公开(公告)号：JPWO2019142081A1

公开(公告)日：2021-01-14

申请号：JPIB2019050207

申请日：2019-01-11

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 國武 寛司 ,  本田 龍之介 ,  熱海 知昭

IPC: G11C5/14 ,  H01L29/786 ,  G11C11/4074

Abstract: トランジスタのしきい値電圧を取得できる半導体装置を提供する。半導体装置は、第1トランジスタ、第1容量素子、第1出力端子、第1スイッチおよび第2スイッチを有する。第1トランジスタのゲートとソースは電気的に接続される。第1容量素子の第1端子はソースに電気的に接続される。第1容量素子の第2端子および第1出力端子は第1トランジスタのバックゲートに電気的に接続される。第1スイッチはバックゲートへの第1電圧の入力を制御する。第1トランジスタのドレインは第2電圧が入力される。第2スイッチはソースへの第3電圧の入力を制御する。

公开(公告)号：JP2021093551A

公开(公告)日：2021-06-17

申请号：JP2021036098

申请日：2021-03-08

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 鳥海 聡志 ,  浜田 崇 ,  丸山 哲紀 ,  井本 裕己 ,  淺野 裕治 ,  本田 龍之介 ,  山崎 舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/41 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786

Abstract: 【課題】微細なトランジスタを提供する。 【解決手段】基板上の半導体と、半導体上の第1の導電体及び第2の導電体と、第1の導 電体及び第2の導電体上の第1の絶縁体と、半導体上の第2の絶縁体と、第2の絶縁体上 の第3の絶縁体と、第3の絶縁体上の第3の導電体と、を有し、第3の絶縁体は第1の絶 縁体の側面と接し、半導体は、半導体と、第1の導電体の底面と、が重なる第1の領域を 有し、半導体と、第2の導電体の底面と、が重なる第2の領域を有し、半導体と、第3の 導電体の底面と、が重なる第3の領域を有し、半導体の上面と第3の導電体の底面との間 の長さは、第1の領域と第3の領域との間の長さよりも、大きい半導体装置である。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6850860B2

公开(公告)日：2021-03-31

申请号：JP2019231362

申请日：2019-12-23

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 鳥海 聡志 ,  浜田 崇 ,  丸山 哲紀 ,  井本 裕己 ,  淺野 裕治 ,  本田 龍之介 ,  山崎 舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/146 ,  H01L21/336

公开(公告)号：JP2020205437A

公开(公告)日：2020-12-24

申请号：JP2020146648

申请日：2020-09-01

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  肥塚 純一 ,  岡崎 健一 ,  島 行徳 ,  松田 慎平 ,  馬場 晴之 ,  本田 龍之介

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L21/203 ,  H01L29/786

Abstract: 【課題】酸化物半導体膜を有するトランジスタにおいて、電界効果移動度を向上させると共に信頼性を向上させる。 【解決手段】トランジスタを有する半導体装置であって、トランジスタは、酸化物半導体膜を有し、トランジスタは、トランジスタのゲート電圧が0Vより大きく10V以下の範囲での電界効果移動度の最大値が、40cm 2 /Vs以上150cm 2 /Vs未満である領域と、しきい値電圧が、−1V以上1V以下である領域と、S値が、0.3V/decade未満である領域と、オフ電流が、1×10 −12 A/cm 2 未満である領域と、を有し、トランジスタの電界効果移動度の最大値をμFE(max)として表し、トランジ スタのゲート電圧が2Vの電界効果移動度の値をμFE(Vg=2V)として表した場合、μFE(max)/μFE(Vg=2V)が1以上1.5未満となる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6637822B2

公开(公告)日：2020-01-29

申请号：JP2016079724

申请日：2016-04-12

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 鳥海 聡志 ,  浜田 崇 ,  丸山 哲紀 ,  井本 裕己 ,  淺野 裕治 ,  本田 龍之介 ,  山崎 舜平

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L27/146 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H01L29/786

公开(公告)号：JP2016201541A

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：JP2016079724

申请日：2016-04-12

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 鳥海 聡志 ,  浜田 崇 ,  丸山 哲紀 ,  井本 裕己 ,  淺野 裕治 ,  本田 龍之介 ,  山崎 舜平

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L27/146 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14649 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/517

Abstract: 【課題】微細なトランジスタを提供する。 【解決手段】基板上の半導体と、半導体上の第1の導電体及び第2の導電体と、第1の導電体及び第2の導電体上の第1の絶縁体と、半導体上の第2の絶縁体と、第2の絶縁体上の第3の絶縁体と、第3の絶縁体上の第3の導電体と、を有し、第3の絶縁体は第1の絶縁体の側面と接し、半導体は、半導体と、第1の導電体の底面と、が重なる第1の領域を有し、半導体と、第2の導電体の底面と、が重なる第2の領域を有し、半導体と、第3の導電体の底面と、が重なる第3の領域を有し、半導体の上面と第3の導電体の底面との間の長さは、第1の領域と第3の領域との間の長さよりも、大きい半導体装置である。 【選択図】図1

