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公开(公告)号:JP6432072B2
公开(公告)日:2018-12-05
申请号:JP2017529473
申请日:2016-03-22
申请人: 凸版印刷株式会社
CPC分类号: H01L51/0011 , B05C21/005 , C23C14/042 , C23F1/02 , C23F1/16 , H01L51/56 , H05B33/10
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公开(公告)号:JP6383104B2
公开(公告)日:2018-08-29
申请号:JP2017516865
申请日:2015-06-01
申请人: アグフア−ゲヴエルト
发明人: トルフ,リタ , ドウ・モント,ロエル , パストル・ラミレス, ブランカ・マリア , ロキユフイエ,ヨハン
IPC分类号: B05D1/26 , B05D3/06 , B05D3/10 , B05D7/14 , C09D11/30 , C09D11/101 , C25D5/02 , C23F1/02 , B33Y10/00 , B05D7/24
CPC分类号: C23F1/16 , B29C59/022 , B29L2009/00 , B41J2/01 , B41M5/0023 , B41M5/0047 , B41M5/0058 , B41M7/0009 , B41M7/0081 , B41M2205/14 , B41M2205/18 , C09D11/101 , C09D11/107 , C09D11/30 , C09D11/328 , C25D5/022
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公开(公告)号:JP2017533814A
公开(公告)日:2017-11-16
申请号:JP2017516865
申请日:2015-06-01
申请人: アグフア−ゲヴエルト
发明人: トルフ,リタ , ドウ・モント,ロエル , ブランカ・マリア パストル・ラミレス, , ブランカ・マリア パストル・ラミレス, , ロキユフイエ,ヨハン
IPC分类号: B05D7/24 , B05D1/26 , B05D3/06 , B05D3/10 , B05D7/14 , B33Y10/00 , C09D11/101 , C09D11/30 , C23F1/02 , C25D5/02
CPC分类号: C23F1/16 , B29C59/022 , B29L2009/00 , B41J2/01 , B41M5/0023 , B41M5/0047 , B41M5/0058 , B41M7/0009 , B41M7/0081 , B41M2205/14 , B41M2205/18 , C09D11/101 , C09D11/107 , C09D11/30 , C09D11/328 , C25D5/022
摘要: 金属品(5)を金属基質(1)から製造する方法に、a)紫外線硬化性インクジェットインクを用いてイメージを金属基質の少なくとも1つの表面に噴出させ、b)前記イメージ(2)を紫外線で硬化させ、c)前記紫外線で硬化させたイメージで覆われていない少なくとも1つの金属表面を電気メッキまたは酸でエッチングし、そしてd)前記紫外線で硬化させたイメージをアルカリ水溶液で除去するか或は可溶化させる段階を含めるが、前記紫外線硬化性インクジェットインクは25℃において1,000秒-1のせん断速度で100mPa.s以下の粘度を示し、ここでは、前記紫外線硬化性インクジェットインクに特定の重合性組成物を含有させかつアシルホスフィンオキサイド系光開始剤およびチオキサントン系光開始剤の中の少なくとも1種を包含する光開始剤を20重量%以下の量で含有させる。【選択図】図1
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公开(公告)号:JP2017526159A
公开(公告)日:2017-09-07
申请号:JP2016568630
申请日:2015-05-19
申请人: アルファ・アセンブリー・ソリューションズ・インコーポレイテッドAlpha Assembly Solutions Inc. , アルファ・アセンブリー・ソリューションズ・インコーポレイテッドAlpha Assembly Solutions Inc.
