公开(公告)号：JP2017524249A

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：JP2017502800

申请日：2015-07-17

申请人： キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション ,  キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション

发明人： イバノフ ローマン ,  イバノフ ローマン ,  コ チュヨン−ユエン ,  コ チュヨン−ユエン ,  サン フレッド ,  サン フレッド

IPC分类号： H01L21/304 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/36

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D3/0073 ,  C11D3/0084 ,  C11D7/10 ,  C11D7/264 ,  C11D7/265 ,  C11D7/267 ,  C11D7/268 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3272 ,  C11D7/36 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

摘要： 本発明は、化学機械研磨後の半導体ウェハから不純物を洗浄する組成物を提供する。洗浄組成物は、嵩高い保護配位子、有機アミン、有機抑制剤、及び水を含む。本発明は、該洗浄組成物の使用方法も提供する。【選択図】図2

公开(公告)号：JP5848758B2

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：JP2013515325

申请日：2011-01-27

申请人： ボシュ・アンド・ロム・インコーポレイテッド ,  BAUSCH & LOMB INCORPORATED

发明人： キンバリー アン ミラルド ,  アーニング シャ ,  スザンヌ エフ.グロミンガー ,  ジェニリー キルバリー

IPC分类号： C08K3/20 ,  C08K5/20 ,  C08L71/00 ,  A61L2/18 ,  G02C13/00

CPC分类号： A61L12/124 ,  C11D3/0078 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/06 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3272

公开(公告)号：JP2015099831A

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：JP2013238344

申请日：2013-11-18

申请人： 富士フイルム株式会社

发明人： 上村 哲也 ,  杉島 泰雄 ,  水谷 篤史

IPC分类号： G03F7/32 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L21/02057 ,  B08B3/041 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  B08B7/0035 ,  B08B9/00 ,  C11D11/0047 ,  C11D3/0073 ,  C11D3/3719 ,  C11D3/3723 ,  C11D3/3773 ,  C11D3/3776 ,  C11D7/261 ,  C11D7/265 ,  C11D7/267 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3272 ,  C11D7/3281 ,  G03F7/425 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857

摘要： 【課題】ゲルマニウムを含む層を有する半導体基板に対して適用し、そのゲルマニウムの損傷を抑制ないし防止して、その上側の有機物の除去あるいは基板表面の洗浄を好適に行うことができる処理液、処理方法、これらを用いた半導体基板製品の製造方法を提供する。 【解決手段】ゲルマニウム(Ge)を含むGe含有層を有する半導体基板から上記半導体基板上側の有機物を除去する、あるいはその表面を洗浄する処理液であって、処理液をpH5〜16の範囲とする薬液成分と、Ge含有層を防食するための防食成分とを含む半導体基板の処理液。 【選択図】なし

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种应用于具有含有锗的层的半导体衬底的处理液和处理方法，可以抑制或防止对锗的损害，并且可以适当地去除其上侧的有机物质或清洁 衬底表面，并提供使用它们制造半导体衬底产品的方法。解决方案：提供了一种用于去除半导体衬底的有机物的半导体衬底的处理液，该半导体衬底具有含锗的含锗层 （Ge），从半导体衬底或用于清洁其表面。 处理液含有使处理液的pH在5〜16的范围内的药液成分; 以及用于防止含Ge层腐蚀的防腐蚀成分。

公开(公告)号：JP2014522288A

公开(公告)日：2014-09-04

申请号：JP2014515316

申请日：2012-06-08

申请人： エコラボ ユーエスエー インコーポレイティド

发明人： ジェイ．ミラレス アルトニー ,  ファン ミッシェル ,  クルーガー ジョン

IPC分类号： A47L15/00 ,  C11D3/20 ,  C11D3/34 ,  C11D7/26 ,  C11D7/34

CPC分类号： C11D3/2082 ,  A47L15/0002 ,  A47L2601/20 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/323 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3272 ,  C11D11/0023

摘要： 食器からのコーヒーおよび茶の汚れの除去への新規な取り組みが開示されている。 タンニンによって引き起こされる茶、コーヒーおよび他の汚れは、特に除去が困難であり、そして慣用の技術は、過酷な処理を含んでおり、その処理は、漂白剤または他の環境に望ましくない化学薬品、例えば、リン酸塩、ＥＤＴＡ、ＮＴＡまたはアミノカルボン酸塩を用いている。 本願出願人は、汚れた食器、例えばセラミック磁気製品などのアルカリ洗浄に先立つ酸すすぎが、時を経たコーヒーおよび茶の汚れでさえも、１００％まで除去することができることを見出した。

摘要翻译： 公开了从菜肴中去除咖啡和茶渍的新颖方法。 由单宁引起的茶，咖啡和其他污渍特别难以去除，而传统技术包括使用漂白剂的苛刻处理，或其他环境不利的化学品如磷酸盐，EDTA，NTA或其它氨基羧酸盐。 申请人已经发现在碱性清洁染色餐具如陶瓷瓷等之前的酸洗可以除去高达百分之百的老年咖啡和茶渍。

公开(公告)号：JP4255839B2

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：JP2003566604

申请日：2003-01-31

申请人： 株式会社オフテクス

发明人： 千尋 中道 ,  文郎 斉藤 ,  謙 梅田 ,  大治 田尻 ,  正明 藤田 ,  晋治 西村

IPC分类号： G02C13/00 ,  A01N25/02 ,  A01N47/44 ,  A61L2/18 ,  A61L12/08 ,  A61L12/14 ,  C11D3/00 ,  C11D3/06 ,  C11D3/26 ,  C11D3/37 ,  C11D3/48 ,  C11D7/16 ,  C11D7/32

