公开(公告)号：TWI498975B

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：TW101114983

申请日：2012-04-26

申请人： 亞太優勢微系統股份有限公司 ,  ASIAN PACIFIC MICROSYSTEMS, INC.

发明人： 殷宏林 ,  YIN, HUNG LIN ,  謝哲偉 ,  HSIEH, JER WEI ,  林立元 ,  LIN, LI YUAN

IPC分类号： H01L21/50

CPC分类号： H01L23/49866 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/019 ,  H01L21/50 ,  H01L21/76251 ,  H01L23/10 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/95 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11614 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/2747 ,  H01L2224/27614 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29084 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/32146 ,  H01L2224/32148 ,  H01L2224/32235 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48148 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81013 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2224/95 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

公开(公告)号：TW201438146A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：TW103100418

申请日：2014-01-06

申请人： 萬國商業機器公司 ,  INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

发明人： 鄭田仁 ,  CHENG, TIEN-JEN ,  法洛奎 莫塔G ,  FAROOQ, MUKTA G. ,  費茲西門斯 約翰A ,  FITZSIMMONS, JOHN A.

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L23/488 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/038 ,  H01L2224/03825 ,  H01L2224/03829 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/27831 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32146 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80447 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1011 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/05552

摘要： 本發明提供一種穩定精細紋理化金屬微結構，其構成可用於接合一3D堆疊式晶片之一耐久活化表面。抵抗自退火之一精細顆粒層實現在適度時間及溫度與較寬廣之製程靈活性下的金屬對金屬接合。

简体摘要： 本发明提供一种稳定精细纹理化金属微结构，其构成可用于接合一3D堆栈式芯片之一耐久活化表面。抵抗自退火之一精细颗粒层实现在适度时间及温度与较宽广之制程灵活性下的金属对金属接合。

公开(公告)号：TWI511215B

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：TW102120660

申请日：2013-06-11

申请人： 新川股份有限公司 ,  SHINKAWA LTD.

发明人： 高橋浩一 ,  TAKAHASHI, KOICHI ,  谷大輔 ,  TANI, DAISUKE

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/75 ,  B32B37/0046 ,  B32B41/00 ,  B32B2309/72 ,  B32B2313/00 ,  B32B2457/14 ,  H01L23/481 ,  H01L23/544 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32146 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75754 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81908 ,  H01L2224/83123 ,  H01L2224/83129 ,  H01L2224/8313 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：TWI500123B

公开(公告)日：2015-09-11

申请号：TW101124121

申请日：2012-07-04

申请人： 索泰克公司 ,  SOITEC

发明人： 阮 璧顏 ,  NGUYEN, BICH-YEN ,  沙達卡 瑪麗姆 ,  SADAKA, MARIAM

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L25/50 ,  G02B6/43 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/367 ,  H01L23/473 ,  H01L23/525 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/95 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32146 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/802 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80447 ,  H01L2224/80487 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06534 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201143008A

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：TW100114657

申请日：2011-04-27

申请人： 海力士半導體股份有限公司

发明人： 趙勝熙 ,  金聖哲

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/10165 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32146 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/831 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

摘要： 一種半導體封裝包含複數個堆疊半導體晶片及一填充料。每一個堆疊半導體晶片包含具有一第一表面及一第二表面之一半導體基板,其中諸如一接合墊之電路圖案係被形成於該第一表面上,且一第一對準圖案被形成於該半導體基板之該第一表面上,其中該第一對準圖案係由磁性材料形成。該填充料填充在該等半導體晶片之間的間隙。

简体摘要： 一种半导体封装包含复数个堆栈半导体芯片及一填充料。每一个堆栈半导体芯片包含具有一第一表面及一第二表面之一半导体基板,其中诸如一接合垫之电路图案系被形成于该第一表面上,且一第一对准图案被形成于该半导体基板之该第一表面上,其中该第一对准图案系由磁性材料形成。该填充料填充在该等半导体芯片之间的间隙。

公开(公告)号：TWI611858B

公开(公告)日：2018-01-21

申请号：TW102102122

申请日：2013-01-18

申请人： 艾克斯瑟樂普林特有限公司 ,  X-CELEPRINT LIMITED ,  美國伊利諾大學理事會 ,  THE BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ILLINOIS

发明人： 米納德 艾坦尼 ,  MENARD, ETIENNE ,  梅特 馬修 ,  MEITL, MATTHEW ,  羅傑斯 約翰A ,  ROGERS, JOHN A.

IPC分类号： B23K28/02 ,  B23K26/00

CPC分类号： H01L27/1266 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/7806 ,  H01L23/481 ,  H01L23/544 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/24 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/799 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L24/98 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/14618 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/043 ,  H01L31/048 ,  H01L31/1892 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68322 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24147 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/245 ,  H01L2224/24998 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/3012 ,  H01L2224/32104 ,  H01L2224/32146 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/75263 ,  H01L2224/75314 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80224 ,  H01L2224/82007 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/83093 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83224 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83859 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83868 ,  H01L2224/83871 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/9512 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/02276 ,  H05K1/18 ,  H05K13/04 ,  H05K13/046 ,  Y02E10/50 ,  Y10T29/49124 ,  Y10T29/51 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/13111

公开(公告)号：TW201611198A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：TW104111292

申请日：2015-04-08

申请人： 阿爾發金屬公司 ,  ALPHA METALS, INC.

发明人： 戈夏爾夏密克 ,  GHOSHAL, SHAMIK ,  恰奇尼馬雅庫瑪 ,  CHAKI, NIRMALYA KUMAR ,  羅伊寶拉米希谷帕塔 ,  ROY, POULAMI SENGUPTA ,  沙卡蘇利 ,  SARKAR, SIULI ,  魯斯托基安紐布哈弗 ,  RUSTOGI, ANUBHAV

IPC分类号： H01L23/00 ,  B22F1/02 ,  H01B1/22 ,  H01B5/16 ,  B22F7/04 ,  H01L21/52 ,  H01L21/00 ,  B22F3/10

CPC分类号： H01L24/29 ,  B22F1/0003 ,  B22F1/0014 ,  B22F1/0074 ,  B22F1/025 ,  B22F7/04 ,  B22F2007/047 ,  B22F2301/255 ,  B22F2302/45 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/025 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3601 ,  B23K35/3613 ,  B23K35/3618 ,  B23K35/365 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/56 ,  H01B1/22 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/50 ,  H01L51/5246 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13387 ,  H01L2224/1339 ,  H01L2224/13439 ,  H01L2224/1349 ,  H01L2224/13499 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27332 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32146 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/2064 ,  H05K3/321 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/0493 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/11436 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

摘要： 一種燒結粉末，包含：平均最長尺寸從100nm至50μm的第一類型金屬顆粒。

简体摘要： 一种烧结粉末，包含：平均最长尺寸从100nm至50μm的第一类型金属颗粒。

公开(公告)号：TW201308541A

公开(公告)日：2013-02-16

申请号：TW101124121

申请日：2012-07-04

申请人： 索泰克公司 ,  SOITEC

发明人： 阮 璧顏 ,  NGUYEN, BICH-YEN ,  沙達卡 瑪麗姆 ,  SADAKA, MARIAM

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L25/50 ,  G02B6/43 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/367 ,  H01L23/473 ,  H01L23/525 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/95 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32146 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/802 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80447 ,  H01L2224/80487 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06534 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

摘要： 形成鍵結半導體結構之方法包括提供一底材結構，其在相對較厚之一底材本體上包含相對較薄之一材料層，以及形成穿透該材料層之多個穿透晶圓互連。一第一半導體結構可以鍵結至該材料薄層上，且該第一半導體結構中至少一個導電部件可以在電性上與該些穿透晶圓互連其中至少一個耦合。在該第一半導體結構相反於該第一底材結構之一面，一轉移材料層可以提供於該第一半導體結構上方，且可以在該轉移材料層中形成電性互連、光學互連及流體互連其中至少一種。在該轉移材料層相反於該第一半導體結構之一面，一第二半導體結構可以提供於該轉移材料層上方。應用此等方法製作之鍵結半導體結構。

简体摘要： 形成键结半导体结构之方法包括提供一底材结构，其在相对较厚之一底材本体上包含相对较薄之一材料层，以及形成穿透该材料层之多个穿透晶圆互连。一第一半导体结构可以键结至该材料薄层上，且该第一半导体结构中至少一个导电部件可以在电性上与该些穿透晶圆互连其中至少一个耦合。在该第一半导体结构相反于该第一底材结构之一面，一转移材料层可以提供于该第一半导体结构上方，且可以在该转移材料层中形成电性互连、光学互连及流体互连其中至少一种。在该转移材料层相反于该第一半导体结构之一面，一第二半导体结构可以提供于该转移材料层上方。应用此等方法制作之键结半导体结构。

