公开(公告)号：JP2014518004A

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：JP2014503116

申请日：2012-04-03

Applicant: コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ

Inventor： ジョエル・エイメリ ,  ダミアン・サロモン ,  シャオジュン・チェン ,  クリストフ・デュラン

IPC: H01L21/205 ,  C23C14/04 ,  C23C16/01 ,  C23C16/04 ,  C30B25/02 ,  H01L21/203 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02636 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02661 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/775 ,  H01L29/861 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 特にエレクトロニクスに適用可能な本方法によると、半導体構造体（１２）が第一のガス又は分子流から形成されて、これと同時に又は後に、第二のガス又は分子流が追加されて、構造体の上に誘電体層（１４）をｉｎ ｓｉｔｕで選択的に成長させて、その上に、他の半導体構造体（１５）を第三のガス又は分子流から成長させる。

公开(公告)号：JP5554792B2

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：JP2012021079

申请日：2012-02-02

Applicant: ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd.

Inventor： イ，ジョンラン ,  イ，ジェホ ,  ユン，ヨジン ,  フアン，ウイジン ,  キム，デウォン

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36

CPC classification number: H01L27/15 ,  H01L27/153 ,  H01L27/3281 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/385 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62 ,  H01L51/5253 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00

Abstract: The present invention relates to a light emitting device comprising a substrate (10), an N-type semiconductor layer (20) formed on the substrate (10), and a P-type semiconductor layer (40) formed on the N-type semiconductor layer (20), wherein a side surface including the N-type or P-type semiconductor layer (20,40) has a slope of 20 to 80°from a horizontal plane, and wherein the N-type semiconductor layer of one light emitting cell and the P-type semiconductor layer of another adjacent light emitting cell are electrically connected to each other. Accordingly, there is an advantage in that the characteristics of a light emitting device such as luminous efficiency, external quantum efficiency and extraction efficiency are enhanced and the reliability is secured such that light with high luminous intensity and brightness can be emitted.

Abstract translation: 本发明涉及包括基板（10），形成在基板（10）上的N型半导体层（20）和形成在N型半导体上的P型半导体层（40）的发光器件 层（20），其中包括所述N型或P型半导体层（20,40）的侧表面与水平面具有20至80°的斜率，并且其中一个发光的N型半导体层 另一个相邻的发光单元的P型半导体层彼此电连接。 因此，具有发光效率，外部量子效率，提取效率等发光装置的特性得到提高，可靠性得到确保，能够发出高发光强度和亮度的光的优点。

公开(公告)号：JP2014045197A

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：JP2013175727

申请日：2013-08-27

Applicant: Samsung Electronics Co Ltd ,  三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.

Inventor： CHOI JUN-HEE ,  CHOI BYOUNG LYONG ,  KIM TAE-HO

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/08

CPC classification number: H01L31/03044 ,  B82Y20/00 ,  H01L25/0753 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/047 ,  H01L31/1848 ,  H01L31/1856 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/56 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a flexible semiconductor element and a method of manufacturing the flexible semiconductor element.SOLUTION: A flexible semiconductor element includes: at least one vertical semiconductor element embedded in a flexible material layer; a first electrode formed on a first surface of the flexible material layer; and a second electrode formed on a second surface of the flexible material layer. A method of manufacturing the flexible semiconductor element includes a step of separating a flexible material layer, in which a vertical semiconductor element is embedded, from a substrate by weakening an adhesive force between a substrate layer and a buffer layer by using a difference in coefficients of thermal expansion of the substrate layer and the buffer layer.

Abstract translation: 要解决的问题：提供柔性半导体元件和制造柔性半导体元件的方法。解决方案：柔性半导体元件包括：嵌入柔性材料层中的至少一个垂直半导体元件; 形成在柔性材料层的第一表面上的第一电极; 以及形成在柔性材料层的第二表面上的第二电极。 一种制造柔性半导体元件的方法包括以下步骤：通过使用系数差异来削弱衬底层和缓冲层之间的粘合力，从衬底分离其中嵌有垂直半导体元件的柔性材料层 衬底层和缓冲层的热膨胀。

