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公开(公告)号：JPWO2012111450A1
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：JP2012557881
申请日：2012-02-02
IPC: G03F7/038 , G03F7/004 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/325 , G03F7/0045 , G03F7/0397 , G03F7/2041
Abstract: 本発明は、有機溶媒現像用フォトレジスト組成物であって、[A]酸解離性基を有する重合体、[B]酸発生体、及び[C]水酸基、カルボキシル基、酸の作用によりカルボキシル基を生じる基及びラクトン構造を有する基からなる群より選ばれる少なくとも1種の基と環構造とを有し、かつ分子量が1,000以下である化合物を含有することを特徴とする。[C]化合物の環構造は多環状の脂環式構造であることが好ましい。[C]化合物は下記式(1)〜(3)でそれぞれ表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物であることが好ましい。
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公开(公告)号：JPWO2009057484A1
公开(公告)日：2011-03-10
申请号：JP2009539020
申请日：2008-10-21
Inventor： 宏和 榊原 , 宏和 榊原 , 誠 志水 , 誠 志水 , 岳彦 成岡 , 岳彦 成岡 , 芳史 大泉 , 芳史 大泉 , 健太郎 原田 , 健太郎 原田 , 琢磨 江畑 , 琢磨 江畑
IPC: G03F7/004 , C08F220/16 , C08F220/22 , C08F220/38 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0397 , C08F220/18 , C08L2312/06 , C09D133/14 , C09D133/16 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/2041 , C08F220/24 , C08F220/38
Abstract: 本発明の目的は、得られるパターン形状が良好であり、液浸露光時に接触した液浸露光用液体への溶出物の量が少なく、レジスト被膜と液浸露光用液体との後退接触角が大きく、且つ現像欠陥が少ない感放射線性樹脂組成物及びそれに用いられる重合体を提供することである。本組成物は、重合体、酸不安定基を含有する樹脂、酸発生剤及び溶剤を含有するものであって、前記重合体は、下記式(1)及び(2)で表される繰り返し単位を含有する。〔R1及びR2は、各々、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示し、R3は少なくとも一つ以上の水素原子がフッ素原子で置換された、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数4〜20の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体を示し、Zは光照射により酸を発生する基を含有する基を示す。〕
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公开(公告)号：JPWO2008149701A1
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：JP2009517795
申请日：2008-05-26
IPC: G03F7/039 , C08F220/28 , C09K3/00 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0397 , C08F220/18 , C08F220/30 , C08F2220/1808 , G03F7/0045 , G03F7/0392
Abstract: 感度に優れると共に、MEEFを良好に維持することができる。下記式(1−1)で示される繰り返し単位および下記式(1−2)で示される繰り返し単位からなる樹脂(A1)と、感放射線性酸発生剤(B)とを含有するマスクエラーファクターを小さくできる感放射線性樹脂組成物。R1、R2、R3はそれぞれ炭素数1〜4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を表し、R4は、水素原子、炭素数2〜4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素数1〜4の直鎖状若しくは分岐状のフッ素化アルキル基、または、炭素数1〜4の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシ基を表し、qは0〜3の整数を表す。
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公开(公告)号：JPWO2005116776A1
公开(公告)日：2008-04-03
申请号：JP2006513875
申请日：2005-05-24
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40 , H01L21/0274
Abstract: フォトレジストを用いて形成されたレジストパターンを熱処理することにより微細パターンを形成するに際し、該レジストパターン上に設けられ、熱処理により、レジストパターンを円滑に収縮させることができると共に、その後のアルカリ水溶液処理により容易に除去し得る樹脂組成物、およびこれを用いて効率よく微細レジストパターンを形成できる。水酸基を含有する樹脂と、架橋成分と、全溶媒に対して10重量%以下の水を含むアルコール溶媒とを含有し、また、上記アルコール溶媒が炭素数1〜8の1価アルコールである。
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公开(公告)号：JP5686109B2
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：JP2012055325
申请日：2012-03-13
IPC: C08F220/26 , C08F212/14 , C08F220/06 , C08F220/54 , C08F228/02 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C08F220/18 , C08F220/26 , C08F220/38 , C08F228/00 , G03F7/2041
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2012053527A1
公开(公告)日：2014-02-24
