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公开(公告)号：TWI647030B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW103145414
申请日：2014-12-25
发明人： 川浩由 , KAWASAKI, HIROYOSHI , 西野友朗 , NISHINO, TOMOAKI , 六本木貴弘 , ROPPONGI, TAKAHIRO , 相馬大輔 , SOMA, DAISUKE , 佐藤勇 , SATO, ISAMU , 川又勇司 , KAWAMATA, YUJI , 平尾浩彥 , HIRAO, HIROHIKO , 田阪淳 , TASAKA, JUN
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公开(公告)号：TW201544214A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW103145414
申请日：2014-12-25
发明人： 川浩由 , KAWASAKI, HIROYOSHI , 西野友朗 , NISHINO, TOMOAKI , 六本木貴弘 , ROPPONGI, TAKAHIRO , 相馬大輔 , SOMA, DAISUKE , 佐藤勇 , SATO, ISAMU , 川又勇司 , KAWAMATA, YUJI , 平尾浩彥 , HIRAO, HIROHIKO , 田阪淳 , TASAKA, JUN
CPC分类号： B23K35/3601 , B22F1/0062 , B23K35/36 , C22F1/00 , C22F1/08 , H01L23/49816 , H01L23/556 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05073 , H01L2224/05147 , H01L2224/0569 , H01L2224/111 , H01L2224/11334 , H01L2224/11821 , H01L2224/11823 , H01L2224/11824 , H01L2224/11825 , H01L2224/11849 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13147 , H01L2224/132 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/13347 , H01L2224/134 , H01L2224/13455 , H01L2224/13457 , H01L2224/1349 , H01L2224/136 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/1369 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H05K3/3436 , H05K2201/10234 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01027 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01083 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01048 , H01L2924/01082 , H01L2924/01079 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01092 , H01L2924/0109 , H01L2924/0103
摘要： 本發明係為抑制發生軟錯誤的同時，確保銅球對電極上構裝時的對位性。 本發明之OSP處理銅球11，其係包括：銅球1；及含有將該銅球1的表面披覆的咪唑化合物的有機披膜2之OSP處理銅球。銅球1，係純度為99.9%以上99.995%以下，鈾的含量為5ppb以下，釷的含量為5ppb以下，鉛或鉍的含量或合併鉛及鉍兩者之含量的合計量為1ppm以上，真球度為0.95以上，α射線劑量為0.0200cph/cm2以下。
简体摘要： 本发明系为抑制发生软错误的同时，确保铜球对电极上构装时的对位性。 本发明之OSP处理铜球11，其系包括：铜球1；及含有将该铜球1的表面披覆的咪唑化合物的有机披膜2之OSP处理铜球。铜球1，系纯度为99.9%以上99.995%以下，铀的含量为5ppb以下，钍的含量为5ppb以下，铅或铋的含量或合并铅及铋两者之含量的合计量为1ppm以上，真球度为0.95以上，α射线剂量为0.0200cph/cm2以下。
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