公开(公告)号：JP5437171B2

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：JP2010131987

申请日：2010-06-09

Applicant: エルジー イノテック カンパニー リミテッド

Inventor： ジョン，ワンヒ ,  イ，サンヨル ,  ソン，ジュンオ ,  オ，チャンフン ,  チョイ，ヒソク ,  チョイ，クワンキ

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/145 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00014

Abstract: A semiconductor light-emitting device (100) is provided. The semiconductor light-emitting device (100) may include a light-emitting structure (135), an electrode (115), an ohmic layer (150), an electrode layer (160), an adhesion layer (170), and a channel layer (140). The light-emitting structure (135) may include a compound semiconductor layer. The electrode (115) may be disposed on the light-emitting structure (135). The ohmic layer (150) may be disposed under the light-emitting structure (135). The electrode layer (160) may include a reflective metal under the ohmic layer (150). The adhesion layer (170) may be disposed under the electrode layer (160). The channel layer (140) may be disposed along a bottom edge of the light-emitting structure (135).

公开(公告)号：JP2013545307A

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：JP2013537226

申请日：2011-10-20

Applicant: コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ

Inventor： リュドルフ バルケネンデ，アブラハム ,  アントニユス フェルスフーレン，マルキュス ,  イミンク，ヘオルヘ

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/04 ,  H01L33/32 ,  H01S5/343 ,  H01S5/42

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L27/156 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: The present invention discloses a method for manufacturing a solid state light emitting device having a plurality of light-sources, the method comprising the steps of: providing a substrate having a growth surface; providing a mask layer on the growth surface, the mask layer having a plurality of openings through which the growth surface is exposed, wherein a largest lateral dimension of each of said openings is less than 0.3 mum and wherein the mask layer may comprise a first mask layer portion and a second mask layer portion, having the same surface area and comprising a plurality of openings wherein the first mask layer portion exhibits a first ratio between an exposed area of the growth surface and an unexposed area of the growth surface, and wherein the second mask layer portion exhibits a second ratio between an exposed area of the growth surface and an unexposed area of said growth surface, the second ratio being different from the first ratio; growing a base structure on the growth surface in each of the openings of the mask layer; and growing at least one light-generating quantum well layer on the surface of each of the base structures.

公开(公告)号：JP2013247366A

公开(公告)日：2013-12-09

申请号：JP2013110249

申请日：2013-05-24

Applicant: Samsung Electronics Co Ltd ,  三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.

Inventor： SEO JONG UK ,  SIM EUN DEOK ,  LEE SANG DON ,  HONG HYUN KWON

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/30 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L33/22 ,  H01L33/30 ,  H01L33/44

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor light emitting element.SOLUTION: A semiconductor light emitting element comprises: first and second conductive semiconductor layers having compositions of AlGaInP (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) or AlGaAs (0≤z≤1); and an active layer interposed between the first and second conductive semiconductor layers. At least one of the first and second conductive semiconductor layers comprises a low refractive index surface layer having a composition of (AlGa)InP (0.7≤v≤1) or AlInP (0≤w≤1) and having unevenness formed on at least a portion of a surface thereof.

Abstract translation: 要解决的问题：提供半导体发光元件。解决方案：半导体发光元件包括：具有AlGaInP（0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+ y）的组成的第一和第二导电半导体层 ≤1）或AlGaAs（0≤z≤1）; 以及置于第一和第二导电半导体层之间的有源层。 第一和第二导电半导体层中的至少一个包括具有（AlGa）InP（0.7≤v≤1）或AlInP（0≤w≤1）的组成的低折射率表面层，并且在至少一个 其表面的一部分。

公开(公告)号：JP2013542616A

公开(公告)日：2013-11-21

申请号：JP2013538131

申请日：2011-11-02

Applicant: オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH

Inventor： マティアス サバシル ,  アレクサンダー リンコフ ,  クリストファー ケルパー ,  マルチン ストラスバーグ ,  マルム ノーヴィン フォン

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/20

CPC classification number: H01L33/02 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L33/42 ,  H01L33/501 ,  H01L33/505 ,  H01L33/508 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0083

