半導體裝置以及半導體裝置的製造方法
    78.
    发明专利
    半導體裝置以及半導體裝置的製造方法 失效
    半导体设备以及半导体设备的制造方法

    公开(公告)号:TW353226B

    公开(公告)日:1999-02-21

    申请号:TW086106005

    申请日:1997-05-06

    发明人: 若生克則

    IPC分类号: H01L

    摘要: 一種製造半導體裝置的方法包含有:a)一接合程序,其中一平板元件被置於提供有一多數引線與一多數支撐條棒的平板元件上使得平板元件至少接觸該等多數引線,且該平板元件被連接於多數支撐條棒;b)一元件配置程序,其中一半導體元件配置在連接於該扁平型引線框之該等多數支撐條棒的平板元件上;c)一結線程序,其中一導線提供於該等多數引線的每一個與該半導體元件之間;d)一分離程序,在結線程序完成之後執行,其中該多數支撐條捧被變形以使該平板元件與該等多數引線分離與電氣隔離或分離該平板元件與該等多數引線。

    简体摘要: 一种制造半导体设备的方法包含有:a)一接合进程,其中一平板组件被置于提供有一多数引线与一多数支撑条棒的平板组件上使得平板组件至少接触该等多数引线,且该平板组件被连接于多数支撑条棒;b)一组件配置进程,其中一半导体组件配置在连接于该扁平型引线框之该等多数支撑条棒的平板组件上;c)一结线进程,其中一导线提供于该等多数引线的每一个与该半导体组件之间;d)一分离进程,在结线进程完成之后运行,其中该多数支撑条捧被变形以使该平板组件与该等多数引线分离与电气隔离或分离该平板组件与该等多数引线。

    半導體裝置
    80.
    发明专利
    半導體裝置 失效
    半导体设备

    公开(公告)号:TW307909B

    公开(公告)日:1997-06-11

    申请号:TW085101573

    申请日:1996-02-08

    IPC分类号: H01L

    摘要: 一種半導體裝置,包含有基體,該基體具有中空洞穴用來將半導體元件安裝在其中,和在洞穴之周邊具有下級表面用來將晶片組件安裝在其上。半導體元件被安裝在該洞穴內和積層電容器被安裝到下級表面。該半導體元件和晶片組件經由電導體被連接到外部電路。將帽蓋附接到基體和將密封材料填入到帽蓋和基體之間之空間,用來密封該洞穴和用來包圍可以沿著洞穴之整個周邊延伸之下級表面上之晶片組件。該帽蓋可以包括有突出部用來銜接在下級表面之側壁,或另外一種方式,該下級表面可以包括有一個側壁具有突出部銜接到帽蓋之周邊。該半導體裝置可以更包含有散熱器附接到半導體元件。

    简体摘要: 一种半导体设备,包含有基体,该基体具有中空洞穴用来将半导体组件安装在其中,和在洞穴之周边具有下级表面用来将芯片组件安装在其上。半导体组件被安装在该洞穴内和积层电容器被安装到下级表面。该半导体组件和芯片组件经由电导体被连接到外部电路。将帽盖附接到基体和将密封材料填入到帽盖和基体之间之空间,用来密封该洞穴和用来包围可以沿着洞穴之整个周边延伸之下级表面上之芯片组件。该帽盖可以包括有突出部用来衔接在下级表面之侧壁,或另外一种方式,该下级表面可以包括有一个侧壁具有突出部衔接到帽盖之周边。该半导体设备可以更包含有散热器附接到半导体组件。