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公开(公告)号：TWI602301B
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：TW104134169
申请日：2015-10-19
发明人： 張哲豪 , ZHANG, ZHE HAO , 程潼文 , CHENG, TUNG WEN , 陳建穎 , CHEN, CHANG YIN , 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 張永融 , CHANG, YUNG JUNG
CPC分类号： H01L29/7851 , H01L21/30604 , H01L21/31116 , H01L21/76224 , H01L21/823412 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L27/0886 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/6653 , H01L29/66795 , H01L29/7848
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公开(公告)号：TWI587511B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW104132973
申请日：2015-10-07
发明人： 陳建穎 , CHEN, CHANG YIN , 程潼文 , CHENG, TUNG WEN , 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 倪俊龍 , NI, CHUN LUNG , 林志忠 , LIN, JR JUNG , 林志翰 , LIN, CHIH HAN
IPC分类号： H01L29/772 , H01L27/088 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/0338 , H01L21/0206 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823481 , H01L21/823821 , H01L21/823828 , H01L21/823878 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L29/0653 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66545
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公开(公告)号：TW201530772A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103117573
申请日：2014-05-20
发明人： 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 陳建穎 , CHEN, CHANG YIN , 林志忠 , LIN, JR JUNG , 林志翰 , LIN, CHIH HAN , 張永融 , CHANG, YUNG JUNG
CPC分类号： H01L21/76802 , H01L21/31144 , H01L21/76834 , H01L21/76897 , H01L21/823431 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L27/1211 , H01L29/66545
摘要： 本揭露提供一種一種半導體結構，其包括：一半導體層；一閘極，該閘極包含一導電部分及一側壁間隔物，一層間介電質(ILD)，其包圍該側壁間隔物及一含氮之保護層，其位於至少該閘極之該導電部分之該上表面上。該導電部分之上表面與該側壁間隔物之上表面實質上共平面。該含氮之保護層未覆蓋該側壁間隔物之該側壁表面。本揭露提供一種製造一半導體結構之方法，該方法包括：形成一金屬閘極結構，該金屬閘極結構包含一導電部分及被一第一層間介電質包圍之一側壁間隔物；在該金屬閘極結構上形成一保護層，其中形成該保護層以覆蓋至少該金屬閘極結構之該導電部分；及在該金屬閘極結構上形成一第二層間介電質。
简体摘要： 本揭露提供一种一种半导体结构，其包括：一半导体层；一闸极，该闸极包含一导电部分及一侧壁间隔物，一层间介电质(ILD)，其包围该侧壁间隔物及一含氮之保护层，其位于至少该闸极之该导电部分之该上表面上。该导电部分之上表面与该侧壁间隔物之上表面实质上共平面。该含氮之保护层未覆盖该侧壁间隔物之该侧壁表面。本揭露提供一种制造一半导体结构之方法，该方法包括：形成一金属闸极结构，该金属闸极结构包含一导电部分及被一第一层间介电质包围之一侧壁间隔物；在该金属闸极结构上形成一保护层，其中形成该保护层以覆盖至少该金属闸极结构之该导电部分；及在该金属闸极结构上形成一第二层间介电质。
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公开(公告)号：TWI620317B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW103146006
申请日：2014-12-29
发明人： 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 陳建穎 , CHEN, CHANG YIN , 林志忠 , LIN, JR JUNG , 林志翰 , LIN, CHIH HAN , 張永融 , CHANG, YUNG JUNG
CPC分类号： H01L29/66795 , H01L21/26586 , H01L21/32133 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66636 , H01L29/7848 , H01L29/785
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公开(公告)号：TWI570932B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW103141336
申请日：2014-11-28
发明人： 陳建穎 , CHEN, CHANG YIN , 程潼文 , CHENG, TUNG WEN , 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 巫柏奇 , WU, PO CHI , 林志忠 , LIN, JR JUNG , 林志翰 , LIN, CHIH HAN
CPC分类号： H01L29/0638 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L27/0886 , H01L29/0649 , H01L29/165 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7848
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公开(公告)号：TW201611283A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW103141336
申请日：2014-11-28