Abstract: 本発明は、半導体積層体（２）と変換層（３）とを備えたオプトエレクトロニクス半導体チップ（１０）に関する。 半導体積層体（２）は、放射を生成する活性層（２ａ）を備えている。 変換層（３）は、半導体積層体（２）の放射放出面（２１）に配置されており、この変換層（３）は、活性層（２ａ）によって放出される放射の少なくとも一部分を異なる波長を有する放射に変換するのに適している。 半導体積層体（２）の放射放出面（２１）は第１のナノ構造化部（４）を有し、この第１のナノ構造化部（４）に変換層（３）が配置されている。 さらに、本発明は、このような半導体チップ（１０）を製造する方法に関する。
【選択図】図１Ｄ

公开(公告)号：JP2013229598A

公开(公告)日：2013-11-07

申请号：JP2013081970

申请日：2013-04-10

Applicant: Lg Innotek Co Ltd ,  エルジー イノテック カンパニー リミテッド

Inventor： MOON JI HYUNG

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/22 ,  H01L33/30 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L33/02 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2933/0083 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting element capable of improving the product yield, and a light emitting element package.SOLUTION: The light emitting element includes a first conductive semiconductor layer, an active layer on the first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer on the active layer, a third semiconductor layer between the active layer and the second conductive semiconductor layer, and a light extraction structure on the second conductive semiconductor layer. A top surface of the third semiconductor layer has a Ga-face.

Abstract translation: 要解决的问题：提供能够提高产品成品率的发光元件和发光元件封装。发光元件包括第一导电半导体层，第一导电半导体层上的有源层，第二导电半导体层 有源层上的导电半导体层，有源层和第二导电半导体层之间的第三半导体层，以及第二导电半导体层上的光提取结构。 第三半导体层的顶表面具有Ga-面。

公开(公告)号：JPWO2012008253A1

公开(公告)日：2013-09-09

申请号：JP2012524498

申请日：2011-06-14

Applicant: シャープ株式会社

Inventor： 柴田　晃秀 ,  晃秀 柴田 ,  哲 根岸 ,  哲 根岸 ,  健治 小宮 ,  健治 小宮 ,  善史 矢追 ,  善史 矢追 ,  竹史 塩見 ,  竹史 塩見 ,  岩田　浩 ,  浩 岩田 ,  高橋　明 ,  明 高橋

IPC: H01L33/48 ,  B82B1/00 ,  H01L33/20

CPC classification number: C25D13/00 ,  H01L21/479 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/95 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/156 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/75655 ,  H01L2224/75723 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80143 ,  H01L2224/95101 ,  H01L2224/95145 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

Abstract: この微細な物体の配置方法は、基板準備工程で、第1の電極(111)と第2の電極(112)とが対向する場所で微細な物体(120)が配置される位置が規定される基板(110)を準備し、流体導入工程で、流体(121)を基板(110)上に導入する。流体(121)は、複数の微細な物体(120)を含む。微細な物体(120)は、誘電体で作製した表側層(130)と半導体で作製した裏側層(131)を配向構造として持つダイオード素子である。そして、微細物体配置工程で、第1の電極(111)と第2の電極(112)との間に交流電圧を印加することにより、微細な物体(120)を誘電泳動で第1の電極(111)と第2の電極(112)とが対向する場所(A)で予め定められた位置、かつ表側層(130)を上向きに配置する。

公开(公告)号：JP2013534050A

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：JP2013515558

申请日：2011-06-17

Applicant: グロ アーベーGlo Ab

Inventor： トゥルルス ローグレン，

IPC: H01L33/06 ,  H01L29/41 ,  H01L33/08 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/24 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0058 ,  Y10S977/762 ,  H01L2924/00

Abstract: 発光ダイオード（ＬＥＤ）構造体は、支持層上に並んで配置された複数のデバイスを含む。 各デバイスは、第１の導電型の半導体ナノワイヤコア、および、これを囲う、動作において光を生成するための活性領域をもたらすｐｎ接合またはｐｉｎ接合を形成するための第２の導電型の半導体シェルを含む。 第１の電極層は、複数のデバイスの上に延在し、デバイスの少なくとも上部と電気接触してシェルに接続する。 第１の電極層は、デバイスの間で少なくとも部分的にエアブリッジされる。