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公开(公告)号：TW201630485A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104128958
申请日：2015-09-02
发明人： 川浩由 , KAWASAKI, HIROYOSHI , 六本木貴弘 , ROPPONGI, TAKAHIRO , 相馬大輔 , SOMA, DAISUKE , 佐藤勇 , SATO, ISAMU , 川又勇司 , KAWAMATA, YUJI
CPC分类号： H01L24/13 , B22F1/00 , B23K35/0227 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/30 , B23K35/302 , B23K35/3615 , B32B15/01 , B32B15/20 , B32B2255/06 , B32B2255/205 , C22C9/00 , C22C13/00 , C25D5/10 , C25D5/12 , C25D7/00 , H01B1/026 , H01L21/2885 , H01L21/76885 , H01L23/481 , H01L23/50 , H01L23/522 , H01L24/11 , H01L2224/11825 , H01L2224/13005 , H01L2224/13147 , H01L2224/1357 , H01L2224/1358 , H01L2224/13582 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/1366 , H01L2224/1369 , H01L2924/0002 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01048 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/0109 , H01L2924/01092 , H01L2924/35 , H05K3/4015 , H05K2201/10242
摘要： 提供維氏硬度低，且算術平均粗度小的銅柱、銅核柱、焊接接頭以及矽貫通電極。 與本發明有關之銅柱1，純度為99.9%以上99.995%以下，算術平均粗度為0.3μm以下，維氏硬度為20HV以上60HV以下。銅柱1，在焊接的溫度不會熔融，而可確保一定的浮高(基板間的空間)，因此適合用於三次元實裝或窄間距實裝。
简体摘要： 提供维氏硬度低，且算术平均粗度小的铜柱、铜核柱、焊接接头以及硅贯通电极。 与本发明有关之铜柱1，纯度为99.9%以上99.995%以下，算术平均粗度为0.3μm以下，维氏硬度为20HV以上60HV以下。铜柱1，在焊接的温度不会熔融，而可确保一定的浮高(基板间的空间)，因此适合用于三次元实装或窄间距实装。
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公开(公告)号：TW201544214A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW103145414
申请日：2014-12-25
发明人： 川浩由 , KAWASAKI, HIROYOSHI , 西野友朗 , NISHINO, TOMOAKI , 六本木貴弘 , ROPPONGI, TAKAHIRO , 相馬大輔 , SOMA, DAISUKE , 佐藤勇 , SATO, ISAMU , 川又勇司 , KAWAMATA, YUJI , 平尾浩彥 , HIRAO, HIROHIKO , 田阪淳 , TASAKA, JUN
CPC分类号： B23K35/3601 , B22F1/0062 , B23K35/36 , C22F1/00 , C22F1/08 , H01L23/49816 , H01L23/556 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05073 , H01L2224/05147 , H01L2224/0569 , H01L2224/111 , H01L2224/11334 , H01L2224/11821 , H01L2224/11823 , H01L2224/11824 , H01L2224/11825 , H01L2224/11849 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13147 , H01L2224/132 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/13347 , H01L2224/134 , H01L2224/13455 , H01L2224/13457 , H01L2224/1349 , H01L2224/136 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/1369 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H05K3/3436 , H05K2201/10234 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01027 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01083 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01048 , H01L2924/01082 , H01L2924/01079 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01092 , H01L2924/0109 , H01L2924/0103
摘要： 本發明係為抑制發生軟錯誤的同時，確保銅球對電極上構裝時的對位性。 本發明之OSP處理銅球11，其係包括：銅球1；及含有將該銅球1的表面披覆的咪唑化合物的有機披膜2之OSP處理銅球。銅球1，係純度為99.9%以上99.995%以下，鈾的含量為5ppb以下，釷的含量為5ppb以下，鉛或鉍的含量或合併鉛及鉍兩者之含量的合計量為1ppm以上，真球度為0.95以上，α射線劑量為0.0200cph/cm2以下。
