-
公开(公告)号:KR1020160110521A
公开(公告)日:2016-09-21
申请号:KR1020167024128
申请日:2014-02-04
Applicant: 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤
CPC classification number: B23K35/0244 , B22F1/0003 , B22F1/0048 , B22F1/025 , B22F9/08 , B22F9/082 , B22F9/14 , B22F2009/0848 , B22F2301/10 , B22F2301/15 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K3/0623 , B23K35/302 , B23K35/3033 , B23K2201/42 , C22C9/00 , C22C19/03 , C22F1/08 , C22F1/10 , H01L23/49816 , H01L23/556 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/111 , H01L2224/11334 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13105 , H01L2224/13109 , H01L2224/13117 , H01L2224/13118 , H01L2224/1312 , H01L2224/13123 , H01L2224/13124 , H01L2224/13138 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13149 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/1316 , H01L2224/13163 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/1317 , H01L2224/13171 , H01L2224/13172 , H01L2224/13173 , H01L2224/13176 , H01L2224/13178 , H01L2224/13179 , H01L2224/1318 , H01L2224/13181 , H01L2224/13183 , H01L2224/13184 , H01L2224/132 , H01L2224/13211 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/13305 , H01L2224/13309 , H01L2224/13317 , H01L2224/13318 , H01L2224/1332 , H01L2224/13323 , H01L2224/13324 , H01L2224/13338 , H01L2224/13339 , H01L2224/13344 , H01L2224/13347 , H01L2224/13349 , H01L2224/13355 , H01L2224/13357 , H01L2224/1336 , H01L2224/13363 , H01L2224/13364 , H01L2224/13366 , H01L2224/13369 , H01L2224/1337 , H01L2224/13371 , H01L2224/13372 , H01L2224/13373 , H01L2224/13376 , H01L2224/13378 , H01L2224/13379 , H01L2224/1338 , H01L2224/13381 , H01L2224/13383 , H01L2224/13384 , H01L2224/1339 , H01L2224/136 , H01L2224/13611 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/1369 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/81011 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H05K3/3436 , H05K3/3463 , H05K2203/041 , B22F2202/13 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01049 , H01L2924/01028 , H01L2924/01027 , H01L2924/01051 , H01L2924/01032 , H01L2924/01015 , H01L2924/01026 , H01L2924/01082 , H01L2924/01079 , H01L2924/01092 , H01L2924/0109 , H01L2924/01033 , H01L2924/00014 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/0105 , H01L2924/01083 , H01L2924/0103 , H01L2924/01048 , H01L2924/01016 , H01L2924/01013 , H01L2924/01012 , H01L2924/01022 , H01L2924/01025 , H01L2924/0106 , H01L2924/01071 , H01L2924/01069 , H01L2924/01021 , H01L2924/01068 , H01L2924/01059 , H01L2924/01067 , H01L2924/01066 , H01L2924/01065 , H01L2924/01064 , H01L2924/01061 , H01L2924/01057 , H01L2924/0102 , H01L2924/01063 , H01L2924/0107 , H01L2924/01058 , H01L2924/01038 , H01L2924/01056 , H01L2924/01052 , H01L2924/01076 , H01L2924/01072 , H01L2924/01043 , H01L2924/01004 , B22F1/00
Abstract: 방사되는α선량을억제한금속구를제조한다. 순금속에포함되는불순물중에서, 제거대상으로한 불순물의기압에따른비점보다높은비점을갖고, U의함유량이 5ppb 이하이고, Th의함유량이 5ppb 이하이고, 순도가 99.9% 이상 99.995% 이하이고, Pb 또는 Bi 중어느하나의함유량, 혹은 Pb 및 Bi의합계의함유량이 1ppm 이상인순금속을, 제거대상으로한 불순물의비점보다높고, 순금속의융점보다높고, 또한순금속의비점보다낮은온도에서가열하여순금속을용융시키는공정과, 용융한순금속을구상으로조구하는공정을포함한다.
