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公开(公告)号：TWI498975B
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW101114983
申请日：2012-04-26
发明人： 殷宏林 , YIN, HUNG LIN , 謝哲偉 , HSIEH, JER WEI , 林立元 , LIN, LI YUAN
IPC分类号： H01L21/50
CPC分类号： H01L23/49866 , B81C1/00269 , B81C2203/019 , H01L21/50 , H01L21/76251 , H01L23/10 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/95 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0347 , H01L2224/03614 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11614 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/16507 , H01L2224/2745 , H01L2224/27462 , H01L2224/2747 , H01L2224/27614 , H01L2224/29011 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29084 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/32146 , H01L2224/32148 , H01L2224/32235 , H01L2224/32238 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/48091 , H01L2224/48148 , H01L2224/48228 , H01L2224/48463 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/73215 , H01L2224/81011 , H01L2224/81013 , H01L2224/81022 , H01L2224/81121 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81825 , H01L2224/81948 , H01L2224/83011 , H01L2224/83013 , H01L2224/83022 , H01L2224/83121 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83805 , H01L2224/83825 , H01L2224/83948 , H01L2224/9202 , H01L2224/92147 , H01L2224/95 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/16235 , H01L2924/351 , H01L2924/00015 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
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公开(公告)号：TW201344807A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW101114983
申请日：2012-04-26
发明人： 殷宏林 , YIN, HUNG LIN , 謝哲偉 , HSIEH, JER WEI , 林立元 , LIN, LI YUAN
IPC分类号： H01L21/50
CPC分类号： H01L23/49866 , B81C1/00269 , B81C2203/019 , H01L21/50 , H01L21/76251 , H01L23/10 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/95 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0347 , H01L2224/03614 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11614 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/16507 , H01L2224/2745 , H01L2224/27462 , H01L2224/2747 , H01L2224/27614 , H01L2224/29011 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29084 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/32146 , H01L2224/32148 , H01L2224/32235 , H01L2224/32238 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/48091 , H01L2224/48148 , H01L2224/48228 , H01L2224/48463 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/73215 , H01L2224/81011 , H01L2224/81013 , H01L2224/81022 , H01L2224/81121 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81825 , H01L2224/81948 , H01L2224/83011 , H01L2224/83013 , H01L2224/83022 , H01L2224/83121 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83805 , H01L2224/83825 , H01L2224/83948 , H01L2224/9202 , H01L2224/92147 , H01L2224/95 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/16235 , H01L2924/351 , H01L2924/00015 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 本發明提供一種基材的接合方法，包含：首先提供一第一基材和一第二基材，其中一第一銀層覆蓋第一基材之表面，一第二銀層覆蓋第二基材之表面以及一金屬層覆蓋第二銀層，其中金屬層包含一第一鍚層，接著進行一接合製程，將第一基材與第二基材對準，使得金屬層和第一銀層接觸，並且施加負載並加熱至一預定溫度以生成Ag3Sn金屬間化合物，最後降溫並移除負載，完成接合製程。
简体摘要： 本发明提供一种基材的接合方法，包含：首先提供一第一基材和一第二基材，其中一第一银层覆盖第一基材之表面，一第二银层覆盖第二基材之表面以及一金属层覆盖第二银层，其中金属层包含一第一钖层，接着进行一接合制程，将第一基材与第二基材对准，使得金属层和第一银层接触，并且施加负载并加热至一预定温度以生成Ag3Sn金属间化合物，最后降温并移除负载，完成接合制程。
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公开(公告)号：TWI512938B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW102127210
申请日：2013-07-30
发明人： 謝哲偉 , HSIEH, JER WEI
IPC分类号： H01L25/04
CPC分类号： B81B7/0038 , B81B7/0058 , B81B2201/032 , B81C1/00238 , B81C1/00817 , B81C1/00825 , B81C2201/053 , B81C2201/056 , B81C2203/0785
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公开(公告)号：TWI531014B
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：TW103104931
申请日：2014-02-14
发明人： 殷宏林 , YIN, HUNG LIN , 謝哲偉 , HSIEH, JER WEI
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公开(公告)号：TW201532153A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103104931
申请日：2014-02-14
发明人： 殷宏林 , YIN, HUNG LIN , 謝哲偉 , HSIEH, JER WEI
摘要： 氣密晶圓級封裝方法包含：(a)於封蓋晶圓的第一表面形成數個環形墊及數個由各環形墊圍繞的接合墊，各接合墊內形成有一分別由一內環面所定義的凹槽；(b)於封蓋晶圓的第一表面側形成阻障層；(c)在阻障層上形成由非晶矽或非晶鍺所構成的第一接合層；(d)藉第一接合層與元件晶圓之第一表面上的圖案化第二接合層共晶接合，元件晶圓之第一表面具有一與部分圖案化第二接合層電連接的電子元件；(e)自相反於封蓋晶圓之第一表面的第二表面局部移除封蓋晶圓以定義出外表面並使各凹槽對應形成穿孔；及(f)於封蓋晶圓的外表面之各穿孔處覆蓋金屬導電層以電連接於圖案化第二接合層。
简体摘要： 气密晶圆级封装方法包含：(a)于封盖晶圆的第一表面形成数个环形垫及数个由各环形垫围绕的接合垫，各接合垫内形成有一分别由一内环面所定义的凹槽；(b)于封盖晶圆的第一表面侧形成阻障层；(c)在阻障层上形成由非晶硅或非晶锗所构成的第一接合层；(d)藉第一接合层与组件晶圆之第一表面上的图案化第二接合层共晶接合，组件晶圆之第一表面具有一与部分图案化第二接合层电连接的电子组件；(e)自相反于封盖晶圆之第一表面的第二表面局部移除封盖晶圆以定义出外表面并使各凹槽对应形成穿孔；及(f)于封盖晶圆的外表面之各穿孔处覆盖金属导电层以电连接于图案化第二接合层。
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公开(公告)号：TW201431038A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102127210
申请日：2013-07-30
发明人： 謝哲偉 , HSIEH, JER WEI
IPC分类号： H01L25/04
CPC分类号： B81B7/0038 , B81B7/0058 , B81B2201/032 , B81C1/00238 , B81C1/00817 , B81C1/00825 , B81C2201/053 , B81C2201/056 , B81C2203/0785
摘要： 一整合式微機電元件及其製造方法，在製造方法中是利用犧牲層輔助來使多層微機電結構晶圓整合至電路晶圓上，形成之微機電元件具有包括結構具備平坦的表面形貌、及能使用單晶矽及多晶矽等穩定的高溫成型材料等優點，特別適用於具高填充因子之微機電陣列元件之製作。
简体摘要： 一集成式微机电组件及其制造方法，在制造方法中是利用牺牲层辅助来使多层微机电结构晶圆集成至电路晶圆上，形成之微机电组件具有包括结构具备平坦的表面形貌、及能使用单晶硅及多晶硅等稳定的高温成型材料等优点，特别适用于具高填充因子之微机电数组组件之制作。
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