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公开(公告)号：JP2017008014A
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：JP2015128335
申请日：2015-06-26
Applicant: サンアプロ株式会社 , 東京応化工業株式会社
IPC: G03F7/004 , C07C381/12
Abstract: 【課題】短波長の光や電子線及びX線等の電離性放射線に対して高い分解効率を有する新たな光酸発生剤の提供。 【解決手段】式(1)で示されるスルホニウム塩及び該スルホニウム塩。 〔R 1 〜R 4 はC1〜4のパーフルオロアルキル、ニトロ等;R 5 はアルキル等〕 【選択図】なし
Abstract translation: 以提供具有用于电离光或电子束和X射线的短波长的辐射具有高分解效率新光酸产生剂。 锍盐和由A表示的锍盐（1）。 [C1 -4，硝基等的R1〜R4全氟烷基; R 5是烷基或等]装置技术领域
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公开(公告)号：JP6442370B2
公开(公告)日：2018-12-19
申请号：JP2015128335
申请日：2015-06-26
Applicant: サンアプロ株式会社 , 東京応化工業株式会社
IPC: G03F7/004 , C07C381/12
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公开(公告)号：JP6986880B2
公开(公告)日：2021-12-22
申请号：JP2017136603
申请日：2017-07-12
Applicant: 東京応化工業株式会社
IPC: G03F7/20 , C08F212/00 , C08F220/30 , C08F232/08 , G03F7/038
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公开(公告)号：JP2017015777A
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：JP2015129169
申请日：2015-06-26
Applicant: 東京応化工業株式会社
IPC: G03F7/039 , C07C381/12 , C08F220/10 , G03F7/004
CPC classification number: C08F216/10 , C07C309/06 , C07C309/12 , C07C309/19 , C07C381/12 , C07C65/10 , G03F7/039 , G03F7/2059 , G03F7/322 , C07C2102/42 , C07C2103/74
Abstract: 【課題】ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、酸拡散制御剤及び高分子化合物の提供。 【解決手段】露光により酸を発生し、かつ、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大するポジ型レジスト組成物であって、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)と、下記一般式(m0)で表される化合物(m)とを含有することを特徴とする、ポジ型レジスト組成物。[式(m0)中、Z 01 〜Z 04 は、電子吸引性の置換基、Rb 21 及びRb 22 は、アルキル基、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基又は水酸基、Rb 1 は、置換基を有していてもよいアリール基、アルキル基又はアルケニル基であり、n1及びn2は、0〜3の整数、X0 - は有機アニオン。] [化1] 【選択図】なし
Abstract translation: 一种正型抗蚀组合物中，抗蚀剂图案形成方法中，提供所述酸扩散控制剂和聚合物化合物。 甲在暴露产生酸和正性抗蚀剂其显示酸的作用下增加在碱性显影溶液中的溶解度的组合物，碱表现出酸的作用下增加在碱显影液的溶解性 与组分（A），其特征在于含有下述通式（M0）（M）表示的化合物，正型抗蚀剂组合物。 其中（M0），Z01〜Z04吸电子基团，RB21和RB22是烷基，其可脂环族取代的烃基或羟基，皂苷Rb1是一个取代的基团 可具有的烷基或链烯基时，n1和n2为0〜3的整数的芳基，X0-有机阴离子。 ] [式1] [技术领域]无
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公开(公告)号：JP6929070B2
公开(公告)日：2021-09-01
申请号：JP2017011712
申请日：2017-01-25
Applicant: 東京応化工業株式会社
IPC: G03F7/004 , C08F220/26 , C08F212/14 , G03F7/20 , G03F7/038
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2019207406A
公开(公告)日：2019-12-05
申请号：JP2019098895
申请日：2019-05-27
Applicant: 東京応化工業株式会社
IPC: G03F7/004 , C07C309/12 , C07C381/12 , G03F7/20 , G03F7/039
Abstract: 【課題】ラフネスがより低減され、かつレジストパターンの断面形状の矩形性を改善できる、レジスト組成物及び当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。 【解決手段】一般式(a0−n−1)で表される部分構造を含む構成単位(a0)と、一般式(bd1)で表される化合物を含有するレジスト組成物。式(a0−n−1)中、R 1 は炭素数1〜12のフッ素化アルキル基である。R 2 はフッ素原子を有してもよい炭素数1〜12の有機基又は水素原子である。式(bd1)中、Rx 1 〜Rx 4 、Ry 1 〜Ry 2 、Rz 1 〜Rz 4 は、炭化水素基もしくは水素原子を表すか、又はそれらが相互に結合して環構造を形成していてもよい。Rx 1 〜Rx 4 、Ry 1 〜Ry 2 及びRz 1 〜Rz 4 のうち少なくとも1個はアニオン基を有する。M m+ は、m価の有機カチオンを表す。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2019174821A
公开(公告)日：2019-10-10
申请号：JP2019094831
申请日：2019-05-20
Applicant: 東京応化工業株式会社
IPC: G03F7/039 , C08F212/14 , C08F220/56 , C08F220/30 , G03F7/20 , G03F7/004
Abstract: 【課題】ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、酸拡散制御剤及び高分子化合物の提供。 【解決手段】露光により酸を発生し、かつ、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大するポジ型レジスト組成物であって、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)と、下記一般式(m0)で表される化合物(m)とを含有することを特徴とする、ポジ型レジスト組成物。[式(m0)中、Z 01 〜Z 04 は、電子吸引性の置換基、Rb 21 及びRb 22 は、アルキル基、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基又は水酸基、Rb 1 は、置換基を有していてもよいアリール基、アルキル基又はアルケニル基であり、n1及びn2は、0〜3の整数、X0 - は有機アニオン。] [化1] 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2021099385A
公开(公告)日：2021-07-01
申请号：JP2019229770
申请日：2019-12-19
Applicant: 東京応化工業株式会社
Abstract: 【課題】高感度化が図れ、かつ、ラフネス等のリソグラフィー特性に優れるレジスト組成物及び当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。 【解決手段】露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と、下記一般式(d0)で表される化合物(D0)と、を含有する、レジスト組成物。Rd 01 は、1価の有機基を表す。Rd 02 は、単結合又は2価の連結基を表す。mは1以上の整数を表し、M m+ はm価の有機カチオンを表す。 [化1] 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP6715375B2
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：JP2019094831
申请日：2019-05-20
Applicant: 東京応化工業株式会社
IPC: G03F7/039 , C08F212/14 , C08F220/56 , C08F220/30 , G03F7/20 , G03F7/004
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公开(公告)号：JP2018120102A
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：JP2017011707
申请日：2017-01-25
Applicant: 東京応化工業株式会社
Abstract: 【課題】特に電子線やEUVによるリソグラフィーにおいて、解像性能の向上が図られたレジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。 【解決手段】一般式(a0−1)で表される化合物から誘導される構成単位を有する高分子化合物(A1)と、特定構造のアニオン部を有するオニウム塩(B1)と、露光により分解して酸拡散制御性を失う光崩壊性塩基(D1)と、を含有するレジスト組成物。式(a0−1)中、Ra x0 は重合性基含有基である。Wa x0 は、(n ax0 +1)価の芳香族炭化水素基である。但し、Ra x0 とWa x0 とで縮合環構造が形成されていてもよい。n ax0 は、1〜3の整数である。Ya x01 は、カルボニル基又は単結合である。Ra x01 は、置換基を有してもよい炭化水素基又は水素原子である。 [化1] 【選択図】なし
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