公开(公告)号：TWI653758B

公开(公告)日：2019-03-11

申请号：TW106125765

申请日：2017-07-31

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 鄭兆欽 ,  CHENG, CHAO CHING ,  葉致鍇 ,  YEH, CHIH CHIEH ,  吳政憲 ,  WU, CHENG HSIEN ,  江宏禮 ,  CHIANG, HUNG LI ,  邱榮標 ,  CHIU, JUNG PIAO ,  陳自強 ,  CHEN, TZU CHIANG ,  李宗霖 ,  LEE, TSUNG LIN ,  楊玉麟 ,  YANG, YU LIN ,  陳奕升 ,  CHEN, I SHENG

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

公开(公告)号：TW201839819A

公开(公告)日：2018-11-01

申请号：TW106141952

申请日：2017-11-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳奕升 ,  CHEN, I SHENG ,  黃思維 ,  HUANG, SZU WEI ,  江宏禮 ,  CHIANG, HUNG LI ,  吳政憲 ,  WU, CHENG HSIEN ,  葉致鍇 ,  YEH, CHIH CHIEH

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/40 ,  H01L29/66

Abstract: 一種半導體元件包括設置在基板上方之通道層、設置在基板上方之源極/汲極區域、設置在通道層之各者上並且纏繞通道層之各者的閘極介電層、以及設置在閘極介電層上並且纏繞通道層之各者的閘極電極層。通道層之各者包括由核心區域、以及一或多個殼體區域製成之半導體接線。核心區域具有近似方形形狀之橫截面並且一或多個殼體之第一殼體圍繞核心區域形成近似菱形形狀之橫截面的第一殼體區域並且連接至對應於鄰近半導體接線的附近之第一殼體區域。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体组件包括设置在基板上方之信道层、设置在基板上方之源极/汲极区域、设置在信道层之各者上并且缠绕信道层之各者的闸极介电层、以及设置在闸极介电层上并且缠绕信道层之各者的闸极电极层。信道层之各者包括由内核区域、以及一或多个壳体区域制成之半导体接线。内核区域具有近似方形形状之横截面并且一或多个壳体之第一壳体围绕内核区域形成近似菱形形状之横截面的第一壳体区域并且连接至对应于邻近半导体接线的附近之第一壳体区域。

公开(公告)号：TW201730938A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW105139425

申请日：2016-11-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳奕升 ,  CHEN, I SHENG ,  吳政憲 ,  WU, CHENG HSIEN ,  葉致鍇 ,  YEH, CHIH CHIEH

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/78696 ,  H01L2029/7858

Abstract: 一種半導體裝置包括設置於基底上的第一通道層、設置於基底上的一第一源極/汲極區、設置於每一第一通道層上的一閘極介電層以及設置於閘極介電層上的閘極電極層。每一第一通道層包括由第一半導體材料所形成的一半導體線。半導體線穿過第一源極/汲極區並進入一固定(anchor)區。在固定區處，半導體線不具有閘極電極層及閘極介電層，且夾設於一第二半導體材料內。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备包括设置于基底上的第一信道层、设置于基底上的一第一源极/汲极区、设置于每一第一信道层上的一闸极介电层以及设置于闸极介电层上的闸极电极层。每一第一信道层包括由第一半导体材料所形成的一半导体线。半导体线穿过第一源极/汲极区并进入一固定(anchor)区。在固定区处，半导体线不具有闸极电极层及闸极介电层，且夹设于一第二半导体材料内。

公开(公告)号：TWI670761B

公开(公告)日：2019-09-01

申请号：TW106135776

申请日：2017-10-18

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳奕升 ,  CHEN, I SHENG ,  陳自強 ,  CHEN, TZU CHIANG ,  張智勝 ,  CHANG, CHIH SHENG ,  吳政憲 ,  WU, CHENG HSIEN

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/41

公开(公告)号：TWI636497B

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：TW105139311

申请日：2016-11-29

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳奕升 ,  CHEN, I SHENG ,  吳政憲 ,  WU, CHENG HSIEN ,  葉致鍇 ,  YEH, CHIH CHIEH

