公开(公告)号：KR101708784B1

公开(公告)日：2017-02-21

申请号：KR1020137035000

申请日：2012-06-28

申请人： 후지필름 가부시키가이샤

发明人： 카토케이타 ,  시라카와미치히로 ,  오다니타다히로 ,  나카무라아츠시 ,  타카하시히데노리 ,  이와토카오루

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/095 ,  G03F7/32 ,  H01L21/027 ,  G03F7/004 ,  G03F7/42 ,  G03F7/11 ,  G03F7/00

CPC分类号： G03F7/325 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/095

摘要： 본발명은 (i) 기판상에제 1 수지조성물(I)을사용하여제 1 막을형성하는공정, (ii) 상기제 1 막상에상기수지조성물(I)과다른제 2 수지조성물(II)을사용하여제 2 막을형성하는공정, (iii) 상기제 1 막과상기제 2 막을갖는다층막을노광하는공정, 및 (iv) 노광된상기다층막에있어서상기제 1 막과상기제 2 막을유기용제함유현상액을사용해서현상하여네거티브형패턴을형성하는공정을포함하는패턴형성방법을제공한다.

摘要翻译： 提供一种图案形成方法，包括：（i）通过使用第一树脂组合物（I）在基材上形成第一膜的步骤，（ii）通过使用第二树脂在第一膜上形成第二膜的步骤 不同于树脂组合物（I）的树脂组合物（II），（iii）暴露具有第一膜和第二膜的多层膜的步骤，以及（iv）使第一膜和第二膜显影的步骤 在曝光的多层膜中，通过使用含有机溶剂的显影剂形成负图案。

公开(公告)号：KR101702928B1

公开(公告)日：2017-02-06

申请号：KR1020157024949

申请日：2014-02-25

申请人： 후지필름 가부시키가이샤

发明人： 스기야마신이치 ,  카미무라소우 ,  고토아키요시

IPC分类号： G03F7/26 ,  G03F7/32 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039

CPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325 ,  C08F212/12 ,  C08F220/24 ,  C08F220/06 ,  C08F2220/1858

摘要： (1) (A) 산의작용에의해극성이증대하여유기용제를포함하는현상액에대한용해성이감소하는수지와 (C1) 용제를함유하는수지용액을필터를이용하여여과하는공정, (2) 상기공정(1)에있어서의여과액에의해얻어지는상기수지(A)와, 상기용제(C1)와는다른 (C2) 용제를함유하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물을조제하는공정, (3) 상기감활성광선성또는감방사선성수지조성물을필터를이용하여여과하는공정, (4) 상기공정(3)에의해얻어지는여과액을이용하여막을형성하는공정, (5) 상기막을노광하는공정, 및 (6) 유기용제를포함하는현상액을이용해서현상하여네거티브형의패턴을형성하는공정을갖는패턴형성방법으로서, 상기용제(C1)의용해파라미터(SP)와상기현상액의용해파라미터(SP)의차의절대값(|SP-SP|)은 1.00(cal/㎤)이하인패턴형성방법에의해, 잔사결함을저감시킬수있는유기계현상액을이용하여현상을행하는패턴형성방법, 이것에사용되는유기용제현상용의감활성광선성또는감방사선성수지조성물및 그제조방법, 전자디바이스의제조방법, 및전자디바이스를제공하는것이다.

摘要翻译： 提供了一种图案形成方法，包括：（1）通过使用过滤器过滤包含（A）能够通过酸的作用增加其极性的树脂的树脂溶液，以降低在包含有机溶剂的显影剂中的溶解度， 和（C1）溶剂; （2）制备含有从过滤（1）得到的树脂（A）和不同于溶剂（C1）的溶剂（C2））的光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物; （3）使用过滤器过滤光化学敏感或辐射敏感性树脂组合物; （4）通过使用通过过滤（3）获得的滤液形成膜; （5）曝光胶片; 和（6）使用包含有机溶剂的显影剂进行显影以形成负图案，其中溶剂（C1）的溶解度参数（SPC1）与显影剂（C1）的溶解度参数（SPDEV）之间的差异的绝对值 SPC1-SPDEV |为1.00（cal / cm3）1/2以下。

公开(公告)号：KR101702425B1

公开(公告)日：2017-02-03

申请号：KR1020157004408

申请日：2013-08-16

申请人： 후지필름 가부시키가이샤

发明人： 타키자와히로오 ,  히라노슈지 ,  요코가와나츠미 ,  니하시와타루

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/32 ,  G03F7/033 ,  G03F7/42 ,  G03F7/11 ,  G03F7/075 ,  G03F7/00

