公开(公告)号：TW201838745A

公开(公告)日：2018-11-01

申请号：TW107106789

申请日：2018-03-01

申请人： 日商千住金屬工業股份有限公司 ,  SENJU METAL INDUSTRY CO., LTD.

发明人： 西野友朗 ,  NISHINO, TOMOAKI ,  服部貴洋 ,  HATTORI, TAKAHIRO ,  川浩由 ,  KAWASAKI, HIROYOSHI ,  六本木貴弘 ,  ROPPONGI, TAKAHIRO ,  相馬大輔 ,  SOMA, DAISUKE ,  佐藤勇 ,  SATO, ISAMU

IPC分类号： B22F1/02 ,  B23K35/362 ,  C22C13/00

摘要： 提供可抑制電子遷移發生的焊接材料。焊接材料為核球1A，包括Cu或Cu合金所構成的球狀的核2A及披覆核2A的焊料層3A，焊料層3A中， Cu含量為0.1質量%以上、3.0質量%以下， Bi含量為0.5質量%以上、5.0質量%以下， Ag含量為0質量%以上、4.5質量%以下， Ni含量為0質量%以上、0.1質量%以下， 其餘為Sn。

简体摘要： 提供可抑制电子迁移发生的焊接材料。焊接材料为核球1A，包括Cu或Cu合金所构成的球状的核2A及披覆核2A的焊料层3A，焊料层3A中， Cu含量为0.1质量%以上、3.0质量%以下， Bi含量为0.5质量%以上、5.0质量%以下， Ag含量为0质量%以上、4.5质量%以下， Ni含量为0质量%以上、0.1质量%以下， 其余为Sn。

公开(公告)号：TWI648416B

公开(公告)日：2019-01-21

申请号：TW106138292

申请日：2017-11-06

申请人： 日商千住金屬工業股份有限公司 ,  SENJU METAL INDUSTRY CO., LTD.

发明人： 西野友朗 ,  NISHINO, TOMOAKI ,  近藤茂喜 ,  KONDO, SHIGEKI ,  服部貴洋 ,  HATTORI, TAKAHIRO ,  川浩由 ,  KAWASAKI, HIROYOSHI ,  六本木貴弘 ,  ROPPONGI, TAKAHIRO ,  相馬大輔 ,  SOMA, DAISUKE ,  佐藤勇 ,  SATO, ISAMU

IPC分类号： C22C9/00 ,  C25D3/56 ,  C25D7/00 ,  B23K35/02 ,  B23K35/22 ,  B23K35/26 ,  H01L21/60

公开(公告)号：TW201715047A

公开(公告)日：2017-05-01

申请号：TW105120278

申请日：2016-06-28

申请人： 千住金屬工業股份有限公司 ,  SENJU METAL INDUSTRY CO., LTD.

发明人： 川浩由 ,  KAWASAKI, HIROYOSHI ,  西野友朗 ,  NISHINO, TOMOAKI ,  六本木貴弘 ,  ROPPONGI, TAKAHIRO ,  佐藤勇 ,  SATO, ISAMU ,  川又勇司 ,  KAWAMATA, YUJI

IPC分类号： C22C9/00 ,  C22C13/00 ,  B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B23K35/26 ,  B23K35/02 ,  H01L21/60 ,  H05K3/34

CPC分类号： B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B23K35/26 ,  C22C13/00 ,  H05K3/34

摘要： 其目的係正確地辨別不容易氧化之焊接材料。 Cu核心球1係包括：具有規定之大小而在半導體封裝和印刷電路基板之間來確保間隔之Cu球2以及被覆Cu球2之焊接層3。Cu核心球1係在溫度25℃、濕度40%之室內之150℃恆溫槽之72小時之燃燒試驗後之L*a*b*表色系之亮度為62.5以上，燃燒試驗前之焊接材料之L*a*b*表色系之亮度為65以上，並且，L*a*b*表色系之黃色度為7.0以下。

简体摘要： 其目的系正确地辨别不容易氧化之焊接材料。 Cu内核球1系包括：具有规定之大小而在半导体封装和印刷电路基板之间来确保间隔之Cu球2以及被覆Cu球2之焊接层3。Cu内核球1系在温度25℃、湿度40%之室内之150℃恒温槽之72小时之燃烧试验后之L*a*b*表色系之亮度为62.5以上，燃烧试验前之焊接材料之L*a*b*表色系之亮度为65以上，并且，L*a*b*表色系之黄色度为7.0以下。

公开(公告)号：TWI680194B

公开(公告)日：2019-12-21

申请号：TW105120278

申请日：2016-06-28

申请人： 日商千住金屬工業股份有限公司 ,  SENJU METAL INDUSTRY CO., LTD.

发明人： 川浩由 ,  KAWASAKI, HIROYOSHI ,  西野友朗 ,  NISHINO, TOMOAKI ,  六本木貴弘 ,  ROPPONGI, TAKAHIRO ,  佐藤勇 ,  SATO, ISAMU ,  川又勇司 ,  KAWAMATA, YUJI

IPC分类号： C22C9/00 ,  C22C13/00 ,  B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B23K35/26 ,  B23K35/02 ,  H01L21/60 ,  H05K3/34

公开(公告)号：TWI647030B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：TW103145414

申请日：2014-12-25

申请人： 千住金屬工業股份有限公司 ,  SENJU METAL INDUSTRY CO., LTD.

