公开(公告)号：TWI438875B

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：TW100116105

申请日：2011-05-09

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林彥甫 ,  LIN, YAN FU ,  林俊成 ,  LIN, JING CHENG ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN CHIH ,  鄭心圃 ,  JENG, SHIN PUU ,  余振華 ,  YU, CHEN HUA

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/544 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI410527B

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：TW099114478

申请日：2010-05-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林詠淇 ,  LIN, YUNG CHI ,  林彥甫 ,  LIN, Y. F. ,  陳庭悅 ,  CHEN, TING YUEH ,  林俊成 ,  LIN, JING CHENG ,  眭曉林 ,  SHUE, SHAU LIN ,  余振華 ,  YU, CHEN HUA

IPC: C25D17/06 ,  C25D7/12 ,  C25D5/02 ,  H01L23/48

公开(公告)号：TW201205735A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：TW100116105

申请日：2011-05-09

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 林彥甫 ,  林俊成 ,  邱文智 ,  鄭心圃 ,  余振華

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/544 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明揭示一種系統及測定底膠擴展的方法。一實施例包括順應著一基底的一上表面形成遮覆標記;將一半導體基底貼合至基底的上表面;將底膠材料置入半導體基底與基底之間;以及利用遮覆標記來測定基底的上表面上方的底膠擴展。另外,也可在半導體基底的上表面形成遮覆標記,且位於基底上與半導體基底上的對準標記可在基底與半導體基底的對準期間,一同作為對準標記。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种系统及测定底胶扩展的方法。一实施例包括顺应着一基底的一上表面形成遮覆标记;将一半导体基底贴合至基底的上表面;将底胶材料置入半导体基底与基底之间;以及利用遮覆标记来测定基底的上表面上方的底胶扩展。另外,也可在半导体基底的上表面形成遮覆标记,且位于基底上与半导体基底上的对准标记可在基底与半导体基底的对准期间,一同作为对准标记。

公开(公告)号：TW201801271A

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW105134369

申请日：2016-10-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 王景德 ,  WANG, CHIN-TE ,  謝正賢 ,  HSIEH, CHENG-HSIEN ,  陳憲偉 ,  CHEN, HSIEN-WEI ,  許立翰 ,  HSU, LI-HAN ,  許子訓 ,  SHEU, TZU-SHIUN ,  吳偉誠 ,  WU, WEI-CHENG ,  林彥甫 ,  LIN, YAN-FU

IPC: H01L23/485

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L24/02 ,  H01L24/13 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/02206 ,  H01L2224/0221 ,  H01L2224/113 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06586

Abstract: 一種包括積體電路、保護層及導電通孔的半導體裝置。積體電路包括至少一個導電接墊。保護層覆蓋積體電路。保護層包括接觸開口，且導電接墊被保護層的接觸開口暴露出。導電通孔嵌置在保護層的接觸開口中，且導電通孔藉由接觸開口電性連接至導電接墊。還提供一種製作上述半導體裝置的方法及一種包括上述半導體裝置的整合扇出型封裝體。

Abstract in simplified Chinese: 一种包括集成电路、保护层及导电通孔的半导体设备。集成电路包括至少一个导电接垫。保护层覆盖集成电路。保护层包括接触开口，且导电接垫被保护层的接触开口暴露出。导电通孔嵌置在保护层的接触开口中，且导电通孔借由接触开口电性连接至导电接垫。还提供一种制作上述半导体设备的方法及一种包括上述半导体设备的集成扇出型封装体。

公开(公告)号：TW201820571A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：TW106120767

申请日：2017-06-21

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林彥甫 ,  LIN, YAN-FU ,  余振華 ,  YU, CHEN-HUA ,  陳憲偉 ,  CHEN, HSIEN-WEI ,  李孟燦 ,  LEE, MENG-TSAN ,  吳偉誠 ,  WU, WEI-CHENG

IPC: H01L23/492 ,  H01L23/48 ,  H01L23/28

Abstract: 本發明實施例提供一種形成封裝結構的方法及一種封裝結構。所述方法包括將主晶粒與虛設晶粒並排地放置在承載基底上。所述方法還包括沿所述主晶粒的側壁及所述虛設晶粒的側壁形成模封材料。所述方法還包括在所述主晶粒及所述虛設晶粒之上形成包括多個通孔及多個導線的重佈線層，其中所述多個通孔及所述導線電性連接至所述主晶粒的連接件。所述方法還包括移除所述承載基底。

Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供一种形成封装结构的方法及一种封装结构。所述方法包括将主晶粒与虚设晶粒并排地放置在承载基底上。所述方法还包括沿所述主晶粒的侧壁及所述虚设晶粒的侧壁形成模封材料。所述方法还包括在所述主晶粒及所述虚设晶粒之上形成包括多个通孔及多个导线的重布线层，其中所述多个通孔及所述导线电性连接至所述主晶粒的连接件。所述方法还包括移除所述承载基底。

公开(公告)号：TW201139747A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：TW099114478

申请日：2010-05-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 林詠淇 ,  林彥甫 ,  陳庭悅 ,  林俊成 ,  眭曉林 ,  余振華

IPC: C25D ,  H01L

Abstract: 本發明一實施例提供一種電鍍裝置,包括基座,用以承載承載基板及設置於承載基板上之待電鍍基板,其中待電鍍基板上具有圖案化材料層,圖案化材料層具有至少一開口,露出待電鍍基板上之待電鍍區,以及密封環,用於設置於待電鍍基板上以將電鍍液侷限於待電鍍區之上,其中密封環包括至少一凸出部分,用以接觸承載基板以阻擋電鍍液溢流至基座上。

Abstract in simplified Chinese: 本发明一实施例提供一种电镀设备,包括基座,用以承载承载基板及设置于承载基板上之待电镀基板,其中待电镀基板上具有图案化材料层,图案化材料层具有至少一开口,露出待电镀基板上之待电镀区,以及密封环,用于设置于待电镀基板上以将电镀液局限于待电镀区之上,其中密封环包括至少一凸出部分,用以接触承载基板以阻挡电镀液溢流至基座上。