公开(公告)号：TW201442126A

公开(公告)日：2014-11-01

申请号：TW102114521

申请日：2013-04-24

Applicant: 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

Inventor： 薛彥迅 ,  XUE, YAN XUN ,  耶爾馬茲 哈姆紮 ,  YILMAZ, HAMZA ,  何 約瑟 ,  HO, YUEH-SE ,  石磊 ,  SHI, LEI ,  趙良 ,  ZHAO, LIANG ,  黃平 ,  HUANG, PING ,  吳平麗 ,  WU, PING LI

IPC: H01L21/58

CPC classification number: H01L2224/73104

Abstract: 本發明涉及一種半導體器件的製備方法，更確切的說，本發明旨在提供一種在晶圓級的方式上達到製備應用在倒裝安裝工藝上的半導體器件的方法。在晶圓正面覆蓋第一塑封層形成其中的基準線，翻轉晶圓至其背面朝上，在晶圓減薄後在其背面沉積一金屬層，並翻轉晶圓至金屬層朝下，之後在金屬層上粘附一層粘貼膜，沿著基準線實施切割，形成正面帶有頂部塑封層和背面帶有底部金屬層的晶片，以獲得多個半導體器件。同時翻轉粘貼膜和各晶片，並在各頂部塑封層上粘附另一層粘貼膜，剝離各底部金屬層上所粘附的粘貼膜之後，在無翻轉的條件下將半導體器件拾取並安裝至承載基板上以實現倒裝安裝。

Abstract in simplified Chinese: 本发明涉及一种半导体器件的制备方法，更确切的说，本发明旨在提供一种在晶圆级的方式上达到制备应用在倒装安装工艺上的半导体器件的方法。在晶圆正面覆盖第一塑封层形成其中的基准线，翻转晶圆至其背面朝上，在晶圆减薄后在其背面沉积一金属层，并翻转晶圆至金属层朝下，之后在金属层上粘附一层粘贴膜，沿着基准线实施切割，形成正面带有顶部塑封层和背面带有底部金属层的芯片，以获得多个半导体器件。同时翻转粘贴膜和各芯片，并在各顶部塑封层上粘附另一层粘贴膜，剥离各底部金属层上所粘附的粘贴膜之后，在无翻转的条件下将半导体器件十取并安装至承载基板上以实现倒装安装。

公开(公告)号：TW201312665A

公开(公告)日：2013-03-16

申请号：TW100133173

申请日：2011-09-15

Applicant: 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

Inventor： 薛彥迅 ,  XUE, YAN XUN ,  黃平 ,  HUANG, PING ,  何 約瑟 ,  HO, YUEH-SE ,  耶爾馬茲 哈姆紮 ,  YILMAZ, HAMZA ,  魯軍 ,  LU, JUN ,  魯明朕 ,  LU, MING-CHEN

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L24/96 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明一般涉及一種半導體器件的封裝體及其製備方法，更確切的說，本發明涉及一種在晶圓級封裝技術中，將晶片進行整體封裝而使其並無裸露在塑封料之外的封裝結構及其製備方法。在本發明所提供的晶圓級封裝結構中，利用重分佈技術將分佈在晶片頂面的焊墊重新佈局設計成位於覆蓋晶片的頂部絕緣介質層中的排列焊點，並通過形成在矽襯底中的通孔及通孔中填充的金屬材料，將晶片頂面的一些電極或信號端子連接到位於晶片底面的底面電極金屬層上。並且晶圓級封裝結構中所包含的頂部塑封體與底部塑封體能較好的將晶片無縫隙的密封，形成良好的機械保護和電氣保護。

Abstract in simplified Chinese: 本发明一般涉及一种半导体器件的封装体及其制备方法，更确切的说，本发明涉及一种在晶圆级封装技术中，将芯片进行整体封装而使其并无裸露在塑封料之外的封装结构及其制备方法。在本发明所提供的晶圆级封装结构中，利用重分布技术将分布在芯片顶面的焊垫重新布局设计成位于覆盖芯片的顶部绝缘介质层中的排列焊点，并通过形成在硅衬底中的通孔及通孔中填充的金属材料，将芯片顶面的一些电极或信号端子连接到位于芯片底面的底面电极金属层上。并且晶圆级封装结构中所包含的顶部塑封体与底部塑封体能较好的将芯片无缝隙的密封，形成良好的机械保护和电气保护。