发明人: スティーヴン・プロコピアック , エレン・エス・トーメイ , オスカー・カセレフ , マイケル・ティー・マルチ , バワ・シン
IPC分类号: H01L21/308 , C09D11/02 , C23C18/16 , C23C18/18 , H01L31/18
CPC分类号: C23F1/16 , C23F1/02 , H01L21/32134 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/50
摘要: 噴射可能なエッチャント組成物は、1から90wt%の活性成分と、10から90wt%の溶媒、0から10wt%の還元剤、1未満から20wt%の酸洗剤、0から5wt%の界面活性剤、及び0から5wt%の消泡剤の任意の組合せを含有する残りの成分とを含む。組成物はまた、溶解した際にエッチングされる金属よりも高い標準電極電位を有する少なくとも1種の元素を含有する可溶性化合物と、又はIA族元素を含有する可溶性化合物と、可溶性白金族金属とを含んでもよい。インク組成物は、約5から約10ピコリットルの液滴体積で表面上に噴射可能であるように、及び活性化時に表面の約20Ω/α未満の最終シート抵抗を達成するように配合された、溶媒系中のVA族化合物又はIIIA族化合物を含んでもよい。【選択図】図2
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公开(公告)号:JP2017103336A
公开(公告)日:2017-06-08
申请号:JP2015234997
申请日:2015-12-01
申请人: 株式会社東芝
IPC分类号: H01L21/308 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L21/336 , H01L29/792 , H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/306
CPC分类号: H01L21/31144 , C23F1/16 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/31111 , H01L21/32134 , H01L21/32139 , H01L21/6708 , H01L27/11582 , H01L28/00 , H01L21/32155
摘要: 【課題】複数種類の層が積層された複数層の階段状パターンを容易に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】基体11上に絶縁層21_1〜21_5と犠牲層22_1〜22_4とを交互に複数積層して積層体を形成する工程と、積層体上にシリコン層50を形成する工程と、シリコン層50の一部を除去して絶縁層21_1の一部を露出し、シリコン層50の表面層に保護層50Aを形成する工程と、保護層50Aを形成した後、第1エッチング液を用いて、露出した絶縁層21_1をエッチングして、犠牲層22_1の一部を露出する工程と、絶縁層21_1をエッチングした後、第2エッチング液を用いて、露出した犠牲層22_1をエッチングする工程と、絶縁層21_1及び犠牲層22_1をエッチングした後、第3エッチング液を用いてシリコン層50をエッチングし、絶縁層21_1をさらに露出する工程とを備える。 【選択図】図14
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公开(公告)号:JP2016157785A
公开(公告)日:2016-09-01
申请号:JP2015034019
申请日:2015-02-24
申请人: 株式会社東芝
IPC分类号: B29C59/02 , H01L21/027
CPC分类号: C23F1/16 , G03F7/0002
摘要: 【課題】テンプレートをレジストに押印した際のレジストのはみ出しを抑制できるテンプレート形成方法を提供すること。 【解決手段】実施形態によれば、テンプレート形成方法が提供される。前記テンプレート形成方法では、基板のおもて面にあるテンプレートパターン面にテンプレートパターンが形成される。また、前記基板のおもて面上で前記テンプレートパターン面とは異なる領域に前記基板の裏面よりもレジストに対する接触角が高い高撥液性部が形成される。 【選択図】図1
摘要翻译: 要解决的问题:提供一种模板形成方法,其能够防止抗蚀剂在被模板压制时伸出。解决方案:提供了模板形成方法。 根据实施例,在板的正面上的模板图案平面上形成模板图案。 此外,在板的前表面上,形成了与抗蚀剂的接触角高于板的背面的与模板图案平面不同的区域的高度的液体排斥部分。图示: 图1
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公开(公告)号:JPWO2013161959A1
公开(公告)日:2015-12-24
申请号:JP2013558830
申请日:2013-04-25
申请人: 国立研究開発法人科学技術振興機構
IPC分类号: C23F1/16 , C23F1/02 , C23F3/06 , H01L21/308
摘要: 環境に影響を与える試薬等を使用することなく、金属又は金属酸化物をエッチングする方法、金属又は金属酸化物表面を原子レベルで平滑化する方法、原子レベルでパターニングする方法を提供する。オゾンのみを水に溶解したオゾン水を用いて、金属又は金属酸化物をエッチング又は金属又は金属酸化物表面を平滑化することができる。また、オゾンのみを水に溶解したオゾン水でエッチングできる金属又は金属酸化物上に、前記オゾン水に溶解しない金属をレジストとして設け、前記オゾン水でエッチングすることで、パターニングすることができる。
摘要翻译: 不使用试剂如影响环境,蚀刻的金属或金属氧化物,在原子水平上平滑所述金属或金属氧化物表面的方法,的方法来在原子水平上提供图案化的方法。 只有具有溶解在水中的臭氧水的臭氧,能够以平滑的金属或金属氧化物的蚀刻或金属或金属氧化物表面。 此外,仅在金属或金属氧化物的臭氧可以与溶解在水中的臭氧水被蚀刻,从而提供的金属这是在臭氧水作为抗蚀剂的不溶性,由臭氧水蚀刻可以被图案化。
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公开(公告)号:JP5753180B2
公开(公告)日:2015-07-22
