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    13族元素窒化物層の分離方法および複合基板
    46.
    发明专利
    13族元素窒化物層の分離方法および複合基板 有权
    的第13族元素氮化物层分离的方法和复合基板

    公开(公告)号：JP5986702B1

    公开(公告)日：2016-09-06

    申请号：JP2016516109

    申请日：2015-11-25

    Applicant: 日本碍子株式会社

    Inventor： 今井 克宏 ,  岩井 真 ,  下平 孝直

    IPC: C23C16/01 ,  C30B9/12 ,  C30B25/18 ,  C30B33/00 ,  H01L21/205 ,  C30B29/38

    CPC classification number: C23C16/01 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  C30B33/00 ,  C30B9/00 ,  H01L21/205

    Abstract: サファイア基板と、サファイア基板上に設けられた13族元素窒化物層とを備える複合基板を準備する。13族元素窒化物層が窒化ガリウム、窒化アルミニウムまたは窒化ガリウムアルミニウムからなる。複合基板が関係式(1)(2)および(3)を満足する。複合基板に対して、サファイア基板側からレーザー光を照射することで、サファイア基板と13族元素窒化物層との界面の結晶格子結合を分解する。 5.0≦(13族元素窒化物層の平均厚さ(μm)/前記サファイア基板の直径(mm)≦10.0・・・・(1): 0.1≦前記複合基板の反り(mm)×(50/前記複合基板の直径(mm)) 2 ≦0.6・・・・(2): 1.10≦前記13族元素窒化物層の厚さの最大値(μm)/前記13族元素窒化物層の厚さの最小値(μm)・・・・(3) 【選択図】 図1

    Abstract translation: 制备的蓝宝石基板，复合基板和设置在蓝宝石衬底上的第13族元素氮化物层。 第13族元素氮化物层是氮化镓，氮化铝或氮化铝镓。 复合基板满足关系（1）（2）和（3）。 复合衬底，通过照射从蓝宝石基板侧的激光束，分解晶格键在蓝宝石基板和第13族元素氮化物层之间的界面。 5.0≦（平均厚度的13族元素氮化物层（微米）/蓝宝石衬底直径（mm）≦10.0····（1）组成：0.1≦复合基板的翘曲（毫米）×（50 /一 所述复合衬底的直径（mm））2≦0.6····（2）：1.10≦13族元素氮化物层（微米）13族元素氮化物层的/最小厚度的厚度的最大值 值（微米）····（3）装置技术领域1

    13族元素窒化物結晶層および機能素子
    47.
    发明专利
    13族元素窒化物結晶層および機能素子 审中-公开
    第13组元素水晶层和功能装置

    公开(公告)号：JP2016108199A

    公开(公告)日：2016-06-20

    申请号：JP2014249156

    申请日：2014-12-09

    Applicant: 日本碍子株式会社

    Inventor： 今井 克宏 ,  岩井 真 ,  平尾 崇行

    IPC: C30B19/10 ,  C30B29/38

    Abstract: 【課題】結晶層の厚さを薄く、かつ結晶層の表面における転位密度を低減できる13族元素窒化物結晶構造の提供。 【解決手段】13族元素窒化物からなる結晶層2が、種結晶1と結晶層2との界面Iに沿った界面層と、界面層I上に設けられた成長層2cとを有する。界面層が、結晶層の表面へと向かって延びる初期転位3aと、初期転位3aから屈曲して初期転位に対して交差する方向に延びる傾斜転位3b、3cとを有する窒化物結晶層2。窒化物結晶層2は、(10−11)面での成長をなるべく抑え、縦方向への成長を促してm面を発達させる結晶層2の成長初期に続き、成長モードを切り替えて横方向に成長させることにより界面層2bの厚さが小さい(15μm以下)うちに、3c、3bのように転位の屈曲が始まり、しかも、傾斜転位3bは途中で終端するので、結晶層2の全体厚さが小さくても、結晶層2表面における転位密度を小さくすることができる。 【選択図】図3

    Abstract translation: 要解决的问题：提供能够使晶体层变薄并且还降低晶体层表面上的位错密度的13族元素氮化物晶体结构。解决方案：由第13族元素氮化物形成的晶体层2包括： 界面层沿晶种1和晶体层2之间的界面I形成; 以及设置在界面层I上的生长层2c。在氮化物晶体层2中，界面层包括：朝向晶体层的表面延伸的初始位错3a; 以及从初始位错3a弯曲并且在相对于初始位错相交的方向上延伸的倾斜位错3b，3c。 在氮化物晶体层2中，尽可能地抑制（10-11）面的生长，并且在通过促使垂直生长生长m面的晶体层2的初始生长之后，生长 模式切换到水平生长，从而位错开始弯曲，如位错3c，3b那样，而界面层2b的厚度仍然很小（15μm或更小）。 此外，倾斜位错3b终止于生长的中间，因此即使结晶层2的整体厚度较薄，也可以使晶体层2的表面上的位错密度变小。图3

    窒化ガリウム層を含む基板およびその製造方法
    48.
    发明专利
    窒化ガリウム層を含む基板およびその製造方法 有权
    基板以及它们的制造方法，包括氮化镓层

    公开(公告)号：JP5832058B1

    公开(公告)日：2015-12-16

    申请号：JP2015523321

    申请日：2014-12-12

    Applicant: 日本碍子株式会社

    Inventor： 東原 周平 ,  岩井 真 ,  今井 克宏

    IPC: C30B33/12 ,  H01L33/34 ,  H01L21/3065 ,  C30B29/38

    CPC classification number: H01L33/0095 ,  C30B29/406 ,  C30B33/12 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3065 ,  H01L22/12 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/32 ,  C30B19/02 ,  C30B9/10

    Abstract: 窒化ガリウム層を有する基板において、窒化ガリウム層の表面処理後の表面ダメージを低減し、その上に形成する機能素子の品質を改善する。少なくとも窒化ガリウム層を有する基板4を提供する。誘導結合式プラズマ発生装置を具備したプラズマエッチング装置を用い、規格化された直流バイアス電位を−10V/cm 2 以上としてフッ素系ガスを導入し、窒化ガリウム層3の表面3aをドライエッチング処理する。 【選択図】 図1

    Abstract translation: 在具有氮化镓层，以减少所述氮化镓层的表面处理后的表面的损伤，提高其上形成的功能元件的质量的衬底。 提供具有至少氮化镓层的衬底4。 使用具有感应耦合型等离子发生器，它是通过引入一个氟基气体如-10 V /厘米2或更多，GaN层3的处理干式蚀刻的表面3a归一化的DC偏置电位的等离子体蚀刻装置。 点域1

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