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公开(公告)号：JP2017118113A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：JP2016248332
申请日：2016-12-21
申请人： コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブCommissariat A L’Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives , Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives , コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブCommissariat A L’Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/2007 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L2224/275 , H01L2224/2781 , H01L2224/27831 , H01L2224/27845 , H01L2224/29082 , H01L2224/29138 , H01L2224/29187 , H01L2224/29188 , H01L2224/29193 , H01L2224/29194 , H01L2224/83011 , H01L2224/83048 , H01L2224/8309 , H01L2224/83193 , H01L2224/83896 , H01L2924/01014 , H01L2924/05442
摘要： 【課題】2つの構造体間の直接接合を実行する方法を提供すること。【解決手段】本方法は、第1の構造体(10、11)と第2の構造体(20、21)とを提供するステップa)であって、第1の構造体(10、11)が、シリコン層が形成された表面を備える、ステップa)と、第1の構造体(10、11)の表面に達することと、打ち込みの完了時に1nm未満のRMSの表面粗さをもつシリコン層の一部(3a)を維持することとを行うように構成された化学種のビーム(F)によりシリコン層に打ち込むステップb)と、ステップb)において維持されたシリコン層の一部(3a)と第2の構造体(20、21)との間の直接接合により第1の構造体(10、11)と第2の構造体(2)とを接合するステップc)と、を含み、ステップb)とステップc)とが、10−2mbar未満の真空にされた同じチャンバ内で実行される。【選択図】図5
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公开(公告)号：JP5555957B2
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：JP2011120794
申请日：2011-05-30
申请人： ソイテックSoitec
发明人： ゴーダン グウェルタズ
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L29/0657 , B81C3/001 , B81C2203/036 , H01L21/2007 , H01L21/76251 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/27452 , H01L2224/27616 , H01L2224/2781 , H01L2224/27848 , H01L2224/279 , H01L2224/29187 , H01L2224/32145 , H01L2224/83014 , H01L2224/83193 , H01L2224/832 , H01L2224/83896 , H01L2224/94 , H01L2924/1461 , H01L2924/05442 , H01L2924/05042 , H01L2224/27 , H01L21/78 , H01L2924/00
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公开(公告)号：JP2014003292A
公开(公告)日：2014-01-09
申请号：JP2013122304
申请日：2013-06-11
CPC分类号： H01L25/0655 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/6836 , H01L23/49822 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/04105 , H01L2224/2101 , H01L2224/221 , H01L2224/27003 , H01L2224/27312 , H01L2224/27318 , H01L2224/2732 , H01L2224/2741 , H01L2224/27416 , H01L2224/27418 , H01L2224/27422 , H01L2224/27436 , H01L2224/2781 , H01L2224/27848 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83855 , H01L2224/83856 , H01L2224/92 , H01L2224/9202 , H01L2224/92144 , H01L2224/94 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/3511 , H05K3/305 , H01L2224/27 , H01L2224/83 , H01L2224/19 , H01L21/78 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of chip package fabrication that minimizes warpage and distortion.SOLUTION: A chip package 66 includes: a first die 68 with an active surface 74 having at least one die pad 72 positioned thereon; a first adhesive layer 90 having a first surface coupled to the active surface 74 of the first die 68 and a second surface opposite the first surface; and a first dielectric layer 80 having a top surface. A first portion of the top surface of the first dielectric layer 80 is coupled to the second surface of the first adhesive layer 90. A second portion of the top surface of the first dielectric layer 80, distinct from the first portion, is substantially free of adhesive.
