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公开(公告)号：TWI628772B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW103142554
申请日：2014-12-08
申请人： 新加坡商星科金朋有限公司 , STATS CHIPPAC LTD.
发明人： 田東柱 , JEON, DONG JU , 朴敬熙 , PARK, KYOUNGHEE , 盧泳達 , ROH, YOUNGDAL , 鄭鉁熙 , JUNG, JINHEE
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/538 , H01L21/60
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公开(公告)号：TW201838139A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW107102624
申请日：2018-01-25
发明人： 尹仁相 , YOON, INSANG , 蔡昇龍 , CHAI, SEUNGYONG , 朴素演 , PARK, SOYEON
IPC分类号： H01L23/60
摘要： 一種半導體裝置係具有一第一導電層以及一第二導電層。該第一導電層的一第一部分係與該第二導電層的一第一部分對準。一絕緣層係沉積在該第一導電層以及第二導電層之上。一第三導電層係包含與該第一導電層的該第一部分以及該第二導電層的該第一部分垂直地對準的該第三導電層的一第一部分。一電性構件係被設置在該第一導電層以及第二導電層之上。一密封劑係沉積在該第一導電層、第二導電層、以及電性構件之上。一切割係穿過該密封劑、第一導電層、以及第二導電層來加以完成。一第四導電層係沉積在該第一導電層、第二導電層、以及密封劑的側表面之上。
简体摘要： 一种半导体设备系具有一第一导电层以及一第二导电层。该第一导电层的一第一部分系与该第二导电层的一第一部分对准。一绝缘层系沉积在该第一导电层以及第二导电层之上。一第三导电层系包含与该第一导电层的该第一部分以及该第二导电层的该第一部分垂直地对准的该第三导电层的一第一部分。一电性构件系被设置在该第一导电层以及第二导电层之上。一密封剂系沉积在该第一导电层、第二导电层、以及电性构件之上。一切割系穿过该密封剂、第一导电层、以及第二导电层来加以完成。一第四导电层系沉积在该第一导电层、第二导电层、以及密封剂的侧表面之上。
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公开(公告)号：TW201903916A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107102626
申请日：2018-01-25
发明人： 金五漢 , KIM, OHHAN , 金京煥 , KIM, KYUNGHWAN , 白蕓在 , BEAK, WOONJAE , 李勳擇 , LEE, HUNTEAK , 尹仁相 , YOON, INSANG
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/683 , H01L23/552 , H01L23/58
摘要： 本發明提供一種有半導體晶粒或構件的半導體裝置，包含一整合式被動裝置(IPD)，被設置在一可穿透膜層的貼附區上方，該半導體晶粒或構件的一部分被埋置在該可穿透膜層中。一導體層被形成在該貼附區裡面的該膜層的一部分上方以及該貼附區外面的該膜層的一部分上方。一囊封劑被沉積在該膜層、導體層、以及半導體晶粒或構件的上方。該導體層延伸在該囊封劑外面。一絕緣材料被設置在該半導體晶粒或構件下方。一屏蔽層被形成在該囊封劑上方。該屏蔽層被電連接至該導體層。該可穿透膜層被移除。被設置在該膜層上方且被該囊封劑與屏蔽層遮蓋的半導體晶粒或構件形成一沒有基板的系統級模組封裝。
简体摘要： 本发明提供一种有半导体晶粒或构件的半导体设备，包含一集成式被动设备(IPD)，被设置在一可穿透膜层的贴附区上方，该半导体晶粒或构件的一部分被埋置在该可穿透膜层中。一导体层被形成在该贴附区里面的该膜层的一部分上方以及该贴附区外面的该膜层的一部分上方。一囊封剂被沉积在该膜层、导体层、以及半导体晶粒或构件的上方。该导体层延伸在该囊封剂外面。一绝缘材料被设置在该半导体晶粒或构件下方。一屏蔽层被形成在该囊封剂上方。该屏蔽层被电连接至该导体层。该可穿透膜层被移除。被设置在该膜层上方且被该囊封剂与屏蔽层遮盖的半导体晶粒或构件形成一没有基板的系统级模块封装。
