公开(公告)号：JP2022002304A

公开(公告)日：2022-01-06

申请号：JP2021101662

申请日：2021-06-18

Applicant: 積水化学工業株式会社

Inventor： 塩島 太郎 ,  野元 颯

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/146 ,  H05K3/46 ,  C09J201/00 ,  C09J201/06 ,  C09J11/06 ,  H01L21/60

Abstract: 【課題】高い電気的接続信頼性を有する積層体、該積層体に用いられる硬化性樹脂組成物、該積層体の製造方法及び該積層体を有する撮像装置を提供する。 【解決手段】電極を有する第1の基板と、有機膜と、電極を有する第2の基板とをこの順に有し、前記第1の基板が有する電極と前記第2の基板が有する電極とが、前記有機膜を貫通する貫通孔を介して電気的に接続された積層体。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP2022000897A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：JP2021141410

申请日：2021-08-31

Applicant: キヤノン株式会社

Inventor： 小林 昌弘 ,  下津佐 峰生

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/02 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H04N5/369 ,  H01L27/146

Abstract: 【課題】 パッドと回路との接続の信頼性が高い固体撮像装置を提供する。 【解決手段】 光電変換素子が表面に配された第1半導体基板と、光電変換素子の電荷に基づく信号を生成するための回路の少なくとも一部が表面に配された第2半導体基板と、を有し、第1半導体基板の表面と第2半導体基板の表面とが対向するように配置された固体撮像装置において、第1半導体基板と第2半導体基板との間に配された配線構造と、その第1面に外部端子が接続されるパッドを有し、パッドの第1面は第1半導体基板の表面を含み当該表面に平行な仮想平面と第2半導体基板の表面との間に位置し、第1面とは反対側の面である第2面は第1面と第2半導体基板の表面との間に位置しており、パッドが、第2半導体基板に配された回路に配線構造を介して接続するように、パッドの第2面が配線構造に接続されている。 【選択図】 図1

公开(公告)号：JP2021536675A

公开(公告)日：2021-12-27

申请号：JP2021512235

申请日：2019-09-04

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  トーキョー エレクトロン ユーエス ホールディングス,インコーポレーテッド

Inventor： リーブマン,ラース ,  デヴィリアーズ,アントン ,  スミス,ジェフリー ,  タピリー,カンダバラ

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11556 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/11 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L27/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/82

Abstract: 半導体デバイスが提供される。半導体デバイスは、基板の上に積み重ねられる複数のトランジスタ対を有するトランジスタスタックを含む。複数のトランジスタ対の各トランジスタ対は、互いの上に積み重ねられるn型トランジスタとp型トランジスタとを含む。複数のトランジスタ対は、基板の上に積み重ねられ、かつ、複数のトランジスタ対のゲート構造に電気的に結合される複数のゲート電極と、基板の上に積み重ねられ、かつ、複数のトランジスタ対のソース領域及びドレイン領域に電気的に結合される複数のソース/ドレイン(S/D)ローカルインターコネクトと、を有する。半導体デバイスは、基板の上に形成された1つ以上の導電面を更に含む。1つ以上の導電面は、トランジスタスタックに隣接して配置され、トランジスタスタックの高さにわたって広がり、かつ、トランジスタスタックに電気的に結合される。

公开(公告)号：JP2021197473A

公开(公告)日：2021-12-27

申请号：JP2020103785

申请日：2020-06-16

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 佐治 真理 ,  柴田 雅博 ,  黒川 敦

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/417 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H01L21/331

Abstract: 【課題】放熱性を高めることが可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】基板上のトランジスタ及びその動作電極の上に複数の層間絶縁膜と複数の導体膜とが交互に積層されている。1層目の層間絶縁膜の開口が第1方向に長い形状を持ち、平面視において動作電極に包含されている。1層目の導体膜が、1層目の層間絶縁膜の開口を通って動作電極に接続されている。2層目の層間絶縁膜の開口が、平面視において1層目の導体膜に包含されている。2層目の導体膜は、2層目の層間絶縁膜の開口を通って1層目の導体膜に接続されている。1層目の層間絶縁膜の開口から、2層目の層間絶縁膜の開口の側面までの、第1方向に直交する第2方向の距離を第1方向に沿って平均した値が、1層目の層間絶縁膜の開口の上側開口面から、2層目の層間絶縁膜の開口の下側開口面までの高さ方向の距離以上である。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP6986221B2

