公开(公告)号：KR1020130135965A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：KR1020137027480

申请日：2012-07-13

申请人： 가부시끼가이샤 도시바 ,  도시바 마테리알 가부시키가이샤

发明人： 호시노마사노리 ,  사토히데키 ,  고모리타히로시 ,  나카야마노리타카 ,  나바다카유키

IPC分类号： C04B35/111 ,  C04B37/02 ,  H05K1/03 ,  H05K3/46

CPC分类号： C04B35/111 ,  C04B37/021 ,  C04B37/025 ,  C04B37/026 ,  C04B38/00 ,  C04B2111/00844 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/52 ,  C04B2237/54 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/86 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/38 ,  C04B38/0054

摘要： A ceramic circuit board having a metal circuit board adhered onto an alumina substrate, wherein the alumina substrate contains 94-98 mass% of alumina (Al2O3) and 2-6 mass% of a sintering aid-derived component generated from a sintering aid admixed before sintering, the sintering aid-derived component is an inorganic oxide containing silicon, the silicon in terms of silica (SiO2) in the sintering aid-derived component is contained at 0.01-1.5 mass% for every 100 mass% of the alumina substrate, and the alumina substrate has a maximum void size of no greater than 15 µm, an average void size of no greater than 10 µm, and a Vickers hardness of at least 1300.

公开(公告)号：KR101339613B1

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：KR1020127015666

申请日：2009-12-16

申请人： 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드

发明人： 힐,마이클,디.

IPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/50 ,  H01B3/12 ,  C04B35/64

CPC分类号： H01B3/12 ,  C04B35/4686 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62675 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80

摘要： 유전체 공진기와 같은 전자 부품으로서 이용될 수 있는 세라믹 유전체 물질이 개시된다. 이 물질은 화학식 를 가질 수 있고, 여기서 M'은 란탄, 네오디뮴, 사마륨, 가돌리늄, 및 이트륨으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 희토류 원소이고, M"은 알루미늄, 갈륨, 크롬, 인듐, 스칸듐 및 이테르븀으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 원소이며, 0 ≤ a ≤ 6이고, 0 ≤ b ≤ 3이다. 세라믹 유전체 물질은 또한 화학식 를 가질 수 있고, 여기서 M'은 란탄, 네오디뮴, 사마륨, 가돌리늄, 및 이트륨으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 희토류 원소이고, M'"은 마그네슘, 아연, 니켈, 및 코발트로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 금속이며, 0 ≤ x ≤ 3이고, 0 ≤ y ≤ 3이다. 본 발명의 하나 이상의 양태는 유전체 성분을 제조하는 방법에 관한 것이다. 개시된 세라믹 유전체 물질을 합성하는 방법도 개시된다.

公开(公告)号：KR101317486B1

公开(公告)日：2013-10-11

申请号：KR1020117009053

申请日：2009-10-26

申请人： 신닛테츠스미킨 카부시키카이샤 ,  덴카 주식회사

发明人： 사이또오요시또시 ,  고야마아쯔노리

IPC分类号： C04B35/66 ,  C04B7/32 ,  F27D1/00 ,  F27D1/16

CPC分类号： C04B7/32 ,  B82Y30/00 ,  C04B28/06 ,  C04B35/1015 ,  C04B35/117 ,  C04B35/44 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/6269 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/632 ,  C04B35/63416 ,  C04B35/63488 ,  C04B35/66 ,  C04B2111/28 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5212 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/549 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/764 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9684 ,  F27D1/0006 ,  F27D1/04 ,  F27D1/045 ,  C04B14/303 ,  C04B2103/14 ,  C04B2103/24 ,  C04B2103/408

摘要： 본 발명의 부정형 내화물용 결합제는 SrAl
2 O
4 의 화학 조성으로 이루어지거나, 또는 SrAl
2 O
4 의 화학 조성과, SrAl
2 O
4 이외의 성분 5질량％ 이하를 함유하여 이루어지거나, 또는 상기 SrAl
2 O
4 에 Al
2 O
3 가 혼합되어 이루어진다.

公开(公告)号：KR1020130108070A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：KR1020127030303

申请日：2011-05-19

申请人： 다이아몬드 이노베이션즈, 인크.