简体摘要： 本发明系为抑制发生软错误的同时，确保铜球对电极上构装时的对位性。 本发明之OSP处理铜球11，其系包括：铜球1；及含有将该铜球1的表面披覆的咪唑化合物的有机披膜2之OSP处理铜球。铜球1，系纯度为99.9%以上99.995%以下，铀的含量为5ppb以下，钍的含量为5ppb以下，铅或铋的含量或合并铅及铋两者之含量的合计量为1ppm以上，真球度为0.95以上，α射线剂量为0.0200cph/cm2以下。
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公开(公告)号：TW201527410A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103141185
申请日：2014-11-27
申请人： 納美仕有限公司 , NAMICS CORPORATION
发明人： 山澤朋也 , YAMAZAWA, TOMOYA , 小原和之 , KOHARA, KAZUYUKI , 小越弘大 , OKOSHI, KODAI , 阿部信幸 , ABE, NOBUYUKI
CPC分类号： C08L63/00 , C08G59/24 , C08G59/245 , C08G59/40 , C08G59/42 , C08G59/50 , C08G59/5033 , C08G59/621 , C08K3/36 , C08L2203/206 , H01L21/563 , H01L23/29 , H01L23/293 , H01L23/295 , H01L23/3142 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/131 , H01L2224/13101 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13118 , H01L2224/1312 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/13164 , H01L2224/16227 , H01L2224/2929 , H01L2224/29291 , H01L2224/29387 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81193 , H01L2224/83102 , H01L2224/8385 , H01L2224/83862 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L2924/0665 , H01L2924/05442 , H01L2924/00014 , H01L2924/01048 , H01L2924/00012 , H01L2924/014
摘要： 本發明係提供一種環氧樹脂組成物，其特徵為具有(A)環氧樹脂、(B)硬化劑、(C)0.1~10質量%之平均粒徑10nm以上且100nm以下的二氧化矽填料、(D)47~75質量%之平均粒徑0.3μm以上且2μm以下的二氧化矽填料、(E)0.1~8質量%之彈性體，且包含合計為50.1~77質量%之前述(C)成分及前述(D)成分。
简体摘要： 本发明系提供一种环氧树脂组成物，其特征为具有(A)环氧树脂、(B)硬化剂、(C)0.1~10质量%之平均粒径10nm以上且100nm以下的二氧化硅填料、(D)47~75质量%之平均粒径0.3μm以上且2μm以下的二氧化硅填料、(E)0.1~8质量%之弹性体，且包含合计为50.1~77质量%之前述(C)成分及前述(D)成分。
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公开(公告)号：TW201342558A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW102123527
申请日：2008-06-27
申请人： MK電子股份有限公司 , MK ELECTRON CO., LTD.
发明人： 宗秀 , CHO, JONG SOO , 文晶琸 , MOON, JEONG TAK
IPC分类号： H01L23/49
CPC分类号： H01L2224/45 , H01L2224/45139 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/01078 , H01L2924/01045 , H01L2924/01076 , H01L2924/01079 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01004 , H01L2924/0102 , H01L2924/01012 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01039 , H01L2924/013 , H01L2924/01046 , H01L2924/01094 , H01L2924/01048 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/00012
摘要： 一種半導體封裝之含銀合金焊接導線，用以將半導體晶片焊接至封裝基板，所述半導體封裝之含銀合金焊接導線實質上由重量含量為0.05%~5%的至少一種由銠(Rh)、鋨(Os)與金(Au)所構成的族群中選出的第一添加劑以及重量含量為3ppm~5%的至少一種由銅(Cu)、鈹(Be)、鈣(Ca)、鋇(Ba)、鑭(La)、鈰(Ce)與釔(Y)所構成的族群中選出的至少一者所構成。
简体摘要： 一种半导体封装之含银合金焊接导线，用以将半导体芯片焊接至封装基板，所述半导体封装之含银合金焊接导线实质上由重量含量为0.05%~5%的至少一种由铑(Rh)、锇(Os)与金(Au)所构成的族群中选出的第一添加剂以及重量含量为3ppm~5%的至少一种由铜(Cu)、铍(Be)、钙(Ca)、钡(Ba)、镧(La)、铈(Ce)与钇(Y)所构成的族群中选出的至少一者所构成。
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公开(公告)号：TW200933772A
公开(公告)日：2009-08-01
申请号：TW097134412
申请日：2008-09-08
