公开(公告)号：TW201730935A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW105138166

申请日：2016-11-22

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳偉成 ,  WU, WEI-CHENG ,  鄧立峯 ,  TENG, LI FENG

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656

Abstract: 本發明實施例提供一種積體電路，其包括高介電常數金屬閘極非揮發性記憶體裝置並提供小尺寸及高效能。在一些實施例中，積體電路包括具有邏輯裝置的邏輯區及鄰近邏輯區安置的嵌入式記憶體區，邏輯裝置安置於基底之上且包括安置於第一高介電常數閘極介電層之上的金屬閘極。嵌入式記憶體區具有包括選擇閘極及控制閘極的分離式閘極快閃記憶胞。控制閘極或選擇閘極是藉由第二高介電常數閘極介電層而與基底隔開的金屬閘極。藉由在邏輯區及記憶體區二者中具有高介電常數金屬閘極結構，可能在新興技術節點中提高積體電路效能且進一步按比例縮小。

Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供一种集成电路，其包括高介电常数金属闸极非挥发性内存设备并提供小尺寸及高性能。在一些实施例中，集成电路包括具有逻辑设备的逻辑区及邻近逻辑区安置的嵌入式内存区，逻辑设备安置于基底之上且包括安置于第一高介电常数闸极介电层之上的金属闸极。嵌入式内存区具有包括选择闸极及控制闸极的分离式闸极快闪记忆胞。控制闸极或选择闸极是借由第二高介电常数闸极介电层而与基底隔开的金属闸极。借由在逻辑区及内存区二者中具有高介电常数金属闸极结构，可能在新兴技术节点中提高集成电路性能且进一步按比例缩小。

公开(公告)号：TW201724311A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105133194

申请日：2016-10-14

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳偉成 ,  WU, WEI-CHENG ,  朱芳蘭 ,  CHU, FANG-LAN ,  林宏達 ,  LIN, HONG-DA ,  張谷寧 ,  CHANG, KU-NING ,  連瑞宗 ,  LIEN, JUI-TSUNG ,  王羽榛 ,  WANG, YU CHEN

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/8247

CPC classification number: G01R31/2644 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/76877 ,  H01L22/34 ,  H01L23/528 ,  H01L23/544 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L28/00 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/513 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/5446

Abstract: 一種積體晶片具有半導體基板、測試線字母以及一或多個虛擬結構。測試線字母配置於半導體基板上方。測試線字母包括自半導體基板向外突出的呈字母-數字字符的形狀的正向凸紋。一或多個虛擬結構經配置於半導體基板上方。一或多個虛擬結構接近於測試線字母的邊界。

Abstract in simplified Chinese: 一种积体芯片具有半导体基板、测试线字母以及一或多个虚拟结构。测试线字母配置于半导体基板上方。测试线字母包括自半导体基板向外突出的呈字母-数字字符的形状的正向凸纹。一或多个虚拟结构经配置于半导体基板上方。一或多个虚拟结构接近于测试线字母的边界。

公开(公告)号：TW201717363A

公开(公告)日：2017-05-16

申请号：TW105124736

申请日：2016-08-04

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳偉成 ,  WU, WEI CHENG ,  連瑞宗 ,  LIEN, JUI TSUNG

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/1157 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

Abstract: 在一些實施例中，半導體基底包含藉由通道區互相分開的第一源極/汲極區及第二源極/汲極區。通道區包含第一部分相鄰於第一源極/汲極區和第二部分相鄰於第二源極/汲極區，選擇閘極隔開於通道區之第一部分之上，且藉由選擇閘極介電質與通道區之第一部分分開，記憶閘極隔開於通道區之第二部分之上，且藉由電荷捕獲介電結構與通道區之第二部分分開，電荷捕獲介電結構沿記憶閘極的側邊向上延伸，使選擇閘極與記憶閘極之相鄰側壁互相分開，氧化物或無氮化物間隔元件安排在最靠近第二源極/汲極區的電荷捕獲介電結構之側壁凹口內。

