公开(公告)号：TW201717214A

公开(公告)日：2017-05-16

申请号：TW105140437

申请日：2015-07-24

申请人： 日鐵住金新材料股份有限公司 ,  NIPPON MICROMETAL CORPORATION ,  新日鐵住金高新材料股份有限公司 ,  NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD.

发明人： 山田隆 ,  YAMADA, TAKASHI ,  小田大造 ,  ODA, DAIZO ,  榛原照男 ,  HAIBARA, TERUO ,  大石良 ,  OISHI, RYO ,  齋藤和之 ,  SAITO, KAZUYUKI ,  宇野智裕 ,  UNO, TOMOHIRO

IPC分类号： H01B1/02 ,  H01L23/48

CPC分类号： B23K35/0227 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  B23K2201/40 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/4382 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45105 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2224/45113 ,  H01L2224/45118 ,  H01L2224/4512 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45173 ,  H01L2224/45178 ,  H01L2224/45541 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78251 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0705 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01013

摘要： 本發明係於具有Cu合金芯材與形成於其表面之Pd被覆層之半導體裝置用接合導線，謀求175℃~200℃之HTS中之球接合部之接合可靠性提高、與耐力比(=最大耐力/0.2%耐力)：1.1~1.6之併存。 藉由於導線中含有Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt之1種以上總計0.03~2質量%，而提高HTS中之球接合部之接合可靠性，進而藉由於對於接合導線之垂直於導線軸之方向之芯材剖面測定結晶方位之結果中，將導線長度方向之結晶方位中、相對於導線長度方向而角度差為15度以下的結晶方位 之方位比率設為50%以上，且將接合導線之垂直於導線軸之方向之芯材剖面中之平均結晶粒徑設為0.9~1.3μm，而使耐力比為1.6以下。

简体摘要： 本发明系于具有Cu合金芯材与形成于其表面之Pd被覆层之半导体设备用接合导线，谋求175℃~200℃之HTS中之球接合部之接合可靠性提高、与耐力比(=最大耐力/0.2%耐力)：1.1~1.6之并存。 借由于导线中含有Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt之1种以上总计0.03~2质量%，而提高HTS中之球接合部之接合可靠性，进而借由于对于接合导线之垂直于导线轴之方向之芯材剖面测定结晶方位之结果中，将导线长度方向之结晶方位中、相对于导线长度方向而角度差为15度以下的结晶方位<100>之方位比率设为50%以上，且将接合导线之垂直于导线轴之方向之芯材剖面中之平均结晶粒径设为0.9~1.3μm，而使耐力比为1.6以下。

公开(公告)号：TW201643261A

公开(公告)日：2016-12-16

申请号：TW105116514

申请日：2016-05-26

申请人： 日鐵住金新材料股份有限公司 ,  NIPPON MICROMETAL CORPORATION ,  新日鐵住金高新材料股份有限公司 ,  NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD.

发明人： 山田隆 ,  YAMADA, TAKASHI ,  小田大造 ,  ODA, DAIZO ,  榛原照男 ,  HAIBARA, TERUO ,  大石良 ,  OISHI, RYO ,  齋藤和之 ,  SAITO, KAZUYUKI ,  宇野智裕 ,  UNO, TOMOHIRO

IPC分类号： C22C9/00 ,  H01L21/60

CPC分类号： B23K35/0227 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  B23K2201/40 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/4382 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45105 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2224/45113 ,  H01L2224/45118 ,  H01L2224/4512 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45173 ,  H01L2224/45178 ,  H01L2224/45541 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78251 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0705 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01013

摘要： 本發明之半導體裝置用接合線具有Cu合金芯材、及形成於其表面之Pd被覆層，可同時實現高溫下之球接合部之接合可靠性提高、及耐力比(=最大耐力/0.2%耐力)：1.1~1.6。 藉由使導線中包含賦予高溫環境下之連接可靠性之元素而提高高溫下之球接合部之接合可靠性，進而，藉由於對接合線之垂直於導線軸之方向之芯材剖面測定結晶方位之結果中，將導線長度方向之結晶方位中相對於導線長度方向之角度差為15度以下之結晶方位 之方位比率設為30%以上，且將接合線之垂直於導線軸之方向之芯材剖面中之平均結晶粒徑設為0.9~1.5μm，而將耐力比設為1.6以下。