CPC分类号： G03F7/0388 ,  C08F14/185 ,  C08F16/10 ,  C08F24/00 ,  C08F220/18 ,  C08F220/20 ,  C08F220/26 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/325 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0274

摘要： 본발명은 (a) 일반식(1-0)으로표시되는반복단위와일반식(1-2)으로표시되는반복단위를갖는수지(A)를함유하는감전자선성또는감극자외선성수지조성물을이용하여막을형성하는공정, (b) 전자선또는극자외선을이용하여노광하는공정및 (c) 유기용제이포함된현상액으로현상하여네거티브패턴을형성하는공정을포함하며, 일반식(1-0)으로표시되는반복단위의함량이수지(A) 중의전 반복단위에대해 45몰% 이상인패턴형성방법을제공한다.

摘要翻译： 提供一种图案形成方法，包括：（a）通过使用含有具有由式（1-0）表示的重复单元的树脂（A）的电子束敏感或极紫外线敏感性树脂组合物形成膜和 由式（1-2）表示的重复单元; （b）通过使用电子束或极紫外线曝光该膜; 和（c）通过使用含有有机溶剂的显影剂显影曝光的薄膜以形成负图案，其中由式（1-0）表示的重复单元的含量相对于全部重复单元为45摩尔％以上 树脂（A）。

公开(公告)号：KR1020170010845A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：KR1020167036250

申请日：2015-06-01

申请人： 후지필름 가부시키가이샤

发明人： 카타오카쇼헤이 ,  시부야아키노리 ,  오우케이유

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/038 ,  G03F7/32 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/091 ,  G03F7/16 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40

摘要： 감활성광선성또는감방사선성수지조성물은, 하기염기성화합물 (A1) 및 (A2) 중적어도어느하나에해당하는염기성화합물 (A)를포함한다. (A1) 1분자중에, 지환구조 (a1), 및상기지환구조와는다른부위에, 염기성부위 (b2)를갖는, 비이온성화합물 (A2) 1분자중에, 염기성을갖지않는복소환구조 (a2), 및상기복소환구조와는다른부위에, 염기성부위 (b2)를갖는비이온성화합물

摘要翻译： 该活性的光敏性或辐射敏感性树脂组合物含有由下述碱性化合物（A1）和（A2）中的至少一种组成的碱性化合物（A）。 （A1）分子中具有脂环结构（a1）的非离子化合物，同时具有与脂环结构不同的碱性部分（b2）。 （A2）在分子中具有非碱性杂环结构（a2）的非离子化合物，同时具有与所述杂环结构不同的碱性部分（b2）。

公开(公告)号：KR1020170003362A

公开(公告)日：2017-01-09

申请号：KR1020150169119

申请日：2015-11-30

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 라이웨이한 ,  창칭유

IPC分类号： G03F7/32 ,  G03F7/30 ,  G03F7/004 ,  G03F7/42 ,  G03F7/075

CPC分类号： G03F7/325 ,  C07C69/12 ,  C07C69/22 ,  C07C69/62 ,  C07C69/63 ,  G03F7/20 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337

摘要： 기판을제공하는단계; 상기기판위에재료층을형성하는단계; 상기재료층의일부분을방사선에노광시키는단계; 및상기재료층의비노광부분을현상액중에서제거하여, 패터닝된재료층을형성하는단계를포함하는리소그래피패터닝방법. 상기현상액은 1.82 초과의로그 P 값을가지고유기용매를포함한다. 일실시형태에서, 상기유기용매는화학식 CHRCHRCHRCHRCOOCHR로나타내어지는 n-부틸아세테이트유도체이며, 상기화학식에서, R, R, R, R, 및 R는각각수소, 메틸기, 에틸기, 및플루오로알킬기로이루어진군으로부터선택된다.

摘要翻译： 一种用于光刻图案化的方法包括提供衬底; 在衬底上形成材料层; 将所述材料层的一部分暴露于辐射; 并且在显影剂中除去材料层的未曝光部分，得到图案化的材料层。 显影剂的Log P值大于1.82，含有有机溶剂。 在一个实施方案中，有机溶剂是由式CH3R5CHR4CHR3CHR2COOCH2R1表示的乙酸正丁酯衍生物，其中R 1，R 2，R 3，R 4和R 5各自选自氢，甲基，乙基 ，和氟代烷基。

公开(公告)号：KR101692807B1

公开(公告)日：2017-01-05

申请号：KR1020167021234

申请日：2015-02-04

申请人： 후지필름 가부시키가이샤

发明人： 우에바료스케 ,  이구치나오야 ,  야마나카츠카사 ,  탄고나오히로 ,  시라카와미치히로 ,  카토케이타

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/32 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  G03F7/038

CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2053 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31144

摘要： 패턴형성방법은, (i) 기판상에, 하기공정 (i-1), 하기공정 (i-2) 및하기공정 (i-3)을이 순서로행하여, 제1 네거티브형패턴을형성하는공정, (i-1) 기판상에, 산의작용에의하여극성이증대되어유기용제를포함하는현상액에대한용해성이감소하는수지를함유하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물 (1)을이용하여제1 막을형성하는공정 (i-2) 제1 막을노광하는공정 (i-3) 노광한제1 막을, 유기용제를포함하는현상액을이용하여현상하여, 제1 네거티브형패턴을형성하는공정 (iii) 적어도제1 네거티브형패턴상에, 산의작용에의하여극성이증대되어유기용제를포함하는현상액에대한용해성이감소하는수지를함유하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물 (2)를이용하여제2 막을형성하는공정, (v) 제2 막을노광하는공정, 및 (vi) 노광한제2 막을, 유기용제를포함하는현상액을이용하여현상하여, 적어도제1 네거티브형패턴상에제2 네거티브형패턴을형성하는공정을 갖는다.

摘要翻译： 图案形成方法包括通过使用光化射线敏感性或辐射敏感性树脂组合物在基板上形成第一膜的步骤（i-1）来在基板上形成第一负型图案的步骤（i），步骤 i-2），使第一膜和第（i-3）步曝光; 使用光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物（2）至少在第一负型图案上形成第二膜的步骤（iii）。 步骤（v）使第二膜曝光; 以及步骤（vi），使至少在第一负型图案上显影出曝光的第二膜并形成第二负型图案。

公开(公告)号：KR101687056B1

公开(公告)日：2016-12-15

申请号：KR1020130095193

申请日：2013-08-12

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 하세가와고지 ,  하타케야마쥰 ,  사게하시마사요시 ,  아다치뎃페이

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/038 ,  C07C69/54 ,  C07C219/08 ,  C07C303/32 ,  C07C309/20 ,  C08F228/02 ,  C08F232/02 ,  C08F2220/382 ,  G03F7/039 ,  G03F7/325 ,  G03F7/38 ,  Y10S430/111

摘要： 본발명은하기식 (1)로표시되는반복단위 a1을포함하는고분자화합물과, 필요에따라산발생제를포함하는레지스트조성물을기판상에도포하고, 가열처리후에고에너지선으로레지스트막을노광하고, 가열처리후에유기용제에의한현상액을이용하여미노광부를용해시켜, 노광부가용해되지않는네거티브형패턴을얻는패턴형성방법을제공한다.(R은 H 또는 CH, R는알킬기, R은메틸기또는에틸기, X은알킬렌기또는아릴렌기, X는메틸렌기또는에틸렌기, k은 0 또는 1, k은 2∼6의정수, 0

摘要翻译： 通过将包含聚合物的抗蚀剂组合物包含在基材上，包含具有在脂环上具有多个甲基或乙基的叔酯型酸不稳定基团的重复单元的聚合物，预烘烤，暴露于高能量辐射 ，在有机溶剂显影剂中烘烤和显影，使得抗蚀剂膜的未曝光区域被溶解，并且抗蚀剂膜的曝光区域不溶解。 抗蚀剂组合物在有机溶剂显影期间表现出高的溶解对比度，并形成尺寸均匀性的细孔或沟槽图案。

公开(公告)号：KR1020160142782A

公开(公告)日：2016-12-13

申请号：KR1020160068668

申请日：2016-06-02

申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 ,  다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨

发明人： 자인,비풀 ,  리,밍키 ,  주,화싱 ,  박,종근 ,  허스타드,필립디. ,  성,진욱

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  C08F20/56 ,  C08F26/06 ,  C08F32/04

CPC分类号： G03F7/11 ,  C08F293/00 ,  C09D153/00 ,  G03F7/002 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/165 ,  G03F7/168 ,  G03F7/20 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0274 ,  G03F7/0048 ,  C08F20/56 ,  C08F26/06 ,  C08F32/04 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392

摘要： 패턴처리조성물은블록공중합체및 유기용매를포함한다. 블록공중합체는제1 블록및 제2 블록을포함한다. 제1 블록은에틸렌적으로불포화된중합성그룹및 수소수용체그룹을포함하는제1 단량체로부터형성된단위를포함한다. 제2 블록은에틸렌적으로불포화된중합성그룹및 사이클릭지방족그룹을포함하는제2 단량체로부터형성된단위를포함한다. 여기서: (i) 제2 블록은에틸렌적으로불포화된중합성그룹을포함하는제3 단량체로부터형성된단위를포함하고, 제2 단량체및 제3 단량체는상이하고/하거나, (ii) 블록공중합체는에틸렌적으로불포화된중합성그룹을포함하는제4 단량체로부터형성된단위를포함하는제3 블록을포함하고, 제4 단량체는제1 단량체및 제2 단량체와상이하다. 상기기술된조성물을사용한패턴처리방법이또한제공된다. 패턴처리조성물및 방법은고해상도패턴을제공하기위한반도체장치의제조에있어특정적용가능성을갖는다.

