レジストパターン微細化組成物及び微細パターン形成方法
    2.
    发明专利
    レジストパターン微細化組成物及び微細パターン形成方法 审中-公开
    精细图案的组合和精细图案形成方法

    公开(公告)号:JP2016028274A

    公开(公告)日:2016-02-25

    申请号:JP2015136458

    申请日:2015-07-07

    Abstract: 【課題】レジストパターンを精度よくかつ良好に微細化することができるレジストパターン微細化組成物の提供。 【解決手段】式(1−1)で表されるイオン、式(1−2)で表されるイオン、式(2−1)で表されるイオン、式(2−2)で表されるイオン及び溶媒を含有し、イオンの合計配合量が、溶媒以外の成分の総和に対して50質量%以上であるレジストパターン微細化組成物。 【選択図】図2

    Abstract translation: 要解决的问题:提供可以使抗蚀剂图案精细而有效地形成更精细的抗蚀剂图案的组合物。解决方案:用于更精细抗蚀剂图案的组合物包括由式(1-1)表示的离子,由式 1-2),由式(2-1)表示的离子,由式(2-2)表示的离子和溶剂。 这些离子的总含量相对于溶剂以外的成分的总和为50质量%以上。附图:图2

    レジストパターンの形成方法及び感放射線性樹脂組成物

    公开(公告)号:JP2020008640A

    公开(公告)日:2020-01-16

    申请号:JP2018127573

    申请日:2018-07-04

    Abstract: 【課題】露光工程における感度やLWR性能等において優れた性能を有するレジストパターンの形成方法及び感放射線性樹脂組成物の提供。 【解決手段】基板上に直接又は間接に、フェノール性水酸基を有する構造単位(a1)及び環状構造を含む酸解離性基を有する構造単位(a2)を含む樹脂(A)、放射線の照射により式(1)で表される酸を発生する感放射線性酸発生剤(B)、特定のジフェニルスルホン化合物(C)並びに、溶剤(D)を含む感放射線性樹脂組成物を塗布してレジスト膜を形成する工程(1)、前記レジスト膜を露光する工程(2)、及び、露光された前記レジスト膜を現像する工程(3)を含むレジストパターンの形成方法。 (式中、R p1 は、環構造を含む1価の基等である。)、 【選択図】なし

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