公开(公告)号：TW201724389A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW104143306

申请日：2015-12-23

申请人： 力成科技股份有限公司 ,  POWERTECH TECHNOLOGY INC.

发明人： 方立志 ,  FANG, LI CHIH ,  林國鼎 ,  LIN, KUO TING ,  張家維 ,  CHANG, CHIA WEI

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L21/486 ,  H01L21/568 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/02 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/1816 ,  H01L2924/18162

摘要： 揭示一種終極薄扇出型晶片封裝構造，包含一晶片、一封膠層、一第一有機保護層、一重配置線路層、一第二有機保護層以及複數個縱向導通元件。封膠層包覆晶片之側面，封膠層與晶片之兩者厚度控制為一致。第一有機保護層覆蓋於晶片之主動面與封膠層之周邊表面並具有複數個扇出開孔。重配置線路層延伸至扇出開孔，以形成貼附於封膠層之扇出墊。第二有機保護層形成於第一有機保護層上。縱向導通元件嵌埋於封膠層中並接合至扇出墊。因此，縱向導通元件只需要貫穿封膠層且重配置線路層不易斷裂。

简体摘要： 揭示一种终极薄扇出型芯片封装构造，包含一芯片、一封胶层、一第一有机保护层、一重配置线路层、一第二有机保护层以及复数个纵向导通组件。封胶层包覆芯片之侧面，封胶层与芯片之两者厚度控制为一致。第一有机保护层覆盖于芯片之主动面与封胶层之周边表面并具有复数个扇出开孔。重配置线路层延伸至扇出开孔，以形成贴附于封胶层之扇出垫。第二有机保护层形成于第一有机保护层上。纵向导通组件嵌埋于封胶层中并接合至扇出垫。因此，纵向导通组件只需要贯穿封胶层且重配置线路层不易断裂。

公开(公告)号：TWI578388B

公开(公告)日：2017-04-11

申请号：TW105109509

申请日：2006-10-05

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 吉岡明彥 ,  鈴木進也

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L23/522 ,  G09G3/36

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/13452 ,  H01L21/50 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/83 ,  H01L2021/60232 ,  H01L2021/60262 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/29075 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

公开(公告)号：TWI478303B

公开(公告)日：2015-03-21

申请号：TW099132517

申请日：2010-09-27

申请人： 日月光半導體製造股份有限公司 ,  ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.

发明人： 施孟鎧 ,  SHIH, MENG KAI ,  李長祺 ,  LEE, CHANG CHI

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L23/3171 ,  H01L21/563 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TWI453840B

公开(公告)日：2014-09-21

申请号：TW097108282

申请日：2008-03-10

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 王忠裕 ,  WANG, CHUNG YU ,  李建勳 ,  LEE, CHIEN HSIUN ,  曹佩華 ,  TSAO, PEI HAW ,  張國欽 ,  CHANG, KUO CHIN ,  林忠毅 ,  LIN, CHUNG YI ,  江浩然 ,  KIANG, BILL

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

公开(公告)号：TW201214642A

公开(公告)日：2012-04-01

申请号：TW099132517

申请日：2010-09-27

申请人： 日月光半導體製造股份有限公司

发明人： 施孟鎧 ,  李長祺

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/3171 ,  H01L21/563 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012

摘要： 本發明係關於一種具有金屬柱之晶片及具有金屬柱之晶片之封裝結構。該晶片包括一晶片本體、一保護層及至少一金屬柱。該保護層係鄰接於該晶片本體之表面，該保護層具有至少一開口，該開口具有一第一直徑。該金屬柱對應該開口，且具有一第二直徑，其中第二直徑/第一直徑之比值係大於或等於2。藉此，該金屬柱之拉應力分佈不會產生二個峰值之疊加，而可減少該金屬柱外側之拉應力之最大值。

简体摘要： 本发明系关于一种具有金属柱之芯片及具有金属柱之芯片之封装结构。该芯片包括一芯片本体、一保护层及至少一金属柱。该保护层系邻接于该芯片本体之表面，该保护层具有至少一开口，该开口具有一第一直径。该金属柱对应该开口，且具有一第二直径，其中第二直径/第一直径之比值系大于或等于2。借此，该金属柱之拉应力分布不会产生二个峰值之叠加，而可减少该金属柱外侧之拉应力之最大值。

公开(公告)号：TW201121022A

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：TW099129825

申请日：2010-09-03

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司

发明人： 黃宏麟 ,  蕭景文 ,  許國經 ,  陳承先

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/481 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/818 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2224/05552

摘要： 本發明揭示一種積體電路結構，包括：一半導體基底；一基底通孔電極穿過半導體基底；以及一含銅立柱（post），位於半導體基底上方且電性連接至基底通孔電極。

简体摘要： 本发明揭示一种集成电路结构，包括：一半导体基底；一基底通孔电极穿过半导体基底；以及一含铜立柱（post），位于半导体基底上方且电性连接至基底通孔电极。

公开(公告)号：TW201112366A

公开(公告)日：2011-04-01

申请号：TW099103347

申请日：2010-02-04

申请人： 精工電子有限公司

发明人： 近江俊彥

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/12 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