摘要翻译： 图案处理组合物包含嵌段共聚物和有机溶剂。 嵌段共聚物包括第一嵌段和第二嵌段。 第一块包括由包含烯键式不饱和可聚合基团和氢受体基团的第一单体形成的单元，其中氢受体基团是含氮基团。 第二块包括由包含烯键式不饱和可聚合基团和芳族基团的第二单体形成的单元，条件是第二单体不是苯乙烯。 （i）第二块包含由包含烯键式不饱和可聚合基团的第三单体形成的单元，第二单体和第三单体不同; 和/或（ii）嵌段共聚物包括第三嵌段，其包含由包含烯属不饱和可聚合基团的第四单体形成的单元。 还提供了使用所述组合物的图案处理方法。 图案处理组合物和方法在用于提供高分辨率图案的半导体器件的制造中具有特别的适用性。

公开(公告)号：KR101681524B1

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：KR1020147012384

申请日：2012-10-10

申请人： 메르크 파텐트 게엠베하

发明人： 오카야스데쓰오 ,  세키토다카시 ,  이시이마사히로

IPC分类号： G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/405 ,  C08F220/56 ,  C08F226/02 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/11 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273

摘要： [과제] 표면거칠음, 브릿지결함, 또는미해상등의불량이없는, 미세한네거티브형포토레지스트패턴을형성할수 있는조성물과, 이를사용한패턴형성방법의제공. [해결수단] 화학증폭형레지스트조성물을사용하여네거티브형레지스트패턴을형성시키는방법에서, 레지스트패턴을두껍게함으로써패턴을미세화하기위하여사용되는미세패턴형성용조성물로서, 반복단위중에,중어느하나의구조를포함하는중합체와, 용제를포함하여이루어지는조성물. 유기용제현상액으로현상하여수득되는네거티브형포토레지스트패턴에상기조성물을도포하고, 가열함으로써, 미세한패턴을형성시킨다.

摘要翻译： 本发明提供一种能够形成没有诸如表面粗糙度，桥接缺陷和分辨率故障等麻烦的细的负性光致抗蚀剂图案的组合物。 并且还提供使用该组合物的图案形成方法。 解决问题的方法利用化学放大抗蚀剂组合物在形成负性抗蚀剂图案的过程中，通过对所述图案进行增肥来使用精细图案形成组合物来使抗蚀剂图案小型化。 精细图案形成组合物包含含有具有下式（A），（B）或（C）结构的重复单元的聚合物和溶剂。 将该组合物浇铸在通过用有机溶剂显影剂显影获得的负型抗蚀剂图案上，然后加热形成精细图案。

公开(公告)号：KR1020160135095A

公开(公告)日：2016-11-24

申请号：KR1020160054286

申请日：2016-05-02

申请人： 롬엔드하스전자재료코리아유한회사

发明人： 장민경 ,  류의현 ,  홍창영 ,  김명열 ,  이정준 ,  홍동제 ,  김동영 ,  임해진 ,  안재윤 ,  전옥민

IPC分类号： C07C271/08 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027 ,  G03F1/76

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07C271/12 ,  C07C271/14 ,  C07C2603/14 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/325

摘要： 포토레지스트에서사용하는데적합한, 식 (I)에대응하는신규광염기발생제가제공된다: X-R-O-C(=O)N(R)R(I) 식중, X은임의로치환된방향족기이고; R은링커이고; 그리고 R및 R은동일또는상이한임의로치환된선형, 분지형또는사이클릭지방족기 또는임의로치환된방향족기이고, 여기서 R및 R중적어도하나는 4개이상의탄소원자를갖는임의로치환된분지형알킬기이다.

摘要翻译： 其中X1是任选取代的芳基; R1是连接体; 并且R 2和R 3是相同或不同的任选取代的直链，支链或环状脂族基团或任选取代的芳族基团，其中R 2和R 3中的至少一个是具有4个或更多个碳原子的任选取代的支化烷基。