摘要翻译： 要解决的问题：提供使翘曲和变形最小化的芯片封装制造方法。解决方案：芯片封装66包括：第一裸片68，其具有置于其上的至少一个裸片焊盘72的有源表面74; 第一粘合剂层90具有连接到第一模具68的活性表面74的第一表面和与第一表面相对的第二表面; 以及具有顶表面的第一介电层80。 第一介电层80的顶表面的第一部分耦合到第一粘合剂层90的第二表面。与第一部分不同的第一介电层80的顶表面的第二部分基本上不含 胶粘剂。
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公开(公告)号：JP2012104817A
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：JP2011238431
申请日：2011-10-31
申请人： Raytheon Co , レイセオン カンパニー
发明人： DIEP BUU , THOMAS A KOCHAN , ROLAND W GUTSCH
IPC分类号： H01L21/60 , B23K1/00 , B23K1/20 , B23K101/40
CPC分类号： B23K1/206 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K1/20 , B23K1/203 , B23K3/047 , B23K3/08 , B23K2201/40 , H01L21/67092 , H01L21/67173 , H01L21/67207 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/742 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L2224/0401 , H01L2224/056 , H01L2224/27318 , H01L2224/27334 , H01L2224/2745 , H01L2224/2746 , H01L2224/2781 , H01L2224/27826 , H01L2224/291 , H01L2224/29144 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/7501 , H01L2224/75102 , H01L2224/83013 , H01L2224/83201 , H01L2224/834 , H01L2224/83815 , H01L2224/94 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2224/83 , H01L2924/0105 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide means to reduce formation of oxide on solder.SOLUTION: In certain embodiments, a system includes a deposition system and a plasma/bonding system. The deposition system deposits a solder on a surface of a substrate of a number of substrates. The plasma/bonding system comprises a plasma system configured to plasma clean the substrate and a bonding system configured to bond the substrates. The plasma/bonding system at least reduces reoxidation of the solder. In certain embodiments, a method comprises depositing solder on a surface of a substrate, removing metal oxide from the substrate, and depositing a capping layer on the surface of the substrate to at least reduce reoxidation of the solder.
摘要翻译： 要解决的问题：提供减少焊料上氧化物形成的方法。 解决方案：在某些实施例中，系统包括沉积系统和等离子体/粘合系统。 沉积系统将焊料沉积在许多衬底的衬底的表面上。 等离子体/粘合系统包括构造成等离子体清洁基板的等离子体系统和被配置为结合基板的接合系统。 等离子体/粘合系统至少减少了焊料的再氧化。 在某些实施例中，一种方法包括在衬底的表面上沉积焊料，从衬底去除金属氧化物，以及在衬底的表面上沉积覆盖层以至少减少焊料的再氧化。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT
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公开(公告)号：JP6282342B2
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：JP2016522292
申请日：2013-07-05
发明人： ベアンハート レープハン
CPC分类号： H01L24/83 , H01L22/12 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/743 , H01L2223/54426 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03602 , H01L2224/03616 , H01L2224/0381 , H01L2224/05561 , H01L2224/05564 , H01L2224/05567 , H01L2224/05647 , H01L2224/061 , H01L2224/274 , H01L2224/2741 , H01L2224/27444 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/27464 , H01L2224/2781 , H01L2224/2784 , H01L2224/27845 , H01L2224/29023 , H01L2224/29028 , H01L2224/29187 , H01L2224/8301 , H01L2224/83011 , H01L2224/83012 , H01L2224/83013 , H01L2224/83026 , H01L2224/8312 , H01L2224/83121 , H01L2224/83203 , H01L2224/8383 , H01L2224/83907 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2924/05442 , H01L2224/05552
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公开(公告)号：JP6157799B2
公开(公告)日：2017-07-05
申请号：JP2011238431
申请日：2011-10-31
申请人： レイセオン カンパニー
发明人： ブウ ディープ , トーマス エイ コシアン , ロランド ダブリュ グーチ
CPC分类号： B23K1/206 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K1/20 , B23K1/203 , B23K3/047 , B23K3/08 , H01L21/67092 , H01L21/67173 , H01L21/67207 , H01L24/742 , H01L24/75 , B23K2201/40 , H01L2224/0401 , H01L2224/056 , H01L2224/27318 , H01L2224/27334 , H01L2224/2745 , H01L2224/2746 , H01L2224/2781 , H01L2224/27826 , H01L2224/291 , H01L2224/29144 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/7501 , H01L2224/75102 , H01L2224/83013 , H01L2224/83201 , H01L2224/834 , H01L2224/83815 , H01L2224/94 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/181