摘要： 為了提供一種製造工程簡單,耐於機械性的外部應力,晶圓級(Wafer level)的半導體裝置,而在形成於半導體元件(2)上的金屬配線(3)之上形成保護膜與應力緩衝層,以金屬配線能夠露出的方式設置貫通保護膜與應力緩衝層的通孔,經由埋入於通孔內的導電層來形成凸塊電極。

简体摘要： 为了提供一种制造工程简单,耐于机械性的外部应力,晶圆级(Wafer level)的半导体设备,而在形成于半导体组件(2)上的金属配线(3)之上形成保护膜与应力缓冲层,以金属配线能够露出的方式设置贯通保护膜与应力缓冲层的通孔,经由埋入于通孔内的导电层来形成凸块电极。

公开(公告)号：TW201025469A

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：TW097151852

申请日：2008-12-31

申请人： 中華民國台灣薄膜電晶體液晶顯示器產業協會 ,  中華映管股份有限公司 ,  友達光電股份有限公司 ,  瀚宇彩晶股份有限公司 ,  奇美電子股份有限公司 ,  財團法人工業技術研究院

发明人： 楊省樞 ,  李筱婷 ,  安超群

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L22/12 ,  H01L22/30 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/13011 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14505 ,  H01L2224/14515 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/81345 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H05K1/0269 ,  H05K3/323 ,  H05K2201/0133 ,  H05K2201/0367 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 一種接合檢視結構,其包括至少一彈性凸塊,位於一基板上。接合檢視結構選擇性地包括至少一導電層,至少覆蓋彈性凸塊之頂部,其中彈性凸塊或導電層至少具有一開口,且彈性凸塊或導電層之頂部之觀察面積大於開口的面積。

简体摘要： 一种接合视图结构,其包括至少一弹性凸块,位于一基板上。接合视图结构选择性地包括至少一导电层,至少覆盖弹性凸块之顶部,其中弹性凸块或导电层至少具有一开口,且弹性凸块或导电层之顶部之观察面积大于开口的面积。

公开(公告)号：TW200818437A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：TW096136056

申请日：2007-09-27

申请人： 先進封裝技術私人有限公司 ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD.

发明人： 周輝星 CHEW, HWEE-SENG JIMMY ,  王志堅 ONG, CHEE-KIAN

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/50 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/06153 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/384 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00012

摘要： 一種半導體元件及其製造方法。半導體元件具有一主動表面,該半導體元件包括至少一最大徑長小於100微米的連結構件及至少一凸塊。連結構件係設置於主動表面上。凸塊係設於連結構件上,而以連結構件電性連結主動表面。凸塊包括一柱體部及一頂部,柱體部設置於連結構件上,頂部設置於柱體部之頂端。柱體部具有平行於主動表面之一第一徑長及一第二徑長,第一徑長大於1.2倍之第二徑長。柱體部在一預設溫度下,不會熔化。頂部係由銲料所構成,在預設溫度下,會熔化。

简体摘要： 一种半导体组件及其制造方法。半导体组件具有一主动表面,该半导体组件包括至少一最大径长小于100微米的链接构件及至少一凸块。链接构件系设置于主动表面上。凸块系设于链接构件上,而以链接构件电性链接主动表面。凸块包括一柱体部及一顶部,柱体部设置于链接构件上,顶部设置于柱体部之顶端。柱体部具有平行于主动表面之一第一径长及一第二径长,第一径长大于1.2倍之第二径长。柱体部在一默认温度下,不会熔化。顶部系由焊料所构成,在默认温度下,会熔化。

公开(公告)号：TW200811972A

公开(公告)日：2008-03-01

申请号：TW096131363

申请日：2007-08-24

申请人： 三洋電機股份有限公司 SANYO ELECTRIC CO., LTD. ,  三洋半導體股份有限公司 SANYO SEMICONDUCTOR CO., LTD. ,  三洋半導體製造股份有限公司 SANYO SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 吉田哲哉 YOSHIDA, TETSUYA ,  小林充幸 KOBAYASHI, MITSUYUKI

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/564 ,  H01L24/13 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7811 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 在分立半導體之晶片中,已知有將電流路徑上之第1電極及第2電極設於半導體基板之第1主面側而可以進行覆晶安裝者。但是,因電流於基板內亦朝水平方向流動,故存有電阻成份增加的問題。本發明係將連接至元件區域的第1電極及第2電極設置於第1主面側,且於第2主面側設置具有耐腐蝕性、耐氧化性的低電阻之厚膜金屬層。藉此,減低流通於基板水平方向之電流的電阻成分。此外,藉由適當地選擇厚膜金屬層之厚度,可以抑制成本的增加而減低裝置之電阻値。另外,藉由於厚膜金屬層採用金(Au),可以防止因時間經過所致的厚膜金屬層之變色等不良。

简体摘要： 在分立半导体之芯片中,已知有将电流路径上之第1电极及第2电极设于半导体基板之第1主面侧而可以进行覆晶安装者。但是,因电流于基板内亦朝水平方向流动,故存有电阻成份增加的问题。本发明系将连接至组件区域的第1电极及第2电极设置于第1主面侧,且于第2主面侧设置具有耐腐蚀性、耐氧化性的低电阻之厚膜金属层。借此,减低流通于基板水平方向之电流的电阻成分。此外,借由适当地选择厚膜金属层之厚度,可以抑制成本的增加而减低设备之电阻値。另外,借由于厚膜金属层采用金(Au),可以防止因时间经过所致的厚膜金属层之变色等不良。