过使用用于校正立体图像之间的垂直位移的校正参数在S1中获取的立体图像并行化，通过立体匹配来计算立体图像之间的水平视差的分布， S3）基于在S1中获取的立体图像和在S3中计算的水平视差分布来计算立体图像之间的垂直位移的分布（S4）; 并根据计算出的垂直位移分布更新现有的校正参数（S6）。
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公开(公告)号：JP2015221073A
公开(公告)日：2015-12-10
申请号：JP2014105991
申请日：2014-05-22
Applicant: トヨタ自動車株式会社 , 学校法人トヨタ学園
IPC: A61H1/02
CPC classification number: G06F19/3481 , A61H1/0277 , A61H1/0281 , A61H1/0285 , A61H2001/0207 , A61H2201/1215 , A61H2201/1635 , A61H2201/1659 , A61H2201/1671 , A61H2201/1673 , A61H2201/5007 , A61H2201/5043 , A61H2201/5061 , A61H2201/5069 , A61H2201/5094 , A61H2201/5097
Abstract: 【課題】被験者の姿勢に応じた最適なリハビリテーション訓練を行うこと。 【解決手段】リハビリテーション装置は、被験者によって操作される操作手段と、操作手段の操作量を検出する操作量検出手段と、操作手段を駆動する駆動手段と、駆動手段の駆動を制御する制御手段と、被験者の姿勢を検出する姿勢検出手段と、操作手段に作用する外力を検出する外力検出手段と、操作手段の操作目標位置を表示する表示手段と、を備える。制御手段は、姿勢検出手段により検出された姿勢に基づいて、被験者の身体の可操作性を示す可操作楕円を算出し、可操作楕円に基づいて操作目標位置を算出すると共に、外力検出手段により検出された外力と、操作目標位置と、に基づいて、操作手段に対する操作量の目標値を算出し、該操作量の目標値に操作量検出手段により検出された操作量が追従するように駆動手段を制御する。 【選択図】図3
Abstract translation: 要解决的问题：根据受试者的姿势进行最佳康复训练。解决方案：康复设备包括：由受试者操作的操作装置; 操作量检测装置，用于检测操作装置的操作量; 用于驱动操作装置的驱动装置; 用于控制驱动装置的驱动的控制装置; 用于检测被检体的姿势的姿势检测单元; 用于检测施加到操作装置的外力的外力检测装置; 以及显示装置，用于显示操作装置的操作目标位置。 控制装置根据由姿态检测装置检测出的姿势，计算出显示被检体的可操作性的可操作的椭圆，基于可操作的椭圆来计算操作对象位置，使用 基于由外力检测装置检测到的外力和操作对象位置对操作装置的控制，并且控制驱动装置，使得由操作量检测装置检测的操作量遵循操作量的目标值 。
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公开(公告)号：JP2015149360A
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：JP2014020647
申请日：2014-02-05
Applicant: トヨタ自動車株式会社 , 学校法人トヨタ学園
IPC: H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/338
Abstract: 【課題】化合物半導体FETの高いゲート閾値電圧と低いオン電圧を両立させる。 【解決手段】化合物半導体FETは、半導体基板20と、半導体基板20の表面に、直接、または他の層を介して接続されている、ソース電極42と、ゲート電極44と、ドレイン電極46と、バックゲート電極48を有する。半導体基板20内には、二次元電子ガスと二次元ホールガスのいずれか一方である深部キャリアガス層25bと、二次元電子ガスと二次元ホールガスのいずれか他方であり、深部キャリアガス層25bよりも半導体基板20の表面側であって深部キャリアガス層25bと対向する位置に配置されている表面側キャリアガス層27bが存在している。バックゲート電極48は、深部キャリアガス層25bと導通している。ゲート電極44の下側において、深部キャリアガス層25bのキャリア濃度が、表面側キャリアガス層27bのキャリア濃度よりも高い。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：为了实现化合物半导体FET的高栅极阈值电压和低导通电压两者。解决方案：化合物半导体FET包括：半导体衬底20; 源电极42直接或经由连接到半导体衬底20的表面的另一层; 栅电极44; 漏电极46; 和背栅电极48.作为二维电子气体或二维空穴气体中的任一种的深载体层25b; 和作为二维电子气体或二维空穴气体中的另一方的前侧载气层27b，配置在比深载体层25b更靠近半导体基板20的表面侧的位置， 到深载体层25b处在半导体衬底20中。背栅电极48电连接到深载体层25b。 在栅电极44的下侧，深载体层25b的载流子浓度高于前侧载气层27b的载流子浓度。
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公开(公告)号：JP2015149359A
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：JP2014020635
申请日：2014-02-05
Applicant: トヨタ自動車株式会社 , 学校法人トヨタ学園
IPC: H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/338
Abstract: 【課題】化合物半導体FETの高いゲート閾値電圧と低いオン電圧を両立させる。 【解決手段】化合物半導体FETの半導体基板内には、二次元電子ガスと二次元ホールガスのいずれか一方である深部キャリアガス層25bと、二次元電子ガスと二次元ホールガスのいずれか他方であり、深部キャリアガス層25bよりも半導体基板の表面側であって深部キャリアガス層と対向する位置に配置されている表面側キャリアガス層27bが存在する。ソース電極42とゲート電極44とドレイン電極46は、半導体基板の表面に、直接、または他の層を介して接続されている。バックゲート電極48は、深部キャリアガス層25bと導通している。表面側キャリアガス層27bのキャリア濃度が、ゲート電極44とドレイン電極46の間の領域及びゲート電極44とソース電極42の間の領域のうちの少なくとも一部において、ゲート電極44と対向する領域よりも高い。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：实现化合物半导体FET的高栅极阈值电压和低导通电压两者。解决方案：作为二维电子气体或二维空穴气体之一的深载体层25b; 和作为二维电子气体或二维空穴气体中的另一方的前侧载气层27b，配置在比深载体层25b更靠近半导体基板的表面侧的位置，并与 深载体层，位于化合物半导体FET的半导体衬底中。 源电极42，栅电极44和漏电极46直接或经由连接到半导体衬底的表面的其它层。 背栅电极48与深载体层25b电连接。 前侧载气层27b的载流子浓度高于栅极电极44和漏极电极46之间的区域的至少一部分以及栅极电极44和源极电极42之间的区域的载流子浓度， 到栅电极44。
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