发明人： 이슬리토마스찰스

IPC分类号： C04B35/52 ,  C04B35/63 ,  C04B35/645 ,  B01J3/06

CPC分类号： C04B35/52 ,  C04B35/6316 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/408 ,  C04B2235/427 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/5481 ,  C04B2235/616 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6587 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/728 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96

摘要： 본 발명은 약 2 중량% 미만의 미반응 Si 및 약 1 중량% 미만의 흑연을 갖는 탄화 규소 (SiC) 결합된 다이아몬드 성형체 뿐만 아니라 이 탄화 규소 (SiC) 결합된 다이아몬드 성형체를 제조하기 위한 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020130102632A

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：KR1020137017900

申请日：2011-12-19

申请人： 스테우레르 솔라르 게엠베하

发明人： 로리게에텐,룬

IPC分类号： C30B35/00 ,  C30B13/14 ,  C04B35/591

CPC分类号： C30B28/06 ,  C04B35/591 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/77 ,  C30B11/002 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/1024 ,  C30B35/00 ,  C30B13/14

摘要： A method for manufacturing a crucible for the crystallization of silicium comprising the steps of .preparing a slurry of solids and liquids, said solids consisting of .silicon metal powder .up to 25% (w/w) SiC powder .up to 10% (w/w) SiN .up to 0.5% (w/w) of a catalyst .up to 1% (w/w) of a binder .forming the slurry into a green body of a crucible .heating the green body in a nitrogen atmosphere, optionally comprising inert gas, to react the silicon at least partially to silicon nitride.

公开(公告)号：KR101294555B1

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：KR1020107005847

申请日：2004-11-25

申请人： 코쿠리츠켄큐카이하츠호징 붓시쯔 자이료 켄큐키코 ,  미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤

发明人： 히로사키나오토 ,  우에다교타 ,  야마모토하지메

IPC分类号： C09K11/80 ,  C09K11/79

CPC分类号： C09K11/7792 ,  C01B21/0602 ,  C01B21/0821 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/84 ,  C04B35/447 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  C04B35/584 ,  C04B35/597 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3878 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/643 ,  C09K11/646 ,  C09K11/7703 ,  C09K11/7706 ,  C09K11/7718 ,  C09K11/7721 ,  C09K11/7728 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7746 ,  C09K11/7749 ,  C09K11/7761 ,  C09K11/7764 ,  C09K11/7774 ,  C09K11/7783 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  Y02B20/181

摘要： 본 발명의 목적은 희토류로 활성된 종래의 사이알론 형광체의 경우에 비해 보다 긴 파장을 갖는 주황색 또는 적색광을 방출하는 형광 특성을 갖는 무기 형광체를 제공하는 것이다.
본 발명은 CaSiAlN
3 결정상과 동일한 결정 구조를 갖는 무기 화합물을 모체 결정으로 사용하고, M [여기서, M 은 Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, 및 Yb 로부터 선택된 하나 이상의 것임] 이 발광 중심으로서 첨가되는 고용체 결정상 형광체를 이용함으로써, 적색 성분이 풍부하고 양호한 연색성을 갖는 백색 발광 다이오드의 설계에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020130086658A

公开(公告)日：2013-08-02

申请号：KR1020137018826

申请日：2004-11-25

申请人： 코쿠리츠켄큐카이하츠호징 붓시쯔 자이료 켄큐키코 ,  미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤

发明人： 히로사키나오토 ,  우에다교타 ,  야마모토하지메

IPC分类号： C09K11/64 ,  C04B35/00 ,  H01J1/62 ,  H01L33/00

CPC分类号： C09K11/7792 ,  C01B21/0602 ,  C01B21/0821 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/84 ,  C04B35/447 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  C04B35/584 ,  C04B35/597 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3878 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/643 ,  C09K11/646 ,  C09K11/7703 ,  C09K11/7706 ,  C09K11/7718 ,  C09K11/7721 ,  C09K11/7728 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7746 ,  C09K11/7749 ,  C09K11/7761 ,  C09K11/7764 ,  C09K11/7774 ,  C09K11/7783 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  Y02B20/181

