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公开(公告)号：TW201436027A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW103101927
申请日：2014-01-20
Inventor： 吳麗嵐 , WU, LI LAN , 陳繼元 , CHEN, CHI YUAN , 劉銘棋 , LIU, MING CHYI , 駱家駉 , LO, CARY CHIA CHIUNG , 蔡騰群 , TSAI, TENG CHUN , 林正堂 , LIN, CHENG TUNG , 林國楹 , LIN, KUO YIN , 王立廷 , WANG, LI TING , 潘婉君 , PAN, WAN CHUN , 顏名良 , YEN, MING LIANG , 張惠政 , CHANG, HUICHENG
IPC: H01L21/306 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/0206 , B82Y10/00 , H01L21/3105 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66772 , H01L29/66795 , H01L29/775 , H01L29/78696
Abstract: 本發明之一實施例揭露一種清洗氧化層的方法，其包括在半導體基底上形成由半導體材料所構成的磊晶層，在磊晶層上形成氧化層，且將含有氧化劑的溶液施加於氧化層上，並透過清洗液清洗氧化層。在另一實施例中，對氧化層進行緻密化製程，其包括透過熱能、紫外線能量或其組合對氧化層進行處理。在環繞式閘極裝置的實施例中，對位於鰭式結構的磊晶部份上的氧化層進行清洗製程。本發明亦揭露其他的方法。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之一实施例揭露一种清洗氧化层的方法，其包括在半导体基底上形成由半导体材料所构成的磊晶层，在磊晶层上形成氧化层，且将含有氧化剂的溶液施加于氧化层上，并透过清洗液清洗氧化层。在另一实施例中，对氧化层进行致密化制程，其包括透过热能、紫外线能量或其组合对氧化层进行处理。在环绕式闸极设备的实施例中，对位于鳍式结构的磊晶部份上的氧化层进行清洗制程。本发明亦揭露其他的方法。
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公开(公告)号：TWI451490B
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW099139911
申请日：2007-02-07
Inventor： 劉源鴻 , LIU, YUAN HUNG , 劉銘棋 , LIU, MING CHYI , 杜友倫 , TU, YEUR LUEN , 羅際興 , LO, CHI HSIN , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG
IPC: H01L21/306 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02274 , H01L21/02115 , H01L21/28273 , H01L21/3086 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/3146 , H01L21/76816 , H01L21/7682 , H01L21/76885 , H01L21/76897 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/14632 , H01L27/14687 , H01L28/91 , H01L29/42328 , H01L29/7881
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公开(公告)号：TW201330067A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101122589
申请日：2012-06-25
Inventor： 劉銘棋 , LIU, MING CHYI
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02532 , H01L21/02609 , H01L21/02639 , H01L21/304 , H01L21/30604 , H01L21/3085 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L29/045 , H01L29/06 , H01L29/0653 , H01L29/66651
Abstract: 一種元件之製造方法，包括蝕刻一(110)矽基底，以於(110)矽基底中形成第一溝槽，其中(110)矽基底之上述溝槽間的剩餘部分形成矽條(silicon strips)，且其中上述矽條之側壁具有(111)表面定向(surface orientations)。於上述第一溝槽中填入一介電材料，以形成淺溝槽隔離(shallow trench isolation，STI)區；移除上述矽條，以於上述淺溝槽隔離區間形成第二溝槽；進行一磊晶製程，於上述第二溝槽中成長半導體條；及消減(recessing)上述淺溝槽隔離區之頂部部分，其中上述淺溝槽隔離區之被移除頂部部份間之半導體條的頂部部分係形成半導體鰭(fin)。
Abstract in simplified Chinese: 一种组件之制造方法，包括蚀刻一(110)硅基底，以于(110)硅基底中形成第一沟槽，其中(110)硅基底之上述沟槽间的剩余部分形成硅条(silicon strips)，且其中上述硅条之侧壁具有(111)表面定向(surface orientations)。于上述第一沟槽中填入一介电材料，以形成浅沟槽隔离(shallow trench isolation，STI)区；移除上述硅条，以于上述浅沟槽隔离区间形成第二沟槽；进行一磊晶制程，于上述第二沟槽中成长半导体条；及消减(recessing)上述浅沟槽隔离区之顶部部分，其中上述浅沟槽隔离区之被移除顶部部份间之半导体条的顶部部分系形成半导体鳍(fin)。
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公开(公告)号：TWI691105B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW108109373
申请日：2019-03-19
Inventor： 陳亭蓉 , CHEN, TING-JUNG , 劉銘棋 , LIU, MING-CHYI
IPC: H01L41/22 , H01L21/60 , H01L23/522
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公开(公告)号：TW202008435A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108127081
申请日：2019-07-30
Inventor： 劉銘棋 , LIU, MING-CHYI
Abstract: 一種積體電路包括絕緣體上半導體基底，所述絕緣體上半導體基底包括基底基板、絕緣體層及半導體裝置層。半導體裝置層中的源極區與汲極區通過在半導體裝置層中的通道區間隔開。閘極電極設置在通道區之上且具有在半導體裝置層的頂表面下方延伸的底表面。側壁間隔件結構沿著閘極電極的外側壁延伸，且具有擱置在半導體裝置層的頂表面上的底表面。閘極介電質將通道區與閘極電極的底表面分隔開且接觸側壁間隔件結構的底表面。位於閘極電極的底表面之下的通道區對應於半導體裝置層，且具有小於40埃的厚度。