Abstract in simplified Chinese: 在一些实施例中，半导体基底包含借由信道区互相分开的第一源极/汲极区及第二源极/汲极区。信道区包含第一部分相邻于第一源极/汲极区和第二部分相邻于第二源极/汲极区，选择闸极隔开于信道区之第一部分之上，且借由选择闸极介电质与信道区之第一部分分开，记忆闸极隔开于信道区之第二部分之上，且借由电荷捕获介电结构与信道区之第二部分分开，电荷捕获介电结构沿记忆闸极的侧边向上延伸，使选择闸极与记忆闸极之相邻侧壁互相分开，氧化物或无氮化物间隔组件安排在最靠近第二源极/汲极区的电荷捕获介电结构之侧壁凹口内。

公开(公告)号：TWI548069B

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW103145757

申请日：2014-12-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 莊學理 ,  CHUANG, HARRY HAKLAY ,  吳偉成 ,  WU, WEICHENG

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/266 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823462 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848

公开(公告)号：TWI524434B

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：TW102147883

申请日：2013-12-24

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳柏年 ,  CHEN, PO NIEN ,  黃昱方 ,  HUANG, YU FANG ,  謝奇勳 ,  HSIEH, CHI HSUN ,  吳偉成 ,  WU, WEI CHENG ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  莊 學理 ,  CHUANG, HARRY-HAK-LAY

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823857

公开(公告)号：TW201513186A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：TW103104686

申请日：2014-02-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳常明 ,  WU, CHANG MING ,  吳偉成 ,  WU, WEI CHENG ,  劉世昌 ,  LIU, SHIH CHANG ,  蔡嘉雄 ,  TSAI, CHIA SHIUNG ,  莊 學理 ,  CHUANG, HARRY-HAK-LAY

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/788 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 本發明是揭露一種半導體裝置及其形成方法，上述半導體裝置包含：一控制閘極結構，在一基底的上方；一記憶閘極結構，在上述基底的上方，其中一電荷儲存層是形成於上述控制閘極結構與上述記憶閘極結構之間；一第一間隔物，沿著上述記憶閘極結構的一側壁；一第二間隔物，在上述記憶閘極結構的一上表面的上方；一第一汲極/源極區，形成於上述基底中且鄰接於上述記憶閘極結構；以及一第二汲極/源極區，形成於上述基底中且鄰接於上述控制閘極結構。

Abstract in simplified Chinese: 本发明是揭露一种半导体设备及其形成方法，上述半导体设备包含：一控制闸极结构，在一基底的上方；一记忆闸极结构，在上述基底的上方，其中一电荷存储层是形成于上述控制闸极结构与上述记忆闸极结构之间；一第一间隔物，沿着上述记忆闸极结构的一侧壁；一第二间隔物，在上述记忆闸极结构的一上表面的上方；一第一汲极/源极区，形成于上述基底中且邻接于上述记忆闸极结构；以及一第二汲极/源极区，形成于上述基底中且邻接于上述控制闸极结构。

公开(公告)号：TWI478247B

公开(公告)日：2015-03-21

申请号：TW101128181

申请日：2012-08-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 莊學理 ,  CHUANG, HARRY HAK-LAY ,  鍾昇鎮 ,  CHUNG, SHENG CHEN ,  吳偉成 ,  WU, WEI CHENG ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  林煥哲 ,  LIN, HUAN JUST ,  李再春 ,  LI, TSAI CHUN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201349458A

公开(公告)日：2013-12-01

申请号：TW102116634

申请日：2013-05-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林俊銘 ,  LIN, JYUN MING ,  吳偉成 ,  WU, WEI CHENG ,  鍾昇鎭 ,  CHUNG, SHENG CHEN ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  莊學理 ,  CHUANG, HAK-LAY

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/823857

Abstract: 本發明提供具有五個閘極堆疊於基板的不同區上之半導體元件與其形成方法。元件包括半導體基板，與隔離結構以分隔基板上的不同區域如p型場效電晶體核心區、p型場效電晶體輸入/輸出區、n型場效電晶體核心區、n型場效電晶體輸入/輸出區、與高電阻區。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供具有五个闸极堆栈于基板的不同区上之半导体组件与其形成方法。组件包括半导体基板，与隔离结构以分隔基板上的不同区域如p型场效应管内核区、p型场效应管输入/输出区、n型场效应管内核区、n型场效应管输入/输出区、与高电阻区。