摘要： 본 발명의 목적은 희토류로 활성된 종래의 사이알론 형광체의 경우에 비해 보다 긴 파장을 갖는 주황색 또는 적색광을 방출하는 형광 특성을 갖는 무기 형광체를 제공하는 것이다.
본 발명은 CaSiAlN
3 결정상과 동일한 결정 구조를 갖는 무기 화합물을 모체 결정으로 사용하고, M [여기서, M 은 Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, 및 Yb 로부터 선택된 하나 이상의 것임] 이 발광 중심으로서 첨가되는 고용체 결정상 형광체를 이용함으로써, 적색 성분이 풍부하고 양호한 연색성을 갖는 백색 발광 다이오드의 설계에 관한 것이다.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种具有发射橙色或红色光的荧光特性的无机荧光体，其与通过稀土活化的常规赛隆荧光体的情况相比具有较长的波长。 本发明涉及一种富含红色成分并具有良好显色性能的白色发光二极管的设计，该固体溶液晶相荧光体用作与主体结晶相同的晶体结构的无机化合物 CaSiAlN 3晶相，并且M元素（其中M元素是选自Mn，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm中的一种或两种以上的元素， Yb和Lu）作为发射中心。

公开(公告)号：KR1020130085947A

公开(公告)日：2013-07-30

申请号：KR1020127031466

申请日：2011-06-01

申请人： 이데미쓰 고산 가부시키가이샤

发明人： 도마이시게카즈 ,  에바타가즈아키 ,  마츠자키시게오 ,  야노고키

IPC分类号： C04B35/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363

CPC分类号： H01L49/02 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/665 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/70 ,  C04B2235/728 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  C04B35/00 ,  C04B33/326 ,  C23C14/34 ,  H01L51/0008

摘要： 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 +3가 및/또는 +4가의 금속 X의 산화물을 함유하고, In과 Ga의 합계에 대한 금속 X의 배합량이 100 내지 10000ppm(중량)인 것을 특징으로 하는 산화물 소결체.

摘要翻译： 包含铟（In），镓（Ga）和正三价和/或正四价金属X的氧化物的氧化物烧结体，其中金属X相对于In和Ga的总量的量为100至10000ppm （重量）。

公开(公告)号：KR101288893B1

公开(公告)日：2013-07-23

申请号：KR1020087007020

申请日：2006-06-09

申请人： 페로 코포레이션

发明人： 메게리,모하메드,에이치 ,  사이메스,월터,제이,주니어 ,  추,마이크,에스,에이치

IPC分类号： H01G4/06 ,  G04B35/00

CPC分类号： H01G4/1209 ,  C04B35/462 ,  C04B35/468 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/30

摘要： 본 발명은 다층 세라믹 칩 캐패시터에 관한 것으로서 이 캐패시터는 COG 요건을 만족시키고 환원 분위기 소결 조건과 적합하여 구리 및 구리 합금과 같은 비 휘귀 금속이 내부 및 외부 전극으로 사용될 수 있다. 이 캐패시터는 바람직한 유전 특성(고 캐패시턴스, 저 소산 인자, 고 절연 저항), 매우 가속된 수명 시험에 대한 우수한 성능 및 유전 breakdown에 대하여 매우 우수한 저항성을 나타낸다. 유전 층은 MgO, CaO, ZnO, MnO
2 , ZrO
2 , SiO
2 , Ga
2 O
3 , Nd
2 O
3 , Nb
2 O
5
및 Y2O3 와 같은 다른 금속 산화물과 함께 희토 티타네이트, 바륨 티타네이트를 소결함으로서 형성된 복합체 산화물을 포함한다.
캐패시터, 유전성 조성물, 복합체 산화물, 전극

公开(公告)号：KR1020130080063A

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：KR1020137015976

申请日：2009-06-05

申请人： 이데미쓰 고산 가부시키가이샤

发明人： 가와시마,히로까즈 ,  야노,고끼 ,  우쯔노,후또시 ,  이노우에,가즈요시

IPC分类号： C23C14/34 ,  B22F3/12 ,  C04B35/453

CPC分类号： H01L21/02565 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62695 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  C04B2235/9661 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/407 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869 ,  Y10T428/31507

摘要： 본 발명은 스퍼터링법을 이용한 산화물 반도체막의 성막 시의 이상 방전의 발생이 억제되고, 연속하여 안정적인 성막이 가능한 스퍼터링 타겟을 제공하는 것에 관한 것이다. 본 발명은 희토류 산화물 C형의 결정 구조를 갖는 표면에 화이트스폿(스퍼터링 타겟 표면 상에 생기는 요철 등의 외관 불량)이 없는 스퍼터링 타겟용의 산화물을 제공한다. 본 발명은 빅스바이트 구조를 갖고, 산화인듐, 산화갈륨, 산화아연을 함유하는 산화물 소결체로서, 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 아연(Zn)의 조성량이 원자％로 이하의 식을 만족시키는 조성 범위에 있는 소결체를 제공한다.
In/(In+Ga+Zn)