公开(公告)号：TW201605012A

公开(公告)日：2016-02-01

申请号：TW103138143

申请日：2014-11-04

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 何承穎 ,  HO, CHENG YING ,  林政賢 ,  LIN, JENG SHYAN ,  許文義 ,  HSU, WEN I ,  洪豐基 ,  HUNG, FENG CHI ,  楊敦年 ,  YAUNG, DUN NIAN ,  蔡映麟 ,  TSAI, YING LING

IPC分类号： H01L25/00 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/02 ,  H01L24/04 ,  H01L24/24 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/80 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/91 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/2405 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/24147 ,  H01L2224/32146 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73227 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821

摘要： 集成電路結構包括第一半導體晶片和第二半導體晶片。第一半導體晶片包括第一基底和在第一基底下面的第一複數個介電層。第二半導體晶片包括第二基底和在第二基底之上的第二複數個介電層，其中第一複數個介電層和第二複數個介電層彼此結合。金屬墊在第二複數個介電層中。再分配線在第一基底之上。導電插塞電耦合到該再分配線。導電插塞包括自第一基底的頂表面延伸至第一基底的底表面之第一部分以及從第一基底的底表面延伸至金屬墊之第二部分。第二部分的底表面接觸金屬墊的頂表面。

简体摘要： 集成电路结构包括第一半导体芯片和第二半导体芯片。第一半导体芯片包括第一基底和在第一基底下面的第一复数个介电层。第二半导体芯片包括第二基底和在第二基底之上的第二复数个介电层，其中第一复数个介电层和第二复数个介电层彼此结合。金属垫在第二复数个介电层中。再分配线在第一基底之上。导电插塞电耦合到该再分配线。导电插塞包括自第一基底的顶表面延伸至第一基底的底表面之第一部分以及从第一基底的底表面延伸至金属垫之第二部分。第二部分的底表面接触金属垫的顶表面。

公开(公告)号：TW201413843A

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：TW102120660

申请日：2013-06-11

申请人： 新川股份有限公司 ,  SHINKAWA LTD.

发明人： 高橋浩一 ,  TAKAHASHI, KOICHI ,  谷大輔 ,  TANI, DAISUKE

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/75 ,  B32B37/0046 ,  B32B41/00 ,  B32B2309/72 ,  B32B2313/00 ,  B32B2457/14 ,  H01L23/481 ,  H01L23/544 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32146 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75754 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81908 ,  H01L2224/83123 ,  H01L2224/83129 ,  H01L2224/8313 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： 以簡便方法高精度地連接貫通電極。本發明之覆晶接合裝置500，係在設置第一貫通電極之第一層半導體晶片20之上，在與第一貫通電極對應之位置將設置第二貫通電極之第二層半導體晶片30加以積層接合，其特徵在於，具備：雙視野攝影機16，拍攝半導體晶片20,30之影像；以及控制部50；控制部50具備相對位置檢測程式53，該相對位置檢測程式53根據在積層接合前雙視野攝影機16所拍攝之第一層半導體晶片20表面之第一貫通電極之影像與在積層接合後雙視野攝影機16所拍攝之第二層半導體晶片30表面之第二貫通電極之影像，檢測已積層接合之各層之半導體晶片20,30之相對位置。

简体摘要： 以简便方法高精度地连接贯通电极。本发明之覆晶接合设备500，系在设置第一贯通电极之第一层半导体芯片20之上，在与第一贯通电极对应之位置将设置第二贯通电极之第二层半导体芯片30加以积层接合，其特征在于，具备：双视野摄影机16，拍摄半导体芯片20,30之影像；以及控制部50；控制部50具备相对位置检测进程53，该相对位置检测进程53根据在积层接合前双视野摄影机16所拍摄之第一层半导体芯片20表面之第一贯通电极之影像与在积层接合后双视野摄影机16所拍摄之第二层半导体芯片30表面之第二贯通电极之影像，检测已积层接合之各层之半导体芯片20,30之相对位置。