公开(公告)号：JP2012064899A

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：JP2010210134

申请日：2010-09-17

申请人： Toshiba Corp ,  株式会社東芝

发明人： ONO SHOTARO ,  SAITO WATARU ,  TANIUCHI SHUNJI ,  WATANABE YOSHIO ,  YAMASHITA HIROAKI

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7811 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/84 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66712 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40479 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/84203 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/37099

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device capable of preventing avalanche breakdown in a lower portion of a gate electrode pad and capable of utilizing a region under the gate electrode pad as a current channel.SOLUTION: A semiconductor device 100 comprises: main electrodes 12 electrically connected to a first semiconductor region 2 of a first conductive type and second semiconductor regions 3 selectively provided on a surface of the first semiconductor region; control electrodes 7 provided on the second semiconductor regions via a first insulating film; lead-out electrodes 13 electrically connected to the control electrodes; a second insulating film 15 provided on the main electrodes and the lead-out electrodes; and a plurality of contact electrodes 21 that are provided in a plurality of contact holes 15a formed in the second insulating film and are electrically connected to the lead-out electrodes. Control terminals, which are electrically insulated from the main electrodes by the second insulating film, are electrically connected to the plurality of contact electrodes.

摘要翻译： 解决的问题：提供能够防止栅极电极焊盘的下部的雪崩击穿并且能够利用栅极电极焊盘下方的区域作为电流通道的半导体器件。 解决方案：半导体器件100包括：电连接到第一导电类型的第一半导体区域2和选择性地设置在第一半导体区域的表面上的第二半导体区域3的主电极12; 通过第一绝缘膜设置在第二半导体区上的控制电极7; 电连接到控制电极的引出电极13; 设置在主电极和引出电极上的第二绝缘膜15; 以及多个接触电极21，其设置在形成在第二绝缘膜中并与引出电极电连接的多个接触孔15a中。 通过第二绝缘膜与主电极电绝缘的控制端子电连接到多个接触电极。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP6238121B2

公开(公告)日：2017-11-29

申请号：JP2013206560

申请日：2013-10-01

申请人： ローム株式会社

发明人： 山上 守 ,  藤井 賢治

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/49 ,  H01L23/49524 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/36 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/08245 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/40479 ,  H01L2224/40491 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/40993 ,  H01L2224/4112 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48177 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/4912 ,  H01L2224/49177 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/8485 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/525 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/351

公开(公告)号：JP2015072942A

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：JP2013206560

申请日：2013-10-01

申请人： ローム株式会社

发明人： 山上 守 ,  藤井 賢治

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/49 ,  H01L23/49524 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/08245 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/40479 ,  H01L2224/40491 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/40993 ,  H01L2224/4112 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48177 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/4912 ,  H01L2224/49177 ,  H01L2224/73221 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/525 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351

摘要： 【課題】樹脂パッケージに封止された集積回路を備える半導体チップにおいて、半導体チップの抵抗値の増加を抑制しながら、半導体チップ−樹脂パッケージ間の抵抗値を低減できる半導体装置を提供すること。 【解決手段】集積回路が形成された半導体チップ4と、半導体チップ4上に形成され、それぞれが集積回路に接続された複数の第1電極パッド17と、当該複数の第1電極パッド17に一括して電気的に接続され、各第1電極パッド17よりも広い面積で半導体チップ4の最表面に露出する再配線20と、半導体チップ4を封止する樹脂パッケージ2とを含む、半導体装置1を形成する。 【選択図】図3A

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种降低半导体芯片和树脂封装之间的电阻值的半导体器件，同时抑制包括由树脂封装的集成电路的半导体芯片中的半导体芯片的电阻值的增加。解决方案： 半导体器件1包括：形成集成电路的半导体芯片4; 形成在半导体芯片4上并与集成电路连接的多个第一电极焊盘17; 与多个第一电极焊盘17共同且电连接的再布线20的面积大于每个第一电极焊盘17的面积，并且暴露在半导体芯片4的最外表面上; 以及密封半导体芯片4的树脂封装2.形成半导体器件1以实现上述目的。

公开(公告)号：JP2009081198A

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：JP2007247914

申请日：2007-09-25

申请人： Toshiba Corp ,  株式会社東芝

发明人： TANAKA BUNGO ,  TAKANO AKIO

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L23/52 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L24/40 ,  H01L24/37 ,  H01L24/41 ,  H01L24/84 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/40479 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84099 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device having a strap structure which improves reliability keeping internal resistance of an element and on resistance low. SOLUTION: A semiconductor device comprises a semiconductor element comprising a semiconductor layer, a first metal main electrode which is prepared on the semiconductor layer and has a first region and a second region, and a metal gate wiring which is prepared on the semiconductor layer and insulated and interposed between the first region and the second region, a lead, and a conductive member which is composed of metal and connects the first metal main electrode with the lead. The conductive member is joined to the first region and the second region in such a manner that the metal gate wiring is covered. A concave portion is prepared on the lower surface of the conductive member on the metal gate wiring. A space is formed between the conductive member and the metal gate wiring. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

摘要翻译： 要解决的问题：提供具有带状结构的半导体器件，其提高了保持元件的内部电阻和电阻低的可靠性。 解决方案：半导体器件包括半导体元件，其包括半导体层，准备在半导体层上并具有第一区域和第二区域的第一金属主电极和准备在半导体上的金属栅极布线 并且绝缘并插入在第一区域和第二区域之间，引线和由金属构成并将第一金属主电极与引线连接的导电构件。 导电构件以覆盖金属栅极布线的方式接合到第一区域和第二区域。 在金属栅极布线上的导电构件的下表面上制备凹部。 在导电构件和金属栅极布线之间形成空间。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT