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31.半導體裝置封裝件及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题: 半导体设备封装件及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF公开(公告)号:TW201118994A
公开(公告)日:2011-06-01
申请号:TW099110392
申请日:2010-04-02
申请人: 日月光半導體製造股份有限公司
IPC分类号: H01L
CPC分类号: H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/552 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L2221/68359 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/20 , H01L2224/211 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01052 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/19041 , H01L2924/3025
摘要: 一種半導體裝置封裝件及其製造方法。一實施例中之半導體裝置封裝件包括半導體裝置、封裝體、一組重新分配層及電磁干擾遮蔽。封裝體覆蓋半導體裝置之側表面、封裝體之下表面及半導體裝置之下表面。重新分配層係鄰近於前表面而配置並包括接地元件。接地元件包括連接表面,且連接表面電性暴露鄰近於此組重新分配層之至少一側表面之處。電磁干擾遮蔽鄰近於封裝體而配置並電性連接接地元件之連接表面。接地元件提供用以將入射至電磁干擾遮蔽之電磁輻射接地之電性路徑。
简体摘要: 一种半导体设备封装件及其制造方法。一实施例中之半导体设备封装件包括半导体设备、封装体、一组重新分配层及电磁干扰屏蔽。封装体覆盖半导体设备之侧表面、封装体之下表面及半导体设备之下表面。重新分配层系邻近于前表面而配置并包括接地组件。接地组件包括连接表面,且连接表面电性暴露邻近于此组重新分配层之至少一侧表面之处。电磁干扰屏蔽邻近于封装体而配置并电性连接接地组件之连接表面。接地组件提供用以将入射至电磁干扰屏蔽之电磁辐射接地之电性路径。
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32.使用焊劑的基板及被裝載物的接合方法 METHOD OF BONDING PARTS TO SUBSTRATE USING SOLDERING PASTE 审中-公开
简体标题: 使用焊剂的基板及被装载物的接合方法 METHOD OF BONDING PARTS TO SUBSTRATE USING SOLDERING PASTE公开(公告)号:TW201019405A
公开(公告)日:2010-05-16
申请号:TW098119752
申请日:2009-06-12
申请人: 三菱綜合材料股份有限公司
IPC分类号: H01L
CPC分类号: B23K1/0008 , B23K35/007 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/24 , B23K35/262 , B23K35/268 , B23K35/3013 , B23K2201/36 , B23K2203/52 , C22C5/02 , C22C11/06 , C22C13/00 , H01L23/49838 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L33/62 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05 , H01L2224/05552 , H01L2224/05554 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29116 , H01L2224/29144 , H01L2224/29298 , H01L2224/32014 , H01L2224/32055 , H01L2224/83143 , H01L2224/83192 , H01L2224/83194 , H01L2224/83385 , H01L2224/838 , H01L2224/95085 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/15787 , H05K1/111 , H05K3/341 , H05K2201/09381 , H05K2201/09427 , Y02P70/611 , Y02P70/613 , Y10T428/12486 , Y10T428/24777 , H01L2924/00014 , H01L2924/05432 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
摘要: 該使用焊劑的基板及被裝載物的接合方法中,在形成於上述基板的金屬化層,及形成於上述被裝載物的金屬化層之間,裝載或塗佈上述焊劑之後,在非氧化性環境中進行流平處理,來接合上述基板與上述被裝載物,形成於上述基板表面的上述金屬化層是具有:面積比上述被裝載物的上述金屬化層的面積還要小的金屬化層本體部分,及從上述金屬化層本體部分的周圍所突出的焊料引誘部所構成的平面形狀。
简体摘要: 该使用焊剂的基板及被装载物的接合方法中,在形成于上述基板的金属化层,及形成于上述被装载物的金属化层之间,装载或涂布上述焊剂之后,在非氧化性环境中进行流平处理,来接合上述基板与上述被装载物,形成于上述基板表面的上述金属化层是具有:面积比上述被装载物的上述金属化层的面积还要小的金属化层本体部分,及从上述金属化层本体部分的周围所突出的焊料引诱部所构成的平面形状。
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公开(公告)号:TW200838063A
公开(公告)日:2008-09-16
申请号:TW096138093
申请日:2007-10-12
IPC分类号: H01R
CPC分类号: B23K20/004 , B23K20/10 , B23K20/26 , H01L21/67138 , H01L24/45 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L2224/45124 , H01L2224/78 , H01L2224/85205 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01052 , H01L2924/01068 , H01L2924/01082 , H01L2924/19042 , H01L2224/48 , H01L2924/00 , H01L2924/00015
摘要: 一種超音波結合器,具有一結合工具、一金屬絲供應裝置、及一切割裝置;其中該結合工具、金屬絲供應裝置及切割裝置支承在一個可沿Z軸方向運動的主保持裝置上,且該結合工具、金屬絲供應裝置及切割裝置可利用該主保持裝置的一個Z軸驅動器向一基質的方向下降,其特徵在:該切割裝置(1)受到該主保持裝置(1)利用Z軸驅動器下降的作用只會下降到一中間位置(23),在此中間位置該切割裝置(22)設在距所要結合的金屬絲一段距離處,且該超音波結合器有一特別的驅動裝置(動作器)(20)以驅動該切割裝置(22),該驅動裝置不受主保持裝置(1)的運動影響地將該切割裝置(22)從該中間位置(23)進一步下降到一切斷位置(24),以將該金屬絲至少部分地切斷。
简体摘要: 一种超音波结合器,具有一结合工具、一金属丝供应设备、及一切割设备;其中该结合工具、金属丝供应设备及切割设备支承在一个可沿Z轴方向运动的主保持设备上,且该结合工具、金属丝供应设备及切割设备可利用该主保持设备的一个Z轴驱动器向一基质的方向下降,其特征在:该切割设备(1)受到该主保持设备(1)利用Z轴驱动器下降的作用只会下降到一中间位置(23),在此中间位置该切割设备(22)设在距所要结合的金属丝一段距离处,且该超音波结合器有一特别的驱动设备(动作器)(20)以驱动该切割设备(22),该驱动设备不受主保持设备(1)的运动影响地将该切割设备(22)从该中间位置(23)进一步下降到一切断位置(24),以将该金属丝至少部分地切断。
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公开(公告)号:TWI291982B
公开(公告)日:2008-01-01
申请号:TW094117568
申请日:2000-08-25
发明人: 有福征宏 ARIFUKU, MOTOHIRO , 渡邊伊津夫 WATANABE, ITSUO , 本村耕治 , 小林宏治 KOJI KOBAYASHI , 後藤泰史 YASUSHI GOTOU , 藤繩貢 FUJINAWA, TOHRU
IPC分类号: C09J
CPC分类号: H01L24/83 , C09J4/06 , H01L24/29 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/83192 , H01L2224/838 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01052 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H05K3/323 , H05K3/361 , H05K2201/0162 , H05K2201/0212 , Y10T428/2826 , Y10T428/2852 , H01L2924/00
摘要: 本發明為提供含有經由加熱發生游離自由基之硬化劑、自由基聚合性物質、及聚矽氧烷粒子之配線端子連接用之黏著劑、及使用此黏著劑之配線端子之連接方法及配線構造物。
简体摘要: 本发明为提供含有经由加热发生游离自由基之硬化剂、自由基聚合性物质、及聚硅氧烷粒子之配线端子连接用之黏着剂、及使用此黏着剂之配线端子之连接方法及配线构造物。
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公开(公告)号:TWI278501B
公开(公告)日:2007-04-11
申请号:TW089117423
申请日:2000-08-25
发明人: 有福征宏 ARIFUKU, MOTOHIRO , 渡邊伊津夫 WATANABE, ITSUO , 本村耕治 , 小林宏治 KOJI KOBAYASHI , 後藤泰史 YASUSHI GOTOU , 藤繩貢 FUJINAWA, TOHRU
IPC分类号: C09J
CPC分类号: H01L24/83 , C09J4/06 , H01L24/29 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/83192 , H01L2224/838 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01052 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H05K3/323 , H05K3/361 , H05K2201/0162 , H05K2201/0212 , Y10T428/2826 , Y10T428/2852 , H01L2924/00
摘要: 本發明為提供含有經由加熱發生游離自由基之硬化劑、自由基聚合性物質、及聚矽氧烷粒子之配線端子連接用之黏著劑、及使用此黏著劑之配線端子之連接方法及配線構造物。
简体摘要: 本发明为提供含有经由加热发生游离自由基之硬化剂、自由基聚合性物质、及聚硅氧烷粒子之配线端子连接用之黏着剂、及使用此黏着剂之配线端子之连接方法及配线构造物。
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36.晶片嵌埋式構裝結構及其製法 CHIP EMBEDDED PACKAGE STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题: 芯片嵌埋式构装结构及其制法 CHIP EMBEDDED PACKAGE STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF公开(公告)号:TW200634941A
公开(公告)日:2006-10-01
申请号:TW094109709
申请日:2005-03-29
发明人: 曾昭崇 ZENG, ZHAO CHONG
IPC分类号: H01L
CPC分类号: H01L21/6835 , H01L21/568 , H01L23/5389 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L2221/68354 , H01L2224/24227 , H01L2924/01012 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/18162