CPC分类号： H01L24/85 , B23K35/3013 , B23K2201/36 , C22C5/02 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/78 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/43 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/4845 , H01L2224/48465 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48664 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/85181 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/85464 , H01L2224/859 , H01L2924/00011 , H01L2924/01105 , H01L2924/01204 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/20106 , H01L2924/20752 , Y10T428/12 , H01L2924/01012 , H01L2924/01063 , H01L2924/0105 , H01L2924/0102 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/013 , H01L2924/00015 , H01L2924/01205 , H01L2924/01048 , H01L2924/00013 , H01L2924/01049 , H01L2924/01006
摘要： 本發明提供一種球形接合用金合金線。該金合金係由以質量計10至50 ppm的鎂(Mg);以質量計5至20 ppm的銪(Eu);以質量計2至9 ppm的鈣(Ca);及其餘部分的純度至少為99.998質量%的金(Au)所構成。在該球形接合用金合金線中,鈣(Ca)的添加量最高為銪(Eu)添加量的一半。
简体摘要： 本发明提供一种球形接合用金合金线。该金合金系由以质量计10至50 ppm的镁(Mg);以质量计5至20 ppm的铕(Eu);以质量计2至9 ppm的钙(Ca);及其余部分的纯度至少为99.998质量%的金(Au)所构成。在该球形接合用金合金线中,钙(Ca)的添加量最高为铕(Eu)添加量的一半。
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公开(公告)号：TW200614867A
公开(公告)日：2006-05-01
申请号：TW094128993
申请日：2005-08-24
发明人： 篠崎研二 SHIONOZAKI, KENJI , 塙健三 HANAWA, KENZO , 高橋良明 TAKAHASHI, YOSHIAKI , 加藤剛 KATO, TSUYOSHI , 渡邊岳男 WATANABE, TAKEO
IPC分类号： H05B
CPC分类号： C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/1033 , C09K2211/1037 , C09K2211/1044 , C09K2211/1092 , C09K2211/185 , H01L33/502 , H01L51/0085 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00011 , H05B33/14 , Y10T428/10 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01048
摘要： 本發明係關於一種發光體，其特徵為具有一次發光手段、及藉由一次發光手段所發出的光而發光之二次發光手段，該二次發光手段含有銥化合物。銥錯合物可列舉L^1L^2L^3Ir(式中，L^1、L^2及L^3為配位於銥上之二嚙有機配位基，此等中至少1種為以氮原子及碳原子配位)之銥錯合物，較佳為下述式(2)所示之銥錯合物，式中，X為與鍵結於銥之碳原子及氮原子共同形成芳香族螯合配位基之原子團，n為2或3之整數，於各個芳香族螯合配位基之複數的X可相同或相異，L為碳以外的原子鍵結於銥之二嚙有機配位基。本發明之發光體具有紅(R)、綠(G)、藍(B)之波長成份，顏色再現範圍廣且能夠以單一電源及控制系進行驅動，而且構成構件不會光劣化。094128993-p01.bmp
简体摘要： 本发明系关于一种发光体，其特征为具有一次发光手段、及借由一次发光手段所发出的光而发光之二次发光手段，该二次发光手段含有铱化合物。铱错合物可枚举L^1L^2L^3Ir(式中，L^1、L^2及L^3为配位于铱上之二啮有机配位基，此等中至少1种为以氮原子及碳原子配位)之铱错合物，较佳为下述式(2)所示之铱错合物，式中，X为与键结于铱之碳原子及氮原子共同形成芳香族螯合配位基之原子团，n为2或3之整数，于各个芳香族螯合配位基之复数的X可相同或相异，L为碳以外的原子键结于铱之二啮有机配位基。本发明之发光体具有红(R)、绿(G)、蓝(B)之波长成份，颜色再现范围广且能够以单一电源及控制系进行驱动，而且构成构件不会光劣化。094128993-p01.bmp
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公开(公告)号：TWI621720B
公开(公告)日：2018-04-21
申请号：TW105130910
申请日：2016-09-23
申请人： 日鐵住金新材料股份有限公司 , NIPPON MICROMETAL CORPORATION , 新日鐵住金高新材料股份有限公司 , NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD.
发明人： 小田大造 , ODA, DAIZO , 大壁巧 , OHKABE, TAKUMI , 榛原照男 , HAIBARA, TERUO , 山田隆 , YAMADA, TAKASHI , 小山田哲哉 , OYAMADA, TETSUYA , 宇野智裕 , UNO, TOMOHIRO
CPC分类号： H01L2224/45139 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01039 , H01L2924/01058 , H01L2924/01049 , H01L2924/01031 , H01L2924/01048
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公开(公告)号：TWI562307B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW102104918
申请日：2013-02-07
申请人： 蘋果公司 , APPLE INC.