公开(公告)号：TW201306254A

公开(公告)日：2013-02-01

申请号：TW101127314

申请日：2012-07-27

Applicant: 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

Inventor： 安荷 叭剌 ,  BHALLA, ANUP ,  馬督兒 博德 ,  BOBDE, MADHUR ,  丁永平 ,  DING, YONGPING ,  張曉天 ,  ZHANG, XIAOTIAN ,  何 約瑟 ,  HO, YUEH-SE

IPC: H01L29/73 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66333

Abstract: 本發明係揭露一種用於製備陽極短路的場欄絕緣閘雙極電晶體（IGBT）之方法，包含選擇性地製備導電類型相反的第一半導體植入區和第二半導體植入區。第二導電類型的場欄層生長在基板上方或植入到基板中。外延層可以生長在基板上或場欄層上。在外延層中，製備一個或多個絕緣閘雙極電晶體元件。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭露一种用于制备阳极短路的场栏绝缘闸双极晶体管（IGBT）之方法，包含选择性地制备导电类型相反的第一半导体植入区和第二半导体植入区。第二导电类型的场栏层生长在基板上方或植入到基板中。外延层可以生长在基板上或场栏层上。在外延层中，制备一个或多个绝缘闸双极晶体管组件。

公开(公告)号：TWI632655B

公开(公告)日：2018-08-11

申请号：TW105103974

申请日：2016-02-05

Applicant: 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

Inventor： 張 曉天 ,  ZHANG, XIAOTIAN ,  瑪力卡勒強斯瓦密 雪克 ,  MALLIKARJUNASWAMY, SHEKAR ,  牛志強 ,  NIU, ZHIQIANG ,  胡 照群 ,  OH, CHEOW KHOON ,  何 約瑟 ,  HO, YUEH-SE

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60

公开(公告)号：TWI560845B

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：TW103142092

申请日：2014-12-04

Applicant: 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

Inventor： 薛 彥迅 ,  XUE, YAN XUN ,  依瑪茲 哈姆紥 ,  YILMAZ, HAMZA ,  何 約瑟 ,  HO, YUEH-SE ,  魯軍 ,  LU, JUN ,  魯明朕 ,  LU, MING-CHEN ,  高洪濤 ,  GAO, HONGTAO

IPC: H01L25/04 ,  H01L21/60

公开(公告)号：TWI536471B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：TW101101663

申请日：2012-01-17

Applicant: 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

Inventor： 魯軍 ,  LU, JUN ,  牛志強 ,  NIU, ZHIQIANG ,  何 約瑟 ,  HO, YUEH-SE ,  黃平 ,  HUANG, PING ,  龔玉平 ,  GONG, YUPING ,  薛彥迅 ,  XUE, YAN XUN ,  張曉天 ,  ZHANG, XIAOTIAN ,  魯明朕 ,  LU, MING-CHEN

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L2224/32245 ,  H01L2224/36 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TWI529894B

公开(公告)日：2016-04-11

申请号：TW103112388

申请日：2014-04-02

Applicant: 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

Inventor： 薛彥迅 ,  XUE, YAN XUN ,  耶爾馬茲 哈姆紮 ,  YILMAZ, HAMZA ,  何 約瑟 ,  HO, YUEH-SE ,  魯軍 ,  LU, JUN

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/73253

公开(公告)号：TWI514591B

公开(公告)日：2015-12-21

申请号：TW101141768

申请日：2012-11-09

Applicant: 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

Inventor： 朱廷剛 ,  ZHU, TINGGANG ,  安荷 叭剌 ,  BHALLA, ANUP ,  黃平 ,  HUANG, PING ,  何 約瑟 ,  HO, YUEH-SE

IPC: H01L29/872 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/28581 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/56 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L25/18 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0814 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/405 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/11616 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

公开(公告)号：TWI478252B

公开(公告)日：2015-03-21

申请号：TW100120730

申请日：2011-06-14

Applicant: 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

Inventor： 薛彥迅 ,  XUE, YAN XUN ,  何 約瑟 ,  HO, YUEH-SE ,  耶爾馬茲 哈姆紮 ,  YILMAZ, HAMZA ,  魯軍 ,  LU, JUN

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/32 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI473178B

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：TW100133173

申请日：2011-09-15

Applicant: 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

Inventor： 薛彥迅 ,  XUE, YAN XUN ,  黃平 ,  HUANG, PING ,  何 約瑟 ,  HO, YUEH-SE ,  耶爾馬茲 哈姆紮 ,  YILMAZ, HAMZA ,  魯軍 ,  LU, JUN ,  魯明朕 ,  LU, MING-CHEN

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L24/96 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00