摘要: 一種晶片嵌埋式構裝結構及其製法,主要係提供具至少一開口之承載板;於該承載板之下表面形成一黏著層以封住該開口,並將至少一半導體晶片藉其非主動面而接置於該黏著層上,且容設於該承載板開口中;於該半導體晶片之主動面形成一保護層,並於該承載板上表面、保護層、承載板開口處表面形成一導電層;於該導電層上形成一圖案化阻層以對應該承載板開口與該晶片所形成之間隙位置形成欲電鍍開口;以及進行電鍍製程,於該欲電鍍開口中形成預定高度之一金屬層,俾可藉由該金屬層將晶片有效固定於該承載板開口中。
简体摘要: 一种芯片嵌埋式构装结构及其制法,主要系提供具至少一开口之承载板;于该承载板之下表面形成一黏着层以封住该开口,并将至少一半导体芯片藉其非主动面而接置于该黏着层上,且容设于该承载板开口中;于该半导体芯片之主动面形成一保护层,并于该承载板上表面、保护层、承载板开口处表面形成一导电层;于该导电层上形成一图案化阻层以对应该承载板开口与该芯片所形成之间隙位置形成欲电镀开口;以及进行电镀制程,于该欲电镀开口中形成预定高度之一金属层,俾可借由该金属层将芯片有效固定于该承载板开口中。
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公开(公告)号:TW200629516A
公开(公告)日:2006-08-16
申请号:TW094136371
申请日:2005-10-18
发明人: 河宗佑 HA, JONGWOO , 鄭泰福 JUNG, TAEBOK
IPC分类号: H01L
CPC分类号: H01L24/32 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/4951 , H01L23/49548 , H01L23/49575 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/32145 , H01L2224/32188 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/4826 , H01L2224/49 , H01L2224/73265 , H01L2225/06562 , H01L2225/06568 , H01L2225/1029 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01052 , H01L2924/01073 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
摘要: 本發明係揭示一種多晶片封裝,其具有包括周邊引線之一引線架,該等引線排列於一位於中心之晶粒腳座周圍。一第一(“上”)晶粒附著於該引線架晶粒腳座之一第一(“頂”)面,該面可為大體上平坦的。該引線架之第二(“底”)面被部分切除(諸如藉由部分蝕刻),以使該晶粒腳座之一外部更薄,並使該等引線之一內部更薄。該引線架之該第二(“底”)面中之此等部分切除的部分提供一空穴,在該空穴中一第二(“下”)晶粒活性面向上附著。該下晶粒可具有位於該活性表面中心附近之結合墊片,且該下晶粒之電互連可由穿過該晶粒腳座與該等引線之間的間隙的焊線來完成;或,該下晶粒可藉由覆晶與該引線架中之該空穴的該晶粒附著面互連來附著並電互連。又,多封裝模組包括至少一個該多晶片引線架封裝。
简体摘要: 本发明系揭示一种多芯片封装,其具有包括周边引线之一引线架,该等引线排列于一位于中心之晶粒脚座周围。一第一(“上”)晶粒附着于该引线架晶粒脚座之一第一(“顶”)面,该面可为大体上平坦的。该引线架之第二(“底”)面被部分切除(诸如借由部分蚀刻),以使该晶粒脚座之一外部更薄,并使该等引线之一内部更薄。该引线架之该第二(“底”)面中之此等部分切除的部分提供一空穴,在该空穴中一第二(“下”)晶粒活性面向上附着。该下晶粒可具有位于该活性表面中心附近之结合垫片,且该下晶粒之电互连可由穿过该晶粒脚座与该等引线之间的间隙的焊线来完成;或,该下晶粒可借由覆晶与该引线架中之该空穴的该晶粒附着面互连来附着并电互连。又,多封装模块包括至少一个该多芯片引线架封装。
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38.熱控制的自行組裝方法及導體基材 THERMALLY CONTROLLED SELF-ASSEMBLY METHOD AND CONDUCTIVE SUPPORT 审中-公开
简体标题: 热控制的自行组装方法及导体基材 THERMALLY CONTROLLED SELF-ASSEMBLY METHOD AND CONDUCTIVE SUPPORT公开(公告)号:TW200623342A
公开(公告)日:2006-07-01
申请号:TW094130012
申请日:2005-09-02
IPC分类号: H01L
CPC分类号: H01L24/95 , H01L23/345 , H01L24/86 , H01L25/50 , H01L2224/95085 , H01L2224/95136 , H01L2224/95145 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0101 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01021 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/01052 , H01L2924/01057 , H01L2924/0106 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15155 , H01L2924/15165 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/3025 , Y10T29/49117 , Y10T29/4913 , Y10T29/49144 , Y10T29/49155 , Y10T29/49162 , Y10T29/532 , H01L2924/15153