发明人： 川浩由 ,  KAWASAKI, HIROYOSHI ,  西野友朗 ,  NISHINO, TOMOAKI ,  六本木貴弘 ,  ROPPONGI, TAKAHIRO ,  相馬大輔 ,  SOMA, DAISUKE ,  佐藤勇 ,  SATO, ISAMU ,  川又勇司 ,  KAWAMATA, YUJI ,  平尾浩彥 ,  HIRAO, HIROHIKO ,  田阪淳 ,  TASAKA, JUN

IPC分类号： B22F1/00 ,  B23K35/30 ,  B23K35/22

公开(公告)号：TW201823482A

公开(公告)日：2018-07-01

申请号：TW106138292

申请日：2017-11-06

申请人： 日商千住金屬工業股份有限公司 ,  SENJU METAL INDUSTRY CO., LTD.

发明人： 西野友朗 ,  NISHINO, TOMOAKI ,  近藤茂喜 ,  KONDO, SHIGEKI ,  服部貴洋 ,  HATTORI, TAKAHIRO ,  川浩由 ,  KAWASAKI, HIROYOSHI ,  六本木貴弘 ,  ROPPONGI, TAKAHIRO ,  相馬大輔 ,  SOMA, DAISUKE ,  佐藤勇 ,  SATO, ISAMU

IPC分类号： C22C9/00 ,  C25D3/56 ,  C25D7/00 ,  B23K35/02 ,  B23K35/22 ,  B23K35/26 ,  H01L21/60

摘要： 本發明的核材料係在核12的表面上，將由Sn與Bi所構成(Sn-Bi)系焊料合金施行鍍敷被膜的核材料，其中，鍍焊層16中的Bi係在鍍焊層中依既定範圍濃度比分佈的核材料，在鍍焊層中依Bi濃度比91.7~106.7%既定範圍內分佈的核材料。因為鍍焊層中的Bi呈均質，因而包括鍍焊層中的內周側、外周側在內橫跨全區域的Bi濃度比均在既定範圍內。所以，不會發生內周側較外周側更早熔融，導致內周側與外周側出現體積膨脹差，造成核材料發生爆裂飛散等狀況。又，因為鍍焊層全體幾乎均勻熔融，因而不會有因熔融時序落差而發生的核材料位置偏移，故不會有因位置偏移等所衍生的電極間短路等可能性。

简体摘要： 本发明的核材料系在核12的表面上，将由Sn与Bi所构成(Sn-Bi)系焊料合金施行镀敷被膜的核材料，其中，镀焊层16中的Bi系在镀焊层中依既定范围浓度比分布的核材料，在镀焊层中依Bi浓度比91.7~106.7%既定范围内分布的核材料。因为镀焊层中的Bi呈均质，因而包括镀焊层中的内周侧、外周侧在内横跨全区域的Bi浓度比均在既定范围内。所以，不会发生内周侧较外周侧更早熔融，导致内周侧与外周侧出现体积膨胀差，造成核材料发生爆裂飞散等状况。又，因为镀焊层全体几乎均匀熔融，因而不会有因熔融时序落差而发生的核材料位置偏移，故不会有因位置偏移等所衍生的电极间短路等可能性。

公开(公告)号：TW201544214A

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：TW103145414

申请日：2014-12-25

申请人： 千住金屬工業股份有限公司 ,  SENJU METAL INDUSTRY CO., LTD.

发明人： 川浩由 ,  KAWASAKI, HIROYOSHI ,  西野友朗 ,  NISHINO, TOMOAKI ,  六本木貴弘 ,  ROPPONGI, TAKAHIRO ,  相馬大輔 ,  SOMA, DAISUKE ,  佐藤勇 ,  SATO, ISAMU ,  川又勇司 ,  KAWAMATA, YUJI ,  平尾浩彥 ,  HIRAO, HIROHIKO ,  田阪淳 ,  TASAKA, JUN

IPC分类号： B22F1/00 ,  B23K35/30 ,  B23K35/22

CPC分类号： B23K35/3601 ,  B22F1/0062 ,  B23K35/36 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/556 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/0569 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11821 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/11824 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/132 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/134 ,  H01L2224/13455 ,  H01L2224/13457 ,  H01L2224/1349 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/10234 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01092 ,  H01L2924/0109 ,  H01L2924/0103

摘要： 本發明係為抑制發生軟錯誤的同時，確保銅球對電極上構裝時的對位性。 本發明之OSP處理銅球11，其係包括：銅球1；及含有將該銅球1的表面披覆的咪唑化合物的有機披膜2之OSP處理銅球。銅球1，係純度為99.9%以上99.995%以下，鈾的含量為5ppb以下，釷的含量為5ppb以下，鉛或鉍的含量或合併鉛及鉍兩者之含量的合計量為1ppm以上，真球度為0.95以上，α射線劑量為0.0200cph/cm2以下。

简体摘要： 本发明系为抑制发生软错误的同时，确保铜球对电极上构装时的对位性。 本发明之OSP处理铜球11，其系包括：铜球1；及含有将该铜球1的表面披覆的咪唑化合物的有机披膜2之OSP处理铜球。铜球1，系纯度为99.9%以上99.995%以下，铀的含量为5ppb以下，钍的含量为5ppb以下，铅或铋的含量或合并铅及铋两者之含量的合计量为1ppm以上，真球度为0.95以上，α射线剂量为0.0200cph/cm2以下。