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公开(公告)号：TW201903893A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107102625
申请日：2018-01-25
发明人： 李九 , LEE, GOO , 金敬文 , KIM, KYUNGMOON , 朴壽山 , PARK, SOOSAN , 李巨昌 , LEE, KEOCHANG
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/56 , H01L23/053 , H01L23/31 , H01L23/538 , H01L23/552 , H01L25/065 , H01L25/16
摘要： 一種半導體裝置係具有一被設置在一基板上的一第一附接區域以及一第二附接區域之間的界柵。一第一電性構件係被設置在該第一附接區域之上。一第二電性構件係被設置在該第二附接區域之上。該界柵係延伸到該第一電性構件及第二電性構件之上，並且沿著該第一電性構件及第二電性構件的一長度來延伸。一密封劑係被沉積在該基板、第一電性構件、第二電性構件、以及界柵之上。該密封劑的一部分係被移除以露出該界柵的一表面，並且平坦化該密封劑。一屏蔽層係被形成在該密封劑之上，並且接觸該界柵的該表面。該界柵以及屏蔽層的組合係用隔板分開該第一電性構件以及第二電性構件以用於物理及電性隔離，以降低EMI、RFI、以及其它裝置間的干擾的影響。
简体摘要： 一种半导体设备系具有一被设置在一基板上的一第一附接区域以及一第二附接区域之间的界栅。一第一电性构件系被设置在该第一附接区域之上。一第二电性构件系被设置在该第二附接区域之上。该界栅系延伸到该第一电性构件及第二电性构件之上，并且沿着该第一电性构件及第二电性构件的一长度来延伸。一密封剂系被沉积在该基板、第一电性构件、第二电性构件、以及界栅之上。该密封剂的一部分系被移除以露出该界栅的一表面，并且平坦化该密封剂。一屏蔽层系被形成在该密封剂之上，并且接触该界栅的该表面。该界栅以及屏蔽层的组合系用隔板分开该第一电性构件以及第二电性构件以用于物理及电性隔离，以降低EMI、RFI、以及其它设备间的干扰的影响。
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公开(公告)号：TW201843749A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107102718
申请日：2018-01-25
发明人： 曹成源 , CHO, SUNGWON , 崔善弘 , CHOI, SEONHONG , 金昌伍 , KIM, CHANGOH
摘要： 一種半導體裝置係具有一基板以及一被設置在該基板之上的半導體構件。一離散的電性裝置可被設置在該基板之上。一密封劑係被沉積在該基板以及半導體構件之上。一鐵磁性材料係被設置在該密封劑之上。該鐵磁性材料係包含一或多種鐵氧體類型的材料、或是其它具有一呈現鐵磁性性質的晶體結構的材料。該鐵磁性材料係包含一鐵磁性膜，其係具有一聚對苯二甲酸乙二酯層、鐵氧體層、以及黏著層。該鐵磁性膜係從具有鐵磁性膜的板片來加以提供的。一屏蔽層係被形成在該鐵磁性材料之上以及在該半導體構件的周圍。該鐵磁性材料係提供磁性屏蔽以藉由形成一低磁阻的磁通量迴路以改變磁通量場的方向以遠離該半導體晶粒，來降低磁通量場在包含低頻干擾的所有頻帶上對於該半導體晶粒的影響。
简体摘要： 一种半导体设备系具有一基板以及一被设置在该基板之上的半导体构件。一离散的电性设备可被设置在该基板之上。一密封剂系被沉积在该基板以及半导体构件之上。一铁磁性材料系被设置在该密封剂之上。该铁磁性材料系包含一或多种铁氧体类型的材料、或是其它具有一呈现铁磁性性质的晶体结构的材料。该铁磁性材料系包含一铁磁性膜，其系具有一聚对苯二甲酸乙二酯层、铁氧体层、以及黏着层。该铁磁性膜系从具有铁磁性膜的板片来加以提供的。一屏蔽层系被形成在该铁磁性材料之上以及在该半导体构件的周围。该铁磁性材料系提供磁性屏蔽以借由形成一低磁阻的磁通量回路以改变磁通量场的方向以远离该半导体晶粒，来降低磁通量场在包含低频干扰的所有频带上对于该半导体晶粒的影响。