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7.发明专利
公开(公告)号：JP2016524335A
公开(公告)日：2016-08-12
申请号：JP2016522292
申请日：2013-07-05
发明人： レープハン ベアンハート , レープハン ベアンハート
CPC分类号： H01L24/83 , H01L22/12 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/743 , H01L2223/54426 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03602 , H01L2224/03616 , H01L2224/0381 , H01L2224/05561 , H01L2224/05564 , H01L2224/05567 , H01L2224/05647 , H01L2224/061 , H01L2224/274 , H01L2224/2741 , H01L2224/27444 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/27464 , H01L2224/2781 , H01L2224/2784 , H01L2224/27845 , H01L2224/29023 , H01L2224/29028 , H01L2224/29187 , H01L2224/8301 , H01L2224/83011 , H01L2224/83012 , H01L2224/83013 , H01L2224/83026 , H01L2224/8312 , H01L2224/83121 , H01L2224/83203 , H01L2224/8383 , H01L2224/83907 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2924/05442 , H01L2224/05552
摘要： 本発明は、第1基板(1、1')の少なくとも部分的に金属製の第1接触面と、第2基板の少なくとも部分的に金属製の第2接触面とを、以下の工程、特に以下の経過:‐前記接触面の少なくとも一方の材料中に、少なくとも部分的に、特に主に溶解可能な犠牲層(4)を前記接触面の少なくとも一方に施与する工程、‐前記犠牲層(4)の少なくとも部分的な溶解下で、前記接触面の少なくとも一方において前記基板(1、1')を接合する工程を有する接合方法に関する。接触面は、接合領域(3)全面に配置してよい。または接触面は、バルク材料(5)により取り込まれているか、または基板空洞(2)内に配置されている、複数の接合領域(3')から形成してもよい。基板間の予備接合を形成するために、液体(例えば水)を使用することができる。
摘要翻译： 本发明具有上述第一基板（1，1“）的至少部分的金属第一接触表面和所述第二基板，下列步骤中的至少部分是金属的第二接触表面，特别是 以下过程： - 在接触表面中的至少一个的接触表面中的至少一个材料过程中施加的，至少部分，特别是在很大程度上可溶解牺牲层（4）的步骤， - 所述牺牲层（ 在一个4至少部分溶解），本发明涉及具有连接所述基板（1,1“）的接触面中的至少一个的工序的接合方法。 接触表面，连接区（3）可以被布置在整个表面上。 或接触面或者采取了由散装材料（5），或者被布置在所述基板腔（2）内，可以从多个接合区域（3“）形成。 以在基板间的初步接合，可以使用液体（例如水）。
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公开(公告)号：JP2012044146A
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：JP2011120794
申请日：2011-05-30
申请人： Soytec , ソイテックSoitec
发明人： GRUTAS GAUDIN
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324 , H01L27/00
CPC分类号： H01L29/0657 , B81C3/001 , B81C2203/036 , H01L21/2007 , H01L21/76251 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/27452 , H01L2224/27616 , H01L2224/2781 , H01L2224/27848 , H01L2224/279 , H01L2224/29187 , H01L2224/32145 , H01L2224/83014 , H01L2224/83193 , H01L2224/832 , H01L2224/83896 , H01L2224/94 , H01L2924/1461 , H01L2924/05442 , H01L2924/05042 , H01L2224/27 , H01L21/78 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a semiconductor device to make a composite substrate by bonding two substrates at a low temperature.SOLUTION: A surface layer 4 made of silicon oxide is formed as a bonding layer on a first substrate 2 or chip including an electronic component 6, and a surface layer 14 made of silicon oxide is formed as a bonding layer on a second substrate 12 including an electronic component 16. These bonding layers are formed at a temperature of 300°C or less. Then, annealing is conducted at a temperature at least equal to a bonded interface strengthening temperature (Tr) used in a following process but less than 450°C. The substrates are assembled together by putting exposed surfaces of the bonding layers in contact with the substrates. The assembled structure is annealed at the bonded interface strengthening temperature (Tr) less than 450°C.
摘要翻译： 解决的问题：提供半导体器件的制造方法，以通过在低温下接合两个衬底来制造复合衬底。 解决方案：在第一基板2或包括电子部件6的芯片上形成由氧化硅制成的表面层4作为结合层，并且在第二基板2或芯片上形成由氧化硅制成的表面层14作为结合层 包括电子部件16的基板12.这些接合层在300℃以下的温度下形成。 然后，退火在至少等于在随后工艺中使用但小于450℃的键合界面强化温度（Tr）的温度下进行。 通过将接合层的暴露表面与基板接触来将基板组装在一起。 组装结构在低于450℃的键合界面强化温度（Tr）下退火。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT
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