Abstract translation: 本发明的一个目的是提供一种精细晶体管。 和一种半导体衬底，在半导体的第一导体和在半导体的第二导体，在所述第一导体和所述第二导体的第一绝缘体，第一 绝缘体，所述第二绝缘体的第三绝缘体，并在所述第三绝缘体的第三导体，第一绝缘体的第三绝缘体2 侧并且与半导体包括半导体，所述第一导体的底面具有重叠的第一区域，和一个半导体，并且所述第二导体的底表面接触，第二区域重叠 ，半导体，具有半导体顶面和所述第三导体的所述底表面，所述第一区域和所述第三之间的第三区域重叠长度的第三导体的底表面 除区域之间的长度是大的半导体装置。 点域1

公开(公告)号：JPWO2018224912A1

公开(公告)日：2020-06-25

申请号：JPIB2018053789

申请日：2018-05-29

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 方堂 涼太 ,  松林 大介 ,  倉田 求 ,  本田 龍之介

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/786

Abstract: 良好な電気特性を有する半導体装置を提供する。基板上にトランジスタと、第1の配線と、第2の配線と、を有する半導体装置であって、トランジスタは、第1の酸化物と、第1の酸化物の上の第1の絶縁体および第2の絶縁体と、第1の絶縁体および第2の絶縁体上の第2の酸化物と、第2の酸化物の上の導電体と、を有し、第1の絶縁体と、第2の絶縁体は、第2の酸化物を介して導電体と重なる領域を有し、第1の絶縁体は、第1の酸化物に達する第1の開口を有し、第1の配線は、第1の開口を介して第1の酸化物の上面に接し、第2の絶縁体は、第1の酸化物に達する第2の開口を有し、第2の配線は、第2の開口を介して第1の酸化物の上面に接し、第1の絶縁体と、第2の絶縁体は、それぞれ不純物を含む。

公开(公告)号：JP6705810B2

公开(公告)日：2020-06-03

申请号：JP2017512463

申请日：2016-04-06

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 鳥海 聡志 ,  浜田 崇 ,  丸山 哲紀 ,  井本 裕己 ,  淺野 裕治 ,  本田 龍之介 ,  山崎 舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

公开(公告)号：JP2020047955A

公开(公告)日：2020-03-26

申请号：JP2019231362

申请日：2019-12-23

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 鳥海 聡志 ,  浜田 崇 ,  丸山 哲紀 ,  井本 裕己 ,  淺野 裕治 ,  本田 龍之介 ,  山崎 舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/146 ,  H01L21/336

Abstract: 【課題】微細なトランジスタを提供する。 【解決手段】基板上の半導体と、半導体上の第1の導電体及び第2の導電体と、第1の導 電体及び第2の導電体上の第1の絶縁体と、半導体上の第2の絶縁体と、第2の絶縁体上 の第3の絶縁体と、第3の絶縁体上の第3の導電体と、を有し、第3の絶縁体は第1の絶 縁体の側面と接し、半導体は、半導体と、第1の導電体の底面と、が重なる第1の領域を 有し、半導体と、第2の導電体の底面と、が重なる第2の領域を有し、半導体と、第3の 導電体の底面と、が重なる第3の領域を有し、半導体の上面と第3の導電体の底面との間 の長さは、第1の領域と第3の領域との間の長さよりも、大きい半導体装置である。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018107447A

公开(公告)日：2018-07-05

申请号：JP2017245758

申请日：2017-12-22

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  平松 智記 ,  本田 龍之介

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/10805 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78693

Abstract: 【課題】オン電流の大きい半導体装置を提供する。 【解決手段】基板上に配置された第1の導電体と、第1の導電体の上に配置された第1の絶縁体と、第1の絶縁体の上に配置された第1の酸化物と、第1の酸化物の上に配置された第2の酸化物と、第2の酸化物の上面、および第2の酸化物の側面に接して配置された第2の絶縁体と、第2の絶縁体の上に配置された第2の導電体と、第2の絶縁体の側面、および第2の導電体の側面に接して配置された第3の絶縁体と、を有し第2の酸化物の膜厚は、第2の酸化物のチャネル幅方向の長さ以上であり、第2の導電体は、第2の絶縁体を介して第2の酸化物の上面および側面と対向する領域を有し、第2の酸化物の側面のキャリア密度は、第2の酸化物の上面のキャリア密度より大きい。 【選択図】図1