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公开(公告)号：TW201822284A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106142754
申请日：2017-12-06
发明人： 金五漢 , KIM, OHHAN , 梁悳景 , YANG, DEOKKYUNG , 李勳擇 , LEE, HUNTEAK , 尹仁相 , YOON, INSANG , 沈 一權 , SHIM, IL KWON
摘要： 一種半導體裝置係具有一第一基板。一第一半導體構件以及第二半導體構件係被設置在該第一基板上。在某些實施例中，一凹處係被形成在該第一基板中，並且該第一半導體構件係被設置在該第一基板的該凹處上。一第二基板係具有穿過該第二基板所形成的一開口。一第三半導體構件係被設置在該第二基板上。該第二基板係被設置在該第一基板以及第二半導體構件之上。該第一半導體構件係延伸穿過該開口。一密封劑係沉積在該第一基板以及第二基板之上。
简体摘要： 一种半导体设备系具有一第一基板。一第一半导体构件以及第二半导体构件系被设置在该第一基板上。在某些实施例中，一凹处系被形成在该第一基板中，并且该第一半导体构件系被设置在该第一基板的该凹处上。一第二基板系具有穿过该第二基板所形成的一开口。一第三半导体构件系被设置在该第二基板上。该第二基板系被设置在该第一基板以及第二半导体构件之上。该第一半导体构件系延伸穿过该开口。一密封剂系沉积在该第一基板以及第二基板之上。
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公开(公告)号：TWI695468B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW105110868
申请日：2016-04-07
发明人： 韓丙濬 , HAN, BYUNG JOON , 沈一權 , SHIM, IL KWON , 朴敬熙 , PARK, KYOUNGHEE , 林 耀劍 , LIN, YAOJIAN , 具敎王 , KOO, KYOWANG , 尹仁相 , YOON, IN SANG , 蔡昇龍 , CHAI, SEUNGYONG , 曺成源 , CHO, SUNGWON , 金成洙 , KIM, SUNGSOO , 李勳擇 , LEE, HUN TEAK , 梁悳景 , YANG, DEOKKYUNG
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公开(公告)号：TW201834084A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106139939
申请日：2017-11-17
发明人： 梁悳景 , YANG, DEOKKYUNG , 白蕓在 , BEAK, WOONJAE , 朴利洙 , PARK, YISU , 金五漢 , KIM, OHHAN , 李勳擇 , LEE, HUNTEAK , 李喜秀 , LEE, HEESOO
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/538 , H01L23/552
摘要： 一種半導體裝置係具有一基板，其中一第一開口以及第二開口係在該基板中加以形成。一第一半導體構件係被設置在該基板上。該基板係被設置在一載體上。一第二半導體構件係被設置在該基板的該第一開口中的該載體上。一第三半導體構件係被設置在該第二開口中。在某些實施例中，該第三半導體構件是一半導體封裝。一第一屏蔽層可被形成在該半導體封裝之上。一密封劑係被沉積在該基板、第一半導體構件、以及第二半導體構件之上。一屏蔽層可被形成在該密封劑之上。
简体摘要： 一种半导体设备系具有一基板，其中一第一开口以及第二开口系在该基板中加以形成。一第一半导体构件系被设置在该基板上。该基板系被设置在一载体上。一第二半导体构件系被设置在该基板的该第一开口中的该载体上。一第三半导体构件系被设置在该第二开口中。在某些实施例中，该第三半导体构件是一半导体封装。一第一屏蔽层可被形成在该半导体封装之上。一密封剂系被沉积在该基板、第一半导体构件、以及第二半导体构件之上。一屏蔽层可被形成在该密封剂之上。
