公开(公告)号：TW201807817A

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：TW106112077

申请日：2017-04-11

Applicant: 半導體能源硏究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  黒崎大輔 ,  KUROSAKI, DAISUKE ,  中澤安孝 ,  NAKAZAWA, YASUTAKA

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H05B33/14 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255

Abstract: 本發明提高具有氧化物半導體膜的電晶體的場效移動率及可靠性。本發明是一種具有氧化物半導體膜的半導體裝置，該半導體裝置包括：閘極電極；閘極電極上的絕緣膜；絕緣膜上的氧化物半導體膜；以及氧化物半導體膜上的一對電極，其中，氧化物半導體膜包括第一氧化物半導體膜及第一氧化物半導體膜上的第二氧化物半導體膜，第一氧化物半導體膜及第二氧化物半導體膜都包含相同的元素，並且，第一氧化物半導體膜具有其結晶性低於第二氧化物半導體膜的區域。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提高具有氧化物半导体膜的晶体管的场效移动率及可靠性。本发明是一种具有氧化物半导体膜的半导体设备，该半导体设备包括：闸极电极；闸极电极上的绝缘膜；绝缘膜上的氧化物半导体膜；以及氧化物半导体膜上的一对电极，其中，氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜及第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜，第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜都包含相同的元素，并且，第一氧化物半导体膜具有其结晶性低于第二氧化物半导体膜的区域。

公开(公告)号：TWI645568B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：TW104106352

申请日：2015-02-26

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  黒崎大輔 ,  KUROSAKI, DAISUKE

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H01L21/336

公开(公告)号：TW201640650A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：TW105110928

申请日：2016-04-07

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  木村肇 ,  KIMURA, HAJIME ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  保坂泰靖 ,  HOSAKA, YASUHARU ,  後藤尚人 ,  GOTO, NAOTO ,  井口貴弘 ,  IGUCHI, TAKAHIRO ,  黒崎大輔 ,  KUROSAKI, DAISUKE ,  肥純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI

IPC: H01L27/105 ,  G02F1/1368 ,  G06F3/044

CPC classification number: G06F3/044 ,  G06F3/0412 ,  G06F2203/04103 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/323 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明提供一種包括具有導電性的氧化物半導體膜的觸控面板。一種包括電晶體、第二絕緣膜以及觸控感測器的觸控面板，該觸控面板包括閘極電極、閘極絕緣膜、第一氧化物半導體膜、源極電極及汲極電極、第一絕緣膜以及第二氧化物半導體膜，第二絕緣膜設置在第二氧化物半導體膜上，使得第二氧化物半導體膜位於第一絕緣膜與第二絕緣膜之間，觸控感測器包括第一電極及第二電極，第一電極和第二電極中的任一個包括第二氧化物半導體膜。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种包括具有导电性的氧化物半导体膜的触摸皮肤。一种包括晶体管、第二绝缘膜以及触摸传感器的触摸皮肤，该触摸皮肤包括闸极电极、闸极绝缘膜、第一氧化物半导体膜、源极电极及汲极电极、第一绝缘膜以及第二氧化物半导体膜，第二绝缘膜设置在第二氧化物半导体膜上，使得第二氧化物半导体膜位于第一绝缘膜与第二绝缘膜之间，触摸传感器包括第一电极及第二电极，第一电极和第二电极中的任一个包括第二氧化物半导体膜。

公开(公告)号：TW201533913A

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：TW104106352

申请日：2015-02-26

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  黒崎大輔 ,  KUROSAKI, DAISUKE

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L29/26 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

Abstract: 本發明的一個方式的目的之一是在使用具有氧化物半導體的電晶體中抑制電特性的變動且提高可靠性。本發明的一個方式是一種具有電晶體的半導體裝置，該電晶體包括：閘極電極；閘極電極上的第一絕緣膜；第一絕緣膜上的第二絕緣膜；第二絕緣膜上的氧化物半導體膜；與氧化物半導體膜電連接的源極電極；與氧化物半導體膜電連接的汲極電極；源極電極上的第三絕緣膜；汲極電極上的第四絕緣膜；以及氧化物半導體膜上的第五絕緣膜，第五絕緣膜包含氧，第三絕緣膜具有第一部分，第四絕緣膜具有第二部分，第五絕緣膜具有第三部分，利用熱脫附譜分析法測得的第一部分的氧分子的釋放量少於第三部分的氧分子的釋放量，且第二部分的氧分子 的釋放量少於第三部分的氧分子的釋放量。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式的目的之一是在使用具有氧化物半导体的晶体管中抑制电特性的变动且提高可靠性。本发明的一个方式是一种具有晶体管的半导体设备，该晶体管包括：闸极电极；闸极电极上的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的氧化物半导体膜；与氧化物半导体膜电连接的源极电极；与氧化物半导体膜电连接的汲极电极；源极电极上的第三绝缘膜；汲极电极上的第四绝缘膜；以及氧化物半导体膜上的第五绝缘膜，第五绝缘膜包含氧，第三绝缘膜具有第一部分，第四绝缘膜具有第二部分，第五绝缘膜具有第三部分，利用热脱附谱分析法测得的第一部分的氧分子的释放量少于第三部分的氧分子的释放量，且第二部分的氧分子 的释放量少于第三部分的氧分子的释放量。