申请号：JP2012539740
申请日：2011-10-18
IPC: G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/038 , C07C381/12 , C08F220/10 , C08F220/24 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/027 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/30 , G03F7/325 , Y10S430/114 , Y10S430/115
Abstract: 本発明の目的は、現像後の露光部表面のラフネス及びミッシングコンタクトホールの発生を抑制すると共に、解像度、円形性等のリソグラフィー特性に優れるパターン形成方法及びこのパターン形成方法に最適な感放射線性組成物を提供することである。本発明は、(1)感放射線性組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、(2)露光工程、及び(3)現像工程を含むパターン形成方法であって、上記(3)現像工程における現像液が有機溶媒を80質量%以上含有し、上記感放射線性組成物が、[A]酸解離性基を有する構造単位を含む重合体、及び[B]感放射線性酸発生体を含む2以上の成分を含有し、上記感放射線性組成物中のいずれかの成分が下記式(1)で表される基を有することを特徴とするパターン形成方法である。
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公开(公告)号：JPWO2012049919A1
公开(公告)日：2014-02-24
申请号：JP2012538604
申请日：2011-09-05
CPC classification number: G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/325
Abstract: 本発明は、有機溶媒を含有する現像液を用いるレジストパターン形成方法において、レジスト膜のパターン形成後の膜減りを抑制することができると共に、CDU、MEEFに優れるレジストパターンを形成することができ、解像性も十分満足する感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたレジストパターン形成方法を提供することを目的とする。本発明は、(1)感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布するレジスト膜形成工程、(2)露光工程、及び(3)有機溶媒を80質量%以上含有する現像液を用いる現像工程を有するレジストパターン形成方法であって、上記感放射線性樹脂組成物が、[A]ポリスチレン換算重量平均分子量が6,000を超え、酸解離性基を含む構造単位を有し、水酸基を含む構造単位の含有割合が5モル%未満である重合体、及び[B]感放射線性酸発生体を含有することを特徴とする。
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公开(公告)号：JPWO2011158687A1
公开(公告)日：2013-08-19
申请号：JP2012520377
申请日：2011-06-06
IPC: G03F7/038 , C08F220/16 , C08F220/28 , G03F7/039 , G03F7/32 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/325
Abstract: 本発明は、IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程等に使用される高精度な微細パターンを安定的に形成する方法、上記方法に用いられる感放射線性樹脂組成物を提供することを課題とする。上記課題を解決するためになされた発明は、(1)感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程、(2)上記レジスト膜を露光する工程、及び(3)上記露光されたレジスト膜を現像液で現像する工程を有するホール又はトレンチを含むパターンの形成方法であって、上記感放射線性樹脂組成物が、[A]カルボキシ基を有する構造単位の含有率が10モル%以下であり、かつ酸の作用により極性が増大する重合体を含有し、上記現像液が有機溶媒を含有することを特徴とするパターン形成方法である。
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公开(公告)号：JPWO2009142183A1
公开(公告)日：2011-09-29
申请号：JP2010513015
申请日：2009-05-18
Inventor： 宏和 榊原 , 宏和 榊原 , 岳彦 成岡 , 岳彦 成岡 , 誠 志水 , 誠 志水 , 西村 幸生 , 幸生 西村 , 信司 松村 , 信司 松村 , 裕介 浅野 , 裕介 浅野
CPC classification number: C07C69/96 , C08F220/18 , C08F220/22 , C08F220/24 , C08F220/26 , C09D133/18 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041
Abstract: 本発明の目的は、得られるパターン形状が良好であり、液浸露光時に液浸露光用液体への溶出物の量が少なく、後退接触角が大きく、且つ現像欠陥が少ない感放射線性組成物を提供することである。本発明の感放射線性組成物は、下記一般式(1)で表される化合物に由来する繰り返し単位(1)を有するフッ素含有重合体と、溶剤とを含有する。(一般式(1)中、R1はメチル基等を示し、R2は、1−メチルエチレン基等を示し、R3は相互に独立に、炭素数1〜4のアルキル基等を示し、Xは、炭素数1〜20のフルオロアルキレン基を示す。)
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公开(公告)号：JP5655781B2
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：JP2011519769
申请日：2010-06-14
CPC classification number: G03F7/0045 , C08F8/34 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F220/38 , G03F7/0046 , G03F7/029 , G03F7/039 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , Y10S430/111 , Y10S430/12 , Y10S430/122 , Y10S430/126
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