CPC分类号： A61L12/142 ,  A61L12/14 ,  A61L12/143 ,  C11D3/0078 ,  C11D3/3719 ,  C11D3/48 ,  C11D7/16 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3272

公开(公告)号：JP4138891B2

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：JP54278298

申请日：1998-03-17

申请人： イーケーシー テクノロジー,インコーポレイティド

发明人： ジェシー チェン，ツェフェイ ,  ムン リー，ウェイ

IPC分类号： H01L21/304 ,  B08B3/08 ,  B24B37/04 ,  C09D9/00 ,  C11D3/20 ,  C11D3/30 ,  C11D3/34 ,  C11D3/43 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  C11D11/00 ,  C23G1/10 ,  C23G1/20 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

CPC分类号： B24B37/042 ,  B08B3/08 ,  C09D9/00 ,  C11D3/2058 ,  C11D3/2065 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/30 ,  C11D3/3427 ,  C11D3/3472 ,  C11D3/43 ,  C11D7/261 ,  C11D7/263 ,  C11D7/265 ,  C11D7/267 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3227 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3254 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3272 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0047 ,  C11D11/0052 ,  C23G1/103 ,  C23G1/205 ,  G03F7/42 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76885

公开(公告)号：JP2007016232A

公开(公告)日：2007-01-25

申请号：JP2006172611

申请日：2006-06-22

申请人： Air Products & Chemicals Inc ,  エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドAir Products And Chemicals Incorporated

发明人： EGBE MATTHEW I ,  LEGENZA MICHAEL W

IPC分类号： C11D7/32 ,  B08B3/08 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  G03F7/42 ,  H01L21/304

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3272 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31133

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an aqueous cleaning composition used for removing undesired organic and inorganic residues and pollutants from substrates such as semiconductor substrates.
SOLUTION: This cleaning composition comprises about 0.01 to about 40 wt.% of a guanidium salt, acetamidinium salt, formamidinium salt or their mixture, water, and optionally a water-soluble organic solvent. This composition does not contain an oxidizing agent and polishing particles, and has an ability to remove residues from substrates, especially substrates having silicon-containing BARC and/or photoresist residues.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种用于从诸如半导体衬底的衬底去除不需要的有机和无机残留物和污染物的水性清洁组合物。 解决方案：该清洁组合物包含约0.01至约40重量％的胍盐，乙脒盐，甲脒盐或其混合物，水和任选的水溶性有机溶剂。 该组合物不含有氧化剂和抛光颗粒，并且具有从底物，特别是具有含硅BARC和/或光致抗蚀剂残余物的底物除去残余物的能力。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2004031890A

公开(公告)日：2004-01-29

申请号：JP2002350780

申请日：2002-12-03

申请人： Advanced Technol Materials Inc ,  アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド

发明人： WOJTCZAK WILLIAM A ,  SEIJO MA FATIMA ,  BERNHARD DAVID ,  NGUYEN LONG

IPC分类号： C11D7/08 ,  C11D3/20 ,  C11D7/02 ,  C11D7/26 ,  C11D7/28 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  C11D7/60 ,  C11D11/00 ,  C23G5/02 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/02063 ,  C11D3/2072 ,  C11D7/02 ,  C11D7/261 ,  C11D7/264 ,  C11D7/265 ,  C11D7/266 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3272 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5009 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0047 ,  C23G5/02 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a chemical composition for effectively removing a residue such as an inorganic residue from a semiconductor wafer including an elaborate communicating body structure of copper after a resist ashing step.
SOLUTION: The semiconductor wafer washing composition contains organic amine in 2-98wt.%, water in 0-50wt.%, a 1,3-dicarbonyl compound chelating agent in 0.1-60wt.%, additional different chelating agents in 0-25wt.%, a nitrogen-containing carboxylic acid or an imine in 0.1-40wt.%, and a polarizable organic solvent in 2-98wt.%.
COPYRIGHT: (C)2004,JPO

公开(公告)号：JP2018521231A

公开(公告)日：2018-08-02

申请号：JP2017561905

申请日：2016-05-25

申请人： ザ プロクター アンド ギャンブル カンパニー

发明人： ジュリア、オッタビア、ビアンケッティ ,  コニー、エルナ、アリス、ジョース ,  オラフ、ピーター、ドラ、トニー、カイジャー

IPC分类号： D06M13/46 ,  D06M23/12 ,  D06M13/127 ,  D06M13/432

CPC分类号： C11D3/505 ,  C11B9/00 ,  C11D3/0015 ,  C11D3/323 ,  C11D3/50 ,  C11D7/3272

摘要： カチオン性、非イオン性及び/又はアニオン性コーティングを有するマイクロカプセルと、当該マイクロカプセルの成分を含み得るホルムアルデヒド源と、ホルムアルデヒドスカベンジャーと、を含む、流体布地強化剤組成物、並びにこのような流体布地強化剤組成物を作製及び使用する方法。このような流体布地強化剤組成物は、経時的により一貫してホルムアルデヒドを捕捉するホルムアルデヒド捕捉系を含有する。

公开(公告)号：JP5972977B2

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：JP2014529998

申请日：2012-09-13

申请人： ザ プロクター アンド ギャンブル カンパニー

发明人： フアン、フェリペ、ミラベト、セラデス ,  ベアトリウ、エスクデル、ヒル ,  ビンセント、ホセプ、ネボト−カルダ ,  ヨハン、スメッツ ,  ピーター、ジャン、マリア、サベイン ,  スサナ、フェルナンデス、プリエト

IPC分类号： C07C237/10 ,  C07C237/20 ,  D06M13/402

CPC分类号： C11D3/32 ,  C11D17/0026 ,  C11D17/003 ,  C11D3/0015 ,  C11D3/323 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3272