发明人： 比柏安德瑞斯 , BIBL, ANDREAS , 海傑森約翰A , HIGGINSON, JOHN A. , 胡馨華 , HU, HSIN HUA , 劉亨凡史蒂芬 , LAW, HUNG-FAI STEPHEN
IPC分类号： H01L23/488
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/67144 , H01L24/75 , H01L24/95 , H01L2224/29105 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29118 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/29183 , H01L2224/75261 , H01L2224/75281 , H01L2224/75282 , H01L2224/75283 , H01L2224/75725 , H01L2224/7598 , H01L2224/83 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83805 , H01L2224/83825 , H01L2224/8383 , H01L2224/83948 , H01L2224/95001 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/12041 , H01L2924/1461 , H01L2933/0066 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/0105 , H01L2924/01083 , H01L2924/01049 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01031 , H01L2924/01051 , H01L2924/01029 , H01L2924/01048 , H01L2924/01082 , H01L2924/0103
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公开(公告)号：TWI490995B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103101756
申请日：2014-01-17
发明人： 安徳優希 , ANTOKU, YUKI , 安原和彥 , YASUHARA, KAZUHIKO , 千葉淳 , CHIBA, JUN , 陳煒 , CHEN, WEI , 岡崎純一 , OKAZAKI, JUNICHI , 前田菜那子 , MAEDA, NANAKO
IPC分类号： H01L23/49
CPC分类号： H01L24/45 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L2223/6611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45565 , H01L2224/45639 , H01L2224/48511 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/48664 , H01L2224/48669 , H01L2924/00011 , Y10T428/2958 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01204 , H01L2924/01045 , H01L2924/01077 , H01L2924/01044 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01026 , H01L2924/01012 , H01L2924/0103 , H01L2924/01013 , H01L2924/01049 , H01L2924/01014 , H01L2924/01032 , H01L2924/01004 , H01L2924/01083 , H01L2924/01034 , H01L2924/01058 , H01L2924/01039 , H01L2924/01057 , H01L2924/0102 , H01L2924/01063 , H01L2924/01203 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01025 , H01L2924/00013 , H01L2924/01079 , H01L2924/0105 , H01L2924/01022 , H01L2924/01052 , H01L2224/45644 , H01L2924/00015 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2924/01048
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公开(公告)号：TW201403721A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW101124384
申请日：2012-07-06
发明人： 陳冠能 , CHEN, KUAN NENG , 張耀仁 , CHANG, YAO JEN
CPC分类号： H01L24/83 , H01L24/03 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/0381 , H01L2224/04026 , H01L2224/2745 , H01L2224/29011 , H01L2224/29076 , H01L2224/29078 , H01L2224/29083 , H01L2224/29084 , H01L2224/29101 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29116 , H01L2224/29118 , H01L2224/29124 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29149 , H01L2224/29155 , H01L2224/29157 , H01L2224/2916 , H01L2224/29164 , H01L2224/29166 , H01L2224/29171 , H01L2224/29181 , H01L2224/29186 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/83075 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83204 , H01L2224/83825 , H01L2224/83948 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2924/3656 , H01L2924/00014 , H01L2924/01048 , H01L2924/00
摘要： 本發明提供一種晶圓次微米接合方法及其接合層。本發明之接合層包含有一位於晶圓之欲接合表面上的底部金屬層，一位於底部金屬層上的中間擴散緩衝金屬層；一位於中間緩衝金屬層上且可與底部金屬共晶反應的上方金屬層，此中間擴散緩衝金屬層之熔點高於上方金屬層與底部金屬層。兩個表面形成有接合層之晶圓進行接合時，兩上方金屬層先液相接合，至中間擴散緩衝金屬層隨上方金屬層熔融後均勻分佈，底部金屬層與上方金屬層相互擴散，將上方金屬層完全消耗反應成為一具有低電阻之金屬共晶相位之化合物。
简体摘要： 本发明提供一种晶圆次微米接合方法及其接合层。本发明之接合层包含有一位于晶圆之欲接合表面上的底部金属层，一位于底部金属层上的中间扩散缓冲金属层；一位于中间缓冲金属层上且可与底部金属共晶反应的上方金属层，此中间扩散缓冲金属层之熔点高于上方金属层与底部金属层。两个表面形成有接合层之晶圆进行接合时，两上方金属层先液相接合，至中间扩散缓冲金属层随上方金属层熔融后均匀分布，底部金属层与上方金属层相互扩散，将上方金属层完全消耗反应成为一具有低电阻之金属共晶相位之化合物。
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