公开(公告)日：2021-12-22

申请号：JP2017117144

申请日：2017-06-14

Applicant: 大日本印刷株式会社

Inventor： 太 田 啓 吾 ,  俵 屋 誠 治 ,  榊 真 史

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/12 ,  H01L21/3205

公开(公告)号：JP6983103B2

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：JP2018082433

申请日：2018-04-23

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 本多 稔

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  C23C16/511 ,  C23C16/42 ,  H01L21/318

公开(公告)号：JP2021535625A

公开(公告)日：2021-12-16

申请号：JP2021535495

申请日：2019-08-29

Applicant: エフィシェント・パワー・コンバージョン・コーポレイション

Inventor： ウェン−チャ・リャオ ,  ジャンジュン・カオ ,  ファン・チャン・リウ ,  ムスカン・シャーマ

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H01L21/336

Abstract: 低オン抵抗のための金属相互接続レイアウトを備えたラテラルパワー半導体デバイスを提供する。金属相互接続レイアウトには、第1、第2及び第3の金属層が含まれ、各層にはソースバー及びドレインバーが含まれる。第1、第2及び第3の金属層のソースバーは、電気的に接続される。第1、第2及び第3の金属層のドレインバーは、電気的に接続される。一実施形態では、第1及び第2の金属層は、平行であり、第3の金属層は、第1及び第2の金属層に垂直である。別の実施形態では、第1及び第3の金属層は、平行であり、第2の金属層は、第1及び第3の金属層に垂直である。非導電層により、はんだバンプがソースバーのみ又はドレインバーのみに電気的に接続される。結果として、複数の利用可能な経路が存在し、電流が複数の利用可能な経路のいずれかを取ることを可能にする。

公开(公告)号：JP2021192453A

公开(公告)日：2021-12-16

申请号：JP2021144111

申请日：2021-09-03

Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社

Inventor： 西川 麻美 ,  柴田 聡 ,  西谷 雄 ,  浅野 哲也 ,  辻田 卓司 ,  杉本 裕太

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L49/00 ,  H01L21/768

Abstract: 【課題】微細化に伴う配線層の抵抗値の増加を抑制できる配線構造体等を提供する。 【解決手段】本開示による配線構造体1は、金属元素を主成分とし、一方向に延在する配線層10と、配線層10に対向する金属層20と、配線層10と金属層20との間に位置し、少なくとも前記一方向に直交する面で切断したときの断面視において配線層10および金属層20のそれぞれと接している固体電解質層30と、を備え、配線層10の側面と固体電解質層30の側面とが面接触しており、固体電解質層30の側面と金属層20の側面とが面接触しており、配線層10と金属層20とは、固体電解質層30を介して電気的に絶縁されている。 【選択図】図1A

公开(公告)号：JP2021192438A

公开(公告)日：2021-12-16

申请号：JP2021134655

申请日：2021-08-20

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 池田 隆之 ,  楠本 直人

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/00 ,  H01L27/06 ,  H04N5/369 ,  H01L27/146

Abstract: 【課題】3次元的に集積化した撮像装置を提供する。 【解決手段】シリコンを活性層または活性領域とするトランジスタを含む第1の構造物と 、酸化物半導体を活性層とするトランジスタを含む第2の構造物と、をそれぞれ作製した のち、第1の構造物および第2の構造物を貼り合わせることによって、それぞれが有する 金属層を接合して3次元的に集積化した撮像装置を構成する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2021190440A

公开(公告)日：2021-12-13

申请号：JP2020090741

申请日：2020-05-25

Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社

Inventor： 金澤 良平 ,  佐藤 和樹 ,  山田 宏行 ,  籾内 雄太 ,  明戸 誠 ,  松藤 謙介 ,  荒井 裕一 ,  安井 淳人 ,  野田 秀樹 ,  鬼頭 利治 ,  八木 拓馬 ,  糸谷 良

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L27/146 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/00 ,  H01L25/065

Abstract: 【課題】放熱効果を向上しつつプロセスコストを低減する半導体装置とその製造方法、及び前記半導体装置を備える電子機器を提供する。 【解決手段】一方の面に開口穴が形成されており、他方の面に第1の配線層が形成されている第1の半導体基板と、前記開口穴の内部に構成されており、前記開口穴の底面に対向する面に第2の配線層が形成されている第2の半導体基板と、前記第1の配線層と前記第2の配線層とを電気的に接続する配線と、を含む半導体装置を提供する。 【選択図】図1