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

公开(公告)号：TW201830701A

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：TW106122427

申请日：2017-07-04

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 楊育佳 ,  YEO, YEE-CHIA ,  江宏禮 ,  CHIANG, HUNG LI ,  許志成 ,  SHEU, JYH CHERNG ,  王菘豊 ,  WANG, SUNG LI ,  陳奕升 ,  CHEN, I SHENG ,  徐志安 ,  CHUI, CHI-ON

IPC: H01L29/43 ,  H01L21/768

Abstract: 半導體元件包含場效電晶體(field effect transistor,FET)。場效電晶體包含第一通道、第一源極及第一汲極、第二通道、第二源極及第二汲極以及閘極結構。閘極結構設置在第一通道與第二通道上，閘極結構包含閘極介電層與閘極電極層。第一源極包含第一結晶半導體層，且第二源極包含第二結晶半導體層。第一源極與第二源極由合金層連接，合金層由一或多個第四族元素與一或多個過渡元素所製成。第一結晶半導體層未直接接觸第二結晶半導體層。

Abstract in simplified Chinese: 半导体组件包含场效应管(field effect transistor,FET)。场效应管包含第一信道、第一源极及第一汲极、第二信道、第二源极及第二汲极以及闸极结构。闸极结构设置在第一信道与第二信道上，闸极结构包含闸极介电层与闸极电极层。第一源极包含第一结晶半导体层，且第二源极包含第二结晶半导体层。第一源极与第二源极由合金层连接，合金层由一或多个第四族元素与一或多个过渡元素所制成。第一结晶半导体层未直接接触第二结晶半导体层。

公开(公告)号：TWI618125B

公开(公告)日：2018-03-11

申请号：TW105139425

申请日：2016-11-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳奕升 ,  CHEN, I SHENG ,  吳政憲 ,  WU, CHENG HSIEN ,  葉致鍇 ,  YEH, CHIH CHIEH

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/78696 ,  H01L2029/7858

公开(公告)号：TW201735264A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105122580

申请日：2016-07-18

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 陳奕寰 ,  CHEN, YI HUAN ,  范富傑 ,  FAN, FU JIER ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG BENG ,  霍克孝 ,  HUO, KER HSIAO ,  陳奕升 ,  CHEN, YI SHENG ,  劉思賢 ,  LIU, SZU HSIEN ,  林國樹 ,  LIN, KAU CHU ,  葉力瑄 ,  YEH, LI HSUAN

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823493 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621

Abstract: 本發明揭示一種方法，其包含形成延伸至一半導體基板中之一隔離區、蝕刻該隔離區之一頂部部分，以在該隔離區中形成一凹陷及形成延伸至該凹陷中且與該隔離區之一下部分重疊之一閘極堆疊。一源極區及一汲極區形成於該閘極堆疊之相對側上。該閘極堆疊、該源極區及該汲極區為一金屬氧化物半導體器件(MOS)之部分。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种方法，其包含形成延伸至一半导体基板中之一隔离区、蚀刻该隔离区之一顶部部分，以在该隔离区中形成一凹陷及形成延伸至该凹陷中且与该隔离区之一下部分重叠之一闸极堆栈。一源极区及一汲极区形成于该闸极堆栈之相对侧上。该闸极堆栈、该源极区及该汲极区为一金属氧化物半导体器件(MOS)之部分。

公开(公告)号：TWI643348B

公开(公告)日：2018-12-01

申请号：TW106103361

申请日：2017-01-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 陳奕升 ,  CHEN, YI-SHENG ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG-BENG ,  范富傑 ,  FAN, FU-JIER ,  高榮輝 ,  KAO, JUNG-HUI ,  陳奕寰 ,  CHEN, YI-HUAN ,  林國樹 ,  LIN, KAU-CHU

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

公开(公告)号：TWI638427B

公开(公告)日：2018-10-11

申请号：TW105122580

申请日：2016-07-18

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 陳奕寰 ,  CHEN, YI HUAN ,  范富傑 ,  FAN, FU JIER ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG BENG ,  霍克孝 ,  HUO, KER HSIAO ,  陳奕升 ,  CHEN, YI SHENG ,  劉思賢 ,  LIU, SZU HSIEN ,  林國樹 ,  LIN, KAU CHU ,  葉力瑄 ,  YEH, LI HSUAN

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06