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公开(公告)号：TW201903906A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107102719
申请日：2018-01-25
发明人： 梁悳景 , YANG, DEOKKYUNG , 金用敏 , KIM, YONGMIN , 崔宰赫 , CHOI, JAEHYUK , 高麗贊 , KO, YEOCHAN , 李喜秀 , LEE, HEESOO
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/56 , H01L21/66 , H01L21/683 , H01L21/78 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/538 , H01L23/552 , H01L25/065 , H01L25/10
摘要： 一種半導體裝置係包含一基板，其係具有一穿過該基板而被形成的開口。一第一電子構件係被設置在該第一開口的一覆蓋區之外的該基板之上。一第二電子構件係相對該第一電性構件地被設置在該基板之上。一第三電子構件係相鄰該第一電子構件地被設置在該基板之上。該基板係被設置在一模具中，其係包含該模具的一在該基板的一第一側邊之上的第二開口。該模具係接觸在該第一電子構件以及該第三電子構件之間的該基板。一密封劑係沉積到該第二開口中。該密封劑係流動通過該第一開口，以覆蓋該基板的一第二側邊。在某些實施例中，一模具膜係被設置在該模具中，並且一在該基板上的互連結構係被嵌入在該模具膜中。
简体摘要： 一种半导体设备系包含一基板，其系具有一穿过该基板而被形成的开口。一第一电子构件系被设置在该第一开口的一覆盖区之外的该基板之上。一第二电子构件系相对该第一电性构件地被设置在该基板之上。一第三电子构件系相邻该第一电子构件地被设置在该基板之上。该基板系被设置在一模具中，其系包含该模具的一在该基板的一第一侧边之上的第二开口。该模具系接触在该第一电子构件以及该第三电子构件之间的该基板。一密封剂系沉积到该第二开口中。该密封剂系流动通过该第一开口，以覆盖该基板的一第二侧边。在某些实施例中，一模具膜系被设置在该模具中，并且一在该基板上的互链接构系被嵌入在该模具膜中。
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公开(公告)号：TW201836091A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107108288
申请日：2018-03-12
发明人： 王 建銘 , HENG, KIAN MENG , 高 英華 , GOH, HIN HWA , 卡帕羅碩 約瑟 艾文 , CAPARAS, JOSE ALVIN , 陳 康 , CHEN, KANG , 鄒 勝源 , CHOW, SENG GUAN , 林 耀劍 , LIN, YAOJIAN
摘要： 一種半導體裝置係具有一基板，其中複數個主動半導體晶粒係被設置在該基板的一第一部分之上，並且複數個非功能性半導體晶粒係被設置在該基板的一第二部分之上，而留下該基板的一預設的區域是沒有該主動半導體晶粒及非功能性半導體晶粒的。該基板的沒有該主動半導體晶粒及非功能性半導體晶粒的該預設的區域係包含該基板的一中央區域、棋盤圖案、直線、或是對角線的區域。該基板可以是一圓形的形狀、或是矩形的形狀。一密封劑係被沉積在該主動半導體晶粒、非功能性半導體晶粒、以及基板之上。一互連結構係被形成在該半導體晶粒之上。主動半導體晶粒以及非功能性半導體晶粒在該基板的該預設的區域的不存在係降低在該基板的該區域中的彎曲應力。
简体摘要： 一种半导体设备系具有一基板，其中复数个主动半导体晶粒系被设置在该基板的一第一部分之上，并且复数个非功能性半导体晶粒系被设置在该基板的一第二部分之上，而留下该基板的一默认的区域是没有该主动半导体晶粒及非功能性半导体晶粒的。该基板的没有该主动半导体晶粒及非功能性半导体晶粒的该默认的区域系包含该基板的一中央区域、棋盘图案、直线、或是对角线的区域。该基板可以是一圆形的形状、或是矩形的形状。一密封剂系被沉积在该主动半导体晶粒、非功能性半导体晶粒、以及基板之上。一互链接构系被形成在该半导体晶粒之上。主动半导体晶粒以及非功能性半导体晶粒在该基板的该默认的区域的不存在系降低在该基板的该区域中的弯曲应力。
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