发明人： 陳建穎 , CHEN, CHANG YIN , 程潼文 , CHENG, TUNG WEN , 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 巫柏奇 , WU, PO CHI , 林志忠 , LIN, JR JUNG , 林志翰 , LIN, CHIH HAN
CPC分类号： H01L29/0638 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L27/0886 , H01L29/0649 , H01L29/165 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7848
摘要： 本揭露提供一種半導體結構，其包括具有中心部分和邊緣部分的基板，位於該基板上的隔離層；具有頂表面和側壁表面的半導體鰭片，其部分地位於該隔離層中，第一柵極位於該基板的邊緣部分，覆蓋該半導體鰭片的頂表面的一部分和側壁表面的一部分，以及第二柵極位元於該基板的中心部分，覆蓋該半導體鰭片的頂表面的一部分和側壁表面的一部分。第一柵極的接近該隔離層的下部寬度小於第一柵極的接近該半導體鰭片的頂表面的上部寬度。
简体摘要： 本揭露提供一种半导体结构，其包括具有中心部分和边缘部分的基板，位于该基板上的隔离层；具有顶表面和侧壁表面的半导体鳍片，其部分地位于该隔离层中，第一栅极位于该基板的边缘部分，覆盖该半导体鳍片的顶表面的一部分和侧壁表面的一部分，以及第二栅极比特于该基板的中心部分，覆盖该半导体鳍片的顶表面的一部分和侧壁表面的一部分。第一栅极的接近该隔离层的下部宽度小于第一栅极的接近该半导体鳍片的顶表面的上部宽度。
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公开(公告)号：TW201543674A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW103146006
申请日：2014-12-29
发明人： 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 陳建穎 , CHEN, CHANG YIN , 林志忠 , LIN, JR JUNG , 林志翰 , LIN, CHIH HAN , 張永融 , CHANG, YUNG JUNG
CPC分类号： H01L29/66795 , H01L21/26586 , H01L21/32133 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66636 , H01L29/7848 , H01L29/785
摘要： 本申請案揭示內容的一些實施例係提供一種場效電晶體結構，其包含第一半導體結構與閘極結構。該第一半導體結構包含通道區以及源極區與汲極區。該源極區與該汲極區係分別形成於該通道區的對側上。該閘極結構包含中心區與基腳區。該中心區係形成於該第一半導體結構上方。該基腳區係形成於該中心區的對側上並且沿著著該中心區與該第一半導體結構相鄰之處。
简体摘要： 本申请案揭示内容的一些实施例系提供一种场效应管结构，其包含第一半导体结构与闸极结构。该第一半导体结构包含信道区以及源极区与汲极区。该源极区与该汲极区系分别形成于该信道区的对侧上。该闸极结构包含中心区与基脚区。该中心区系形成于该第一半导体结构上方。该基脚区系形成于该中心区的对侧上并且沿着着该中心区与该第一半导体结构相邻之处。
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公开(公告)号：TW201543575A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW103145660
申请日：2014-12-26
发明人： 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 陳建穎 , CHEN, CHANG YIN , 林志忠 , LIN, JR JUNG , 林志翰 , LIN, CHIH HAN , 陳臆仁 , CHEN, YI JEN , 張永融 , CHANG, YUNG JUNG
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/8234 , H01L27/088
CPC分类号： H01L27/0886 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L21/823431 , H01L21/823437
摘要： 在本申請案揭示內容的一些實施例中，半導體結構包含基板、介電區、非平面結構與閘極堆疊。該介電區係形成於該基板上，並且具有頂部表面。該非平面結構從該頂部表面突出，並且包含通道區以及形成於該通道區之對側上的源極與汲極區。該閘極堆疊係形成於該頂部表面上、包裹該通道區以及包含閘極頂部表面，並且閘極側壁不與該非平面結構相交。該閘極側壁在該頂部表面的水平面係與垂直平面相距第一距離，以及在該閘極頂部表面的水平面與該垂直平面相距第二距離。該垂直平面相對於該頂部表面係垂直的，並且與該非平面結構相交。該第一距離係小於該第二距離。
简体摘要： 在本申请案揭示内容的一些实施例中，半导体结构包含基板、介电区、非平面结构与闸极堆栈。该介电区系形成于该基板上，并且具有顶部表面。该非平面结构从该顶部表面突出，并且包含信道区以及形成于该信道区之对侧上的源极与汲极区。该闸极堆栈系形成于该顶部表面上、包裹该信道区以及包含闸极顶部表面，并且闸极侧壁不与该非平面结构相交。该闸极侧壁在该顶部表面的水平面系与垂直平面相距第一距离，以及在该闸极顶部表面的水平面与该垂直平面相距第二距离。该垂直平面相对于该顶部表面系垂直的，并且与该非平面结构相交。该第一距离系小于该第二距离。
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公开(公告)号：TWI573274B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW103117573
申请日：2014-05-20
发明人： 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 陳建穎 , CHEN, CHANG YIN , 林志忠 , LIN, JR JUNG , 林志翰 , LIN, CHIH HAN , 張永融 , CHANG, YUNG JUNG
CPC分类号： H01L21/76802 , H01L21/31144 , H01L21/76834 , H01L21/76897 , H01L21/823431 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L27/1211 , H01L29/66545
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公开(公告)号：TWI567989B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW103116787
申请日：2014-05-13
发明人： 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 陳建穎 , CHEN, CHANG YIN , 張永融 , CHANG, YUNG JUNG
CPC分类号： H01L29/7851 , H01L29/66795 , H01L29/7848
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