摘要: 本發明提供一基材及一將微組件組裝於該基材上之結合位點之方法。該基材具有經調適以在結合位點之間傳導電能之電導體圖案。根據該方法,一電訊號經至少一個包括至少一個該等導體之導電路徑傳遞,以使最接近該等結合位點之每一導電路徑之一部分產生熱,對該基材施用一經調適以在受熱時提高黏性之第一流體,並對該基材施用一具有經調適以嚙合該等結合位點之第一微組件之載體流體。其中來自至少一個導電路徑之熱提高最接近所選定結合位點之區域的該第一流體之黏性以阻止第一微組件嚙合該等結合位點。
简体摘要: 本发明提供一基材及一将微组件组装于该基材上之结合位点之方法。该基材具有经调适以在结合位点之间传导电能之电导体图案。根据该方法,一电信号经至少一个包括至少一个该等导体之导电路径传递,以使最接近该等结合位点之每一导电路径之一部分产生热,对该基材施用一经调适以在受热时提高黏性之第一流体,并对该基材施用一具有经调适以啮合该等结合位点之第一微组件之载体流体。其中来自至少一个导电路径之热提高最接近所选定结合位点之区域的该第一流体之黏性以阻止第一微组件啮合该等结合位点。
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公开(公告)号:TWI246107B
公开(公告)日:2005-12-21
申请号:TW093103801
申请日:2004-02-17
IPC分类号: H01L
CPC分类号: H01L21/6835 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/0753 , H01L2221/68368 , H01L2224/24226 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/01052 , H01L2924/01075 , H01L2924/01076 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/00
摘要: 本發明係提供一種在由排列元件之基板對其他之基板轉印元件時,在進行元件的轉印之後可以容易的進行基板的剝離,可以減低基板損傷的可能性,可在轉印元件之後可以再度在同一基板上追加元件作轉印之元件轉印方法及顯示裝置。
將排列於暫保持基板之多數之元件,埋入形成於轉印基板上之粘著層保持,由暫保持基板剝離元件。在硬化粘著層之前更將其他元件追加埋入粘著層,可在大面積之轉印基板上排列元件。另外,藉使追加埋入粘著層之元件與預先埋入粘著層之元件為不同特性之元件,可以簡便的得到具有可作多色顯示之顯示裝置與驅動電路之顯示裝置等。简体摘要: 本发明系提供一种在由排列组件之基板对其他之基板转印组件时,在进行组件的转印之后可以容易的进行基板的剥离,可以减低基板损伤的可能性,可在转印组件之后可以再度在同一基板上追加组件作转印之组件转印方法及显示设备。 将排列于暂保持基板之多数之组件,埋入形成于转印基板上之粘着层保持,由暂保持基板剥离组件。在硬化粘着层之前更将其他组件追加埋入粘着层,可在大面积之转印基板上排列组件。另外,藉使追加埋入粘着层之组件与预先埋入粘着层之组件为不同特性之组件,可以简便的得到具有可作多色显示之显示设备与驱动电路之显示设备等。
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40.半導體裝置用接合金線及其製造方法 A GOLD BONDING WIRE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A METHOD FOR PRODUCING THE SAME 有权
简体标题: 半导体设备用接合金线及其制造方法 A GOLD BONDING WIRE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A METHOD FOR PRODUCING THE SAME公开(公告)号:TWI237334B
公开(公告)日:2005-08-01
申请号:TW092127458
申请日:2003-10-03
IPC分类号: H01L
CPC分类号: C22C5/02 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L2224/05624 , H01L2224/4321 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/4851 , H01L2224/48624 , H01L2924/00011 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01052 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/0106 , H01L2924/01061 , H01L2924/01063 , H01L2924/01064 , H01L2924/01065 , H01L2924/01066 , H01L2924/0107 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/01204 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1433 , H01L2924/181 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , Y10T428/2913 , H01L2924/01039 , H01L2924/01049 , H01L2924/01004 , H01L2924/01203 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/01006
摘要: 本發明係提供一種半導體裝置用接合金線及其製造方法,其係可綜合改善用以實現窄間距連接之高強度.高彈性係數、環路形狀之安定性、線流變抑制、偏斜性及楔形接合部之接合性或疲勞特性等,且工業上亦具有優異之量產性者,又,接合金線係於接合線長向截面之晶粒組織中,於線長向之結晶方位內,具有〔111〕方位之晶粒面積相對於具有〔100〕方位之晶粒面積之比例為1.2以上者。
简体摘要: 本发明系提供一种半导体设备用接合金线及其制造方法,其系可综合改善用以实现窄间距连接之高强度.高弹性系数、环路形状之安定性、线流变抑制、偏斜性及楔形接合部之接合性或疲劳特性等,且工业上亦具有优异之量产性者,又,接合金线系于接合线长向截面之晶粒组织中,于线长向之结晶方位内,具有〔111〕方位之晶粒面积相对于具有〔100〕方位之晶粒面积之比例为1.2以上者。
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