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公开(公告)号：TW201515172A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW103116197
申请日：2014-05-07
发明人： 劉醇鴻 , LIU, TZUAN HORNG , 黃詩雯 , HUANG, SHIH WEN , 呂宗育 , LU, CHUNG YU , 胡憲斌 , HU, HSIEN PIN , 侯上勇 , HOU, SHANG YUN , 鄭心圃 , JENG, SHIN PUU
CPC分类号： H01L21/76805 , H01L21/486 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L2224/0345 , H01L2224/0401 , H01L2224/05166 , H01L2224/05647 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/831 , H01L2224/97 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2224/83
摘要： 本發明提供三維積體電路(3DIC)結構及其製造方法的各種實施例。三維積體電路結構包括接合至一晶片與一基板的一矽中介板。矽中介板具有包含連接至一圖案化金屬墊的矽穿孔(through silicon vias,TSVs)的導電結構，以及位於矽穿孔相對端面的導電結構。於圖案化的金屬墊內嵌入介電結構以減少碟化效應，且圖案化的金屬墊具有不存在介電結構的區域，其位於矽穿孔之上。導電結構具有2個或多個矽穿孔。藉由使用圖案化的金屬墊與2個或多個矽穿孔，可改善導電結構與三維積體電路結構的可靠度及良率。
简体摘要： 本发明提供三维集成电路(3DIC)结构及其制造方法的各种实施例。三维集成电路结构包括接合至一芯片与一基板的一硅中介板。硅中介板具有包含连接至一图案化金属垫的硅穿孔(through silicon vias,TSVs)的导电结构，以及位于硅穿孔相对端面的导电结构。于图案化的金属垫内嵌入介电结构以减少碟化效应，且图案化的金属垫具有不存在介电结构的区域，其位于硅穿孔之上。导电结构具有2个或多个硅穿孔。借由使用图案化的金属垫与2个或多个硅穿孔，可改善导电结构与三维集成电路结构的可靠度及良率。
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公开(公告)号：TW201423941A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102143707
申请日：2013-11-29
发明人： 呂宗育 , LU, CHUNG YU , 胡憲斌 , HU, HSIEN PIN , 顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 劉醇鴻 , LIU, TZUAN HORNG , 黃詩雯 , HUANG, SHIH WEN , 侯上勇 , HOU, SHANG YUN , 鄭心圃 , JENG, SHIN PUU
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/4853 , H01L23/3142 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L25/04 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2224/13083 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16055 , H01L2224/16057 , H01L2224/16058 , H01L2224/16137 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/1701 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/814 , H01L2924/0002 , H01L2924/15192 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/014
摘要： 本發明揭露一種方法與裝置，適用於使用一微凸塊層在一中介層上形成一半導體裝置封裝體。上述微凸塊層可包含微凸塊與微凸塊線，其中一微凸塊是用於一晶片與上述中介層之間的一垂直連接，而一微凸塊線是用於位在上述中介層的上方的不同晶片之間的信號傳輸所使用的水平連接。上述微凸塊線可以與上述微凸塊同時形成，具有低成本或未增加成本。
简体摘要： 本发明揭露一种方法与设备，适用于使用一微凸块层在一中介层上形成一半导体设备封装体。上述微凸块层可包含微凸块与微凸块线，其中一微凸块是用于一芯片与上述中介层之间的一垂直连接，而一微凸块线是用于位在上述中介层的上方的不同芯片之间的信号传输所使用的水平连接。上述微凸块线可以与上述微凸块同时形成，具有低成本或未增加成本。
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公开(公告)号：TWI523169B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW102144776
申请日：2013-12-06
发明人： 顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 林佑霖 , LIN, YU LING , 呂宗育 , LU, CHUNG YU , 郭晉瑋 , KUO, CHIN WEI , 劉醇鴻 , LIU, TZUAN HORNG , 胡憲斌 , HU, HSIEN PIN , 鄭敏祺 , JENG, MIN CHIE
CPC分类号： H01L28/10 , H01L21/76885 , H01L23/49822 , H01L23/5227 , H01L23/645 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/81192 , H01L2224/81801 , H01L2224/83192 , H01L2224/83862 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2924/1206 , H01L2924/19042 , H01L2924/00014
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公开(公告)号：TW201431022A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102144776
申请日：2013-12-06
发明人： 顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 林佑霖 , LIN, YU LING , 呂宗育 , LU, CHUNG YU , 郭晉瑋 , KUO, CHIN WEI , 劉醇鴻 , LIU, TZUAN HORNG , 胡憲斌 , HU, HSIEN PIN , 鄭敏祺 , JENG, MIN CHIE
CPC分类号： H01L28/10 , H01L21/76885 , H01L23/49822 , H01L23/5227 , H01L23/645 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/81192 , H01L2224/81801 , H01L2224/83192 , H01L2224/83862 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2924/1206 , H01L2924/19042 , H01L2924/00014
摘要： 本發明提供一種封裝體，包括：一第一裝置，包括一第一重配層(RDL)；一微凸塊層，位於第一裝置之上，包括與第一重配層(RDL)連接的一第一微凸塊導線；以及一第一電感，包括第一重配層(RDL)及第一微凸塊導線。本發明也提供一種封裝體的製造方法。
简体摘要： 本发明提供一种封装体，包括：一第一设备，包括一第一重配层(RDL)；一微凸块层，位于第一设备之上，包括与第一重配层(RDL)连接的一第一微凸块导线；以及一第一电感，包括第一重配层(RDL)及第一微凸块导线。本发明也提供一种封装体的制造方法。
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公开(公告)号：TWI553802B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW103116197
申请日：2014-05-07
发明人： 劉醇鴻 , LIU, TZUAN HORNG , 黃詩雯 , HUANG, SHIH WEN , 呂宗育 , LU, CHUNG YU , 胡憲斌 , HU, HSIEN PIN , 侯上勇 , HOU, SHANG YUN , 鄭心圃 , JENG, SHIN PUU
CPC分类号： H01L21/76805 , H01L21/486 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L2224/0345 , H01L2224/0401 , H01L2224/05166 , H01L2224/05647 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/831 , H01L2224/97 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2224/83
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公开(公告)号：TWI532137B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW102143707
申请日：2013-11-29
发明人： 呂宗育 , LU, CHUNG YU , 胡憲斌 , HU, HSIEN PIN , 顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 劉醇鴻 , LIU, TZUAN HORNG , 黃詩雯 , HUANG, SHIH WEN , 侯上勇 , HOU, SHANG YUN , 鄭心圃 , JENG, SHIN PUU
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/4853 , H01L23/3142 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L25/04 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2224/13083 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16055 , H01L2224/16057 , H01L2224/16058 , H01L2224/16137 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/1701 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/814 , H01L2924/0002 , H01L2924/15192 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/014
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