申请号:JP2012536673
申请日:2010-10-27
申请人: 東友ファインケム株式会社
IPC分类号: G09F9/30 , C23F1/16 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L21/306
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9.Method for removing metallic material from casted substrates, and related compositions 有权
标题翻译: 从铸造基板上去除金属材料的方法及相关组合物公开(公告)号:JP2010137285A
公开(公告)日:2010-06-24
申请号:JP2009278099
申请日:2009-12-08
发明人: KOOL LAWRENCE BERNARD , GIGLIOTTI MICHAEL FRANCIS XAVIER , HUANG SHYH-CHIN , OFORI-OKAI GABRIEL KWADWO
CPC分类号: C23F1/16 , C23F1/30 , C23F1/44 , F05B2230/10 , F05B2230/21 , F05B2230/211
摘要: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method effective for removing contaminated metallic materials having invaded when executing the casting by the directional solidification method through the liquid-metal cooling from a surface of a cast substrate such as a turbine engine component, and to provide related compositions. SOLUTION: The method for removing metallic materials from the surface of a cast substrate includes a step of contacting the metallic material with an aqueous composition containing an acid having the formula H x AF 6 , or precursors to the acid. In the formula, A is selected from the group consisting of Si, Ge, Ti, Zr, Al, and Ga, and x denotes 1-6. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译: 要解决的问题:提供一种有效的方法,其通过液态金属冷却从诸如涡轮发动机部件的铸造基板的表面通过定向凝固方法执行铸造时去除已被侵入的污染的金属材料,以及 以提供相关组合物。 解决方案:从铸造基材的表面除去金属材料的方法包括使金属材料与含有式H(SB)x SB> AF
6的酸的水性组合物接触的步骤 SB>,或酸的前体。 在该式中,A选自Si,Ge,Ti,Zr,Al和Ga,x表示1-6。 版权所有(C)2010,JPO&INPIT -
公开(公告)号:JP2009527908A
公开(公告)日:2009-07-30
申请号:JP2008555676
申请日:2007-02-16
发明人: コールマン−フォン プラーテン クラウス , クェンツァー ハンス−ヨアヒム , ディーツ フランク
IPC分类号: H01L21/60 , H01L21/306
CPC分类号: C23F1/02 , C23F1/16 , C23F1/18 , C23F1/44 , H01L21/32134 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05001 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/0554 , H01L2224/05647 , H01L2224/114 , H01L2224/116 , H01L2224/13006 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/19043 , H01L2224/13099 , H01L2924/00014
摘要: An etching solution comprises an aluminum layer (1), a copper layer (2) and a layer selected from a nickel-vanadium layer (3), nickel and alloys of nickel, which are arranged between an aluminum layer and a copper layer. The solution contains phosphoric acid, nitric acid, de-ionized water and a halogen component, which releases halogen ions containing these components. The metal cation salts are selected, which are contained in the layer system. Independent claims are also included for the following: (1) the structuring of a layer system involves selecting layers from aluminum, copper, nickel vanadium, nickel and their alloys; and (2) an Under Bump Metallization stack.
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