-
公开(公告)号:KR1020130053400A
公开(公告)日:2013-05-23
申请号:KR1020127026993
申请日:2011-03-18
Applicant: 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
IPC: H01L23/00
CPC classification number: H01L23/4924 , H01L21/4853 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05166 , H01L2224/05644 , H01L2224/1132 , H01L2224/1134 , H01L2224/1147 , H01L2224/13082 , H01L2224/13294 , H01L2224/13305 , H01L2224/13309 , H01L2224/13311 , H01L2224/13313 , H01L2224/13316 , H01L2224/13317 , H01L2224/13318 , H01L2224/1332 , H01L2224/13323 , H01L2224/13324 , H01L2224/13339 , H01L2224/13344 , H01L2224/13347 , H01L2224/13349 , H01L2224/13355 , H01L2224/13357 , H01L2224/13364 , H01L2224/13366 , H01L2224/13369 , H01L2224/1601 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/2732 , H01L2224/2747 , H01L2224/29294 , H01L2224/29305 , H01L2224/29309 , H01L2224/29311 , H01L2224/29313 , H01L2224/29316 , H01L2224/29317 , H01L2224/29318 , H01L2224/2932 , H01L2224/29323 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29349 , H01L2224/29355 , H01L2224/29357 , H01L2224/29364 , H01L2224/29366 , H01L2224/29369 , H01L2224/3201 , H01L2224/32227 , H01L2224/32245 , H01L2224/81075 , H01L2224/81125 , H01L2224/81127 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81447 , H01L2224/8184 , H01L2224/83075 , H01L2224/83125 , H01L2224/83127 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83447 , H01L2224/8384 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01009 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01021 , H01L2924/01022 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H05K2203/0338 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L21/64 , H01L21/67 , H01L21/67005
Abstract: 열사이클 특성이 우수한 금속 다공질체로 이루어지는 도전성 범프, 도전성 다이본드부 등의 도전 접속부재를 제공한다. 반도체소자의 전극 단자 또는 회로기판의 전극 단자의 접합면에 형성된 도전 접속부재로서, 상기 도전 접속부재가 평균 1차 입자직경 10∼500㎚의 금속 미립자(P)와, 유기용제(S), 또는 유기용제(S) 및 유기 바인더(R)로 이루어지는 유기 분산매(D)를 포함하는 도전성 페이스트를 가열처리하여 금속 미립자끼리가 결합되어 형성된 금속 다공질체이고, 상기 금속 다공질체의 공극률이 5∼35체적%이며, 상기 금속 다공질체를 구성하고 있는 금속 미립자의 평균입자직경이 10∼500㎚의 범위이며, 또한 상기 금속 미립자 사이에 존재하는 평균 공공직경이 1∼200㎚의 범위인 것을 특징으로 하는 도전 접속부재.
-
公开(公告)号:KR101755749B1
公开(公告)日:2017-07-07
申请号:KR1020127026993
申请日:2011-03-18
Applicant: 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
IPC: H01L23/00
CPC classification number: H01L23/4924 , H01L21/4853 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05166 , H01L2224/05644 , H01L2224/1132 , H01L2224/1134 , H01L2224/1147 , H01L2224/13082 , H01L2224/13294 , H01L2224/13305 , H01L2224/13309 , H01L2224/13311 , H01L2224/13313 , H01L2224/13316 , H01L2224/13317 , H01L2224/13318 , H01L2224/1332 , H01L2224/13323 , H01L2224/13324 , H01L2224/13339 , H01L2224/13344 , H01L2224/13347 , H01L2224/13349 , H01L2224/13355 , H01L2224/13357 , H01L2224/13364 , H01L2224/13366 , H01L2224/13369 , H01L2224/1601 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/2732 , H01L2224/2747 , H01L2224/29294 , H01L2224/29305 , H01L2224/29309 , H01L2224/29311 , H01L2224/29313 , H01L2224/29316 , H01L2224/29317 , H01L2224/29318 , H01L2224/2932 , H01L2224/29323 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29349 , H01L2224/29355 , H01L2224/29357 , H01L2224/29364 , H01L2224/29366 , H01L2224/29369 , H01L2224/3201 , H01L2224/32227 , H01L2224/32245 , H01L2224/81075 , H01L2224/81125 , H01L2224/81127 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81447 , H01L2224/8184 , H01L2224/83075 , H01L2224/83125 , H01L2224/83127 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83447 , H01L2224/8384 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01009 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01021 , H01L2924/01022 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H05K2203/0338 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 열사이클특성이우수한금속다공질체로이루어지는도전성범프, 도전성다이본드부등의도전접속부재를제공한다. 반도체소자의전극단자또는회로기판의전극단자의접합면에형성된도전접속부재로서, 상기도전접속부재가평균 1차입자직경 10∼500㎚의금속미립자(P)와, 유기용제(S), 또는유기용제(S) 및유기바인더(R)로이루어지는유기분산매(D)를포함하는도전성페이스트를가열처리하여금속미립자끼리가결합되어형성된금속다공질체이고, 상기금속다공질체의공극률이 5∼35체적%이며, 상기금속다공질체를구성하고있는금속미립자의평균입자직경이 10∼500㎚의범위이며, 또한상기금속미립자사이에존재하는평균공공직경이 1∼200㎚의범위인것을특징으로하는도전접속부재.
Abstract translation: 提供由热循环特性优异的金属多孔体构成的导电性凸块或导电性芯片接合部等导电性连接部件。 形成在电极端子或半导体装置的电路基板的电极端子的接合面的导电性连接构件,和细小金属粒子(P),其中所述导电性连接部件10〜500㎚平均初级粒径,该有机溶剂(S),或有机 溶剂(S)和一个导电膏正在上升的金属多孔体是通过热处理金属微粒被组合以相互包含有机粘结剂(R)构成的有机分散介质(d)形成时,金属多孔体的孔隙率是5〜35体积% ,平均粒径为10〜500㎚金属微粒组成的金属多孔体,和所述导电性连接部件的,其特征在于,所述金属粒子之间存在的范围为1〜200㎚大内公众的平均直径。
-
-