リフトオフ方法
    4.
    发明专利
    リフトオフ方法 有权
    提升方法

    公开(公告)号:JP2015217421A

    公开(公告)日:2015-12-07

    申请号:JP2014103522

    申请日:2014-05-19

    摘要: 【課題】バッファー層を十分に破壊することができない場合でもエピタキシー基板を円滑に剥離することができるリフトオフ方法を提供する。 【解決手段】エピタキシー基板の表面にバッファー層を介して光デバイス層が積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を、移設基板に移し替えるリフトオフ方法であって、光デバイスウエーハの光デバイス層の表面に接合材を介して移設基板を接合して複合基板を形成する移設基板接合工程と、複合基板を構成する光デバイスウエーハのエピタキシー基板の裏面側からバッファー層にエピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファー層に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射し、バッファー層を破壊するバッファー層破壊工程と、バッファー層破壊工程を実施した後に、エピタキシー基板を光デバイス層から剥離して光デバイス層を移設基板に移設する光デバイス層移設工程とを含み、光デバイス層移設工程は、複合基板に超音波振動を付与して実施する。 【選択図】図6

    摘要翻译: 要解决的问题:提供即使在缓冲层不能充分破裂的情况下也可以平滑地除去外延基板的剥离方法。解决方案:用于传送光学器件晶片的光学器件层的剥离方法 其中光学器件层经由外延衬底的表面上的缓冲层层压到转印衬底上,包括:转印衬底接合工艺,其通过接合材料将转印衬底连接到光学器件的表面而形成复合衬底 光学器件晶片的器件层; 通过发射具有相对于外延衬底具有磁导率的波长的脉冲层束和从构成光学器件晶片的外延衬底的外表面侧的相对于缓冲层的吸收而破坏缓冲层的缓冲层断裂处理 复合衬底到缓冲层; 以及通过在实施缓冲层断裂处理之后从光学器件层去除外延衬底而将光学器件层转移到转移衬底的光学器件层转移工艺。 通过对复合衬底施加超声波振动来实现光学器件层转移过程。

    表示装置の作製方法、および電子機器の作製方法
    5.
    发明专利
    表示装置の作製方法、および電子機器の作製方法 有权
    显示器件制造方法和电子设备制造方法

    公开(公告)号:JP2015181099A

    公开(公告)日:2015-10-15

    申请号:JP2015036037

    申请日:2015-02-26

    摘要: 【課題】信頼性の良好な作製方法を提供する。 【解決手段】第1の基板の第1の表面上に第1の層、第1の絶縁層、電極、第2の絶縁層、表示素子を設ける工程と、第2の基板の第2の表面上に第2の層、第3の絶縁層を設ける工程と、第2の層および第3の絶縁層の一部を除去して開口を設ける工程と、第1の表面と第2の表面を向かい合わせ、電極と開口が重なる領域を有するように接着層を介して第1の基板と第2の基板を重ねる工程と、第1の基板を第1の層とともに第1の絶縁層から剥離する工程と、第1の絶縁層と重ねて第3の基板を設ける工程と、第2の基板を第2の層とともに第3の絶縁層から剥離する工程と、第3の絶縁層と第4の基板とが重なるように第4の基板を設ける工程を有し、第2の基板を剥離する工程において、接着層の一部と第2の絶縁層の一部を第2の基板とともに剥離する。 【選択図】図10

    摘要翻译: 要解决的问题:提供具有良好可靠性的制造方法。解决方案:制造方法包括:在第一基板,第一层,第一绝缘层,电极,第二绝缘层的第一表面上形成工艺 和显示元件; 在第二基板,第二层和第三绝缘层的第二表面上形成的工艺; 去除第二层的一部分和第三绝缘层的一部分以形成开口的过程; 面对第一表面和第二表面的过程,经由粘合剂层与第二基板重叠,从而具有电极和开口彼此重叠的区域; 与第一层一起从第一绝缘层剥离第一基板的工序; 通过使第三基板与第一绝缘层重叠而形成第三基板的工艺; 将第二基板与第二层一起从第三绝缘层剥离的工序; 以及以使得第三绝缘层和第四基板彼此重叠的方式形成第四基板的工艺。 在剥离第二基板的过程中,粘合层的一部分和第二绝缘层的一部分与第二基板一起剥离。