公开(公告)号：TWI685116B

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：TW108104981

申请日：2015-01-26

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  島行徳 ,  SHIMA, YUKINORI ,  黒崎大輔 ,  KUROSAKI, DAISUKE ,  中田昌孝 ,  NAKADA, MASATAKA ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L29/786

公开(公告)号：TWI669761B

公开(公告)日：2019-08-21

申请号：TW104115118

申请日：2015-05-12

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  黒崎大輔 ,  KUROSAKI, DAISUKE ,  島行徳 ,  SHIMA, YUKINORI ,  生内俊光 ,  OBONAI, TOSHIMITSU

IPC: H01L21/44 ,  H01L27/12

公开(公告)号：TW201545359A

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：TW104112074

申请日：2015-04-15

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 肥純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  黒崎大輔 ,  KUROSAKI, DAISUKE

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648

Abstract: 本發明的一個方式的目的之一是在使用包含氧化物半導體的電晶體的半導體裝置中抑制電特性的變動且提高可靠性。本發明的一個方式是一種包括電晶體的半導體裝置，該電晶體包括：閘極電極；閘極電極上的第一絕緣膜；第一絕緣膜上的氧化物半導體膜；與氧化物半導體膜電連接的源極電極；以及與氧化物半導體膜電連接的汲極電極，在電晶體上設置有第二絕緣膜，在第二絕緣膜上設置有保護膜，第二絕緣膜包含氧，且保護膜包含與氧化物半導體膜相同的金屬元素中的至少一個。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式的目的之一是在使用包含氧化物半导体的晶体管的半导体设备中抑制电特性的变动且提高可靠性。本发明的一个方式是一种包括晶体管的半导体设备，该晶体管包括：闸极电极；闸极电极上的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；与氧化物半导体膜电连接的源极电极；以及与氧化物半导体膜电连接的汲极电极，在晶体管上设置有第二绝缘膜，在第二绝缘膜上设置有保护膜，第二绝缘膜包含氧，且保护膜包含与氧化物半导体膜相同的金属元素中的至少一个。

公开(公告)号：TWI696265B

公开(公告)日：2020-06-11

申请号：TW105110928

申请日：2016-04-07

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  木村肇 ,  KIMURA, HAJIME ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  保坂泰靖 ,  HOSAKA, YASUHARU ,  後藤尚人 ,  GOTO, NAOTO ,  井口貴弘 ,  IGUCHI, TAKAHIRO ,  黒崎大輔 ,  KUROSAKI, DAISUKE ,  肥純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI

IPC: H01L27/105 ,  G02F1/1368 ,  G06F3/044

公开(公告)号：TWI682550B

公开(公告)日：2020-01-11

申请号：TW104122965

申请日：2015-07-15

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  黒崎大輔 ,  KUROSAKI, DAISUKE ,  島行徳 ,  SHIMA, YUKINORI ,  保坂泰靖 ,  HOSAKA, YASUHARU

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/43

公开(公告)号：TW201608644A

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：TW104115118

申请日：2015-05-12

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  黒崎大輔 ,  KUROSAKI, DAISUKE ,  島行徳 ,  SHIMA, YUKINORI ,  生内俊光 ,  OBONAI, TOSHIMITSU

IPC: H01L21/44 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

Abstract: 在使用包含氧化物半導體的電晶體的半導體裝置中可以抑制電特性的變動且提高可靠性。本發明的一個方式是一種包括電晶體的半導體裝置，其中，電晶體在通道區域中包括氧化物半導體膜，並且，在電晶體的汲極電流-閘極電壓特性中，在以對數表示的汲極電流的最大傾斜度的切線與1×10-12A的軸的交點上的閘極電壓為漂移值的情況下，在對氧化物半導體膜照射具有氧化物半導體膜的能帶間隙以上的能量的光時，光照射時的漂移值與光照射之前的漂移值的差異為-1V以上且0.5V以下。

Abstract in simplified Chinese: 在使用包含氧化物半导体的晶体管的半导体设备中可以抑制电特性的变动且提高可靠性。本发明的一个方式是一种包括晶体管的半导体设备，其中，晶体管在信道区域中包括氧化物半导体膜，并且，在晶体管的汲极电流-闸极电压特性中，在以对数表示的汲极电流的最大倾斜度的切线与1×10-12A的轴的交点上的闸极电压为漂移值的情况下，在对氧化物半导体膜照射具有氧化物半导体膜的能带间隙以上的能量的光时，光照射时的漂移值与光照射之前的漂移值的差异为-1V以上且0.5V以下。