Abstract in simplified Chinese: 一种集成电路包括绝缘体上半导体基底，所述绝缘体上半导体基底包括基底基板、绝缘体层及半导体设备层。半导体设备层中的源极区与汲极区通过在半导体设备层中的信道区间隔开。闸极电极设置在信道区之上且具有在半导体设备层的顶表面下方延伸的底表面。侧壁间隔件结构沿着闸极电极的外侧壁延伸，且具有搁置在半导体设备层的顶表面上的底表面。闸极介电质将信道区与闸极电极的底表面分隔开且接触侧壁间隔件结构的底表面。位于闸极电极的底表面之下的信道区对应于半导体设备层，且具有小于40埃的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI534884B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW103101927
申请日：2014-01-20
Inventor： 吳麗嵐 , WU, LI LAN , 陳繼元 , CHEN, CHI YUAN , 劉銘棋 , LIU, MING CHYI , 駱家駉 , LO, CARY CHIA CHIUNG , 蔡騰群 , TSAI, TENG CHUN , 林正堂 , LIN, CHENG TUNG , 林國楹 , LIN, KUO YIN , 王立廷 , WANG, LI TING , 潘婉君 , PAN, WAN CHUN , 顏名良 , YEN, MING LIANG , 張惠政 , CHANG, HUICHENG
IPC: H01L21/306 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/0206 , B82Y10/00 , H01L21/3105 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66772 , H01L29/66795 , H01L29/775 , H01L29/78696
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公开(公告)号：TW201608710A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104106961
申请日：2015-03-05
Inventor： 劉銘棋 , LIU, MING CHYI
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本揭露之提供一種影像感測器及其形成方法。此影像感測器包括基板，其中基板包括畫素區，周邊區及交界區，且交界區形成於畫素區與周邊區之間。此影像感測器亦包括第一閘極堆疊結構形成於畫素區之中，以及第二閘極堆疊結構形成於周邊區之中。第二閘極堆疊結構包括高介電常數介電層及第一金屬層。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露之提供一种影像传感器及其形成方法。此影像传感器包括基板，其中基板包括像素区，周边区及交界区，且交界区形成于像素区与周边区之间。此影像传感器亦包括第一闸极堆栈结构形成于像素区之中，以及第二闸极堆栈结构形成于周边区之中。第二闸极堆栈结构包括高介电常数介电层及第一金属层。
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公开(公告)号：TW201603244A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW103140641
申请日：2014-11-24
Inventor： 劉銘棋 , LIU, MINGCHYI
IPC: H01L27/115 , H01L29/788
CPC classification number: H01L27/11524 , H01L21/28008 , H01L21/28273 , H01L27/1157 , H01L29/42344 , H01L29/66545 , H01L29/66833 , H01L29/792
Abstract: 一種嵌入式快閃記憶體的積體電路，此積體電路包含一半導體基板，包含一記憶體區域以及相鄰記憶體區域的一邏輯區域。一邏輯元件位於邏輯區域上，包含一金屬閘極以及介電常數大於3.9的一材料層分離金屬閘極與半導體基板。一快閃記憶體單元元件位於記憶體區域上，包含一記憶體單元閘極，記憶體單元閘極藉由兩側的一介電區域電性絕緣。一金屬矽化物接觸墊位於記憶體單元閘極的一上表面上，其中記憶體單元閘極的上表面以及金屬矽化物接觸墊的一上表面相對於金屬閘極的一上表面以及介電區域的上表面凹陷化。並提供此積體電路的製備方法。
Abstract in simplified Chinese: 一种嵌入式闪存的集成电路，此集成电路包含一半导体基板，包含一内存区域以及相邻内存区域的一逻辑区域。一逻辑组件位于逻辑区域上，包含一金属闸极以及介电常数大于3.9的一材料层分离金属闸极与半导体基板。一闪存单元组件位于内存区域上，包含一内存单元闸极，内存单元闸极借由两侧的一介电区域电性绝缘。一金属硅化物接触垫位于内存单元闸极的一上表面上，其中内存单元闸极的上表面以及金属硅化物接触垫的一上表面相对于金属闸极的一上表面以及介电区域的上表面凹陷化。并提供此集成电路的制备方法。
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公开(公告)号：TW201515029A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW103115768
申请日：2014-05-02
Inventor： 曾元泰 , TSENG, YUAN TAI , 劉銘棋 , LIU, MING CHYI , 周仲彥 , CHOU, CHUNG YEN , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG
CPC classification number: H01F27/2804 , H01F1/0306 , H01F17/0013 , H01F17/0033 , H01F27/24 , H01F2017/0066 , H01F2027/2809 , H01L23/5227 , H01L28/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本揭露提供一種電感結構與其形成方法。電感結構包括：一基板；一第一介電層形成在該基板之上；一第一金屬層形成在該第一介電層之中；一第二介電層形成在該第一金屬層之上；以及一磁性層形成在該第一介電層之上，其中該磁性層具有一上表面、一下表面與複數個側壁表面介於該上表面與該下表面之間，且其中該些側壁表面具有至少兩個交界點(intersection points)。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种电感结构与其形成方法。电感结构包括：一基板；一第一介电层形成在该基板之上；一第一金属层形成在该第一介电层之中；一第二介电层形成在该第一金属层之上；以及一磁性层形成在该第一介电层之上，其中该磁性层具有一上表面、一下表面与复数个侧壁表面介于该上表面与该下表面之间，且其中该些侧壁表面具有至少两个交界点(intersection points)。
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公开(公告)号：TWI701729B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW107127501
申请日：2018-08-07
Inventor： 黃宏書 , HUANG, HUNG-SHU , 劉銘棋 , LIU, MING-CHYI
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