简体摘要： 本发明之半导体设备用接合线具有Cu合金芯材、及形成于其表面之Pd被覆层，可同时实现高温下之球接合部之接合可靠性提高、及耐力比(=最大耐力/0.2%耐力)：1.1~1.6。 借由使导线中包含赋予高温环境下之连接可靠性之元素而提高高温下之球接合部之接合可靠性，进而，借由于对接合线之垂直于导线轴之方向之芯材剖面测定结晶方位之结果中，将导线长度方向之结晶方位中相对于导线长度方向之角度差为15度以下之结晶方位<100>之方位比率设为30%以上，且将接合线之垂直于导线轴之方向之芯材剖面中之平均结晶粒径设为0.9~1.5μm，而将耐力比设为1.6以下。

公开(公告)号：TWI545207B

公开(公告)日：2016-08-11

申请号：TW104116125

申请日：2015-05-20

申请人： 新日鐵住金高新材料股份有限公司 ,  NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD. ,  日鐵住金新材料股份有限公司 ,  NIPPON MICROMETAL CORPORATION

发明人： 小山田哲哉 ,  OYAMADA, TETSUYA ,  宇野智裕 ,  UNO, TOMOHIRO ,  出合博之 ,  DEAI, HIROYUKI ,  小田大造 ,  ODA, DAIZO

IPC分类号： C22C5/06 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/45 ,  C22C5/10 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45101 ,  H01L2224/45105 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45117 ,  H01L2224/45138 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45163 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45173 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2224/4554

公开(公告)号：TW201448282A

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：TW103109834

申请日：2014-03-14

申请人： 日亞化學工業股份有限公司 ,  NICHIA CORPORATION

发明人： 山下良平 ,  YAMASHITA, RYOHEI ,  吉元亮一 ,  YOSHIMOTO, RYOICHI

IPC分类号： H01L33/48

CPC分类号： H01L33/62 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49517 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L33/483 ,  H01L33/486 ,  H01L33/52 ,  H01L33/54 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29301 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45173 ,  H01L2224/45184 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45624 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45647 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/45657 ,  H01L2224/4566 ,  H01L2224/45673 ,  H01L2224/4568 ,  H01L2224/45684 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0715 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/095 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20752

摘要： 本發明之發光元件安裝用基體之特徵在於：具備導線電極及樹脂成形體，於剖面視圖中，該導線電極具有第1主面、與上述第1主面相反側之第2主面、及包含連續於上述第1主面之第1凹面區域及連續於上述第2主面之第2凹面區域之一端面，該樹脂成形體使上述第1主面之至少一部分及上述第2主面之至少一部分露出，覆蓋上述一端面之至少一部分，與上述導線電極成形為一體；上述第2凹面區域包含距上述第1主面最近之最接近部及較上述最接近部為外側且向上述第2主面側延伸之延伸部，且上述第1凹面區域被設置於較上述第2凹面區域之上述最接近部為外側。

简体摘要： 本发明之发光组件安装用基体之特征在于：具备导线电极及树脂成形体，于剖面视图中，该导线电极具有第1主面、与上述第1主面相反侧之第2主面、及包含连续于上述第1主面之第1凹面区域及连续于上述第2主面之第2凹面区域之一端面，该树脂成形体使上述第1主面之至少一部分及上述第2主面之至少一部分露出，覆盖上述一端面之至少一部分，与上述导线电极成形为一体；上述第2凹面区域包含距上述第1主面最近之最接近部及较上述最接近部为外侧且向上述第2主面侧延伸之延伸部，且上述第1凹面区域被设置于较上述第2凹面区域之上述最接近部为外侧。

公开(公告)号：TWI342809B

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：TW098103202

申请日：2009-02-02

申请人： 新日鐵高新材料股份有限公司 ,  日鐵微金屬股份有限公司

发明人： 宇野智裕 ,  木村圭一 ,  山田隆

IPC分类号： B23K ,  H01L

CPC分类号： C22C5/02 ,  B21C37/047 ,  B23K35/0261 ,  B23K35/0272 ,  B23K35/24 ,  B23K35/30 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  C22F1/14 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43825 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45173 ,  H01L2224/45176 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/456 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/45673 ,  H01L2224/45676 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/4848 ,  H01L2224/4849 ,  H01L2224/4851 ,  H01L2224/48511 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/45657 ,  H01L2224/45671 ,  H01L2224/45666 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/20655 ,  H01L2924/20652 ,  H01L2924/20653 ,  H01L2924/20654 ,  H01L2924/20656 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20754

摘要： 本發明的目的是提供高性能的合接線，其可以抑制銲球正上方部分的線傾(線偏)及彈性不佳，並具有優異的線弧的直線性、弧高的穩定性等，而可以適用於堆疊晶片的連接、縮小線徑、窄間距封裝等的半導體封裝技術。半導體裝置用合接線是包含：一芯材，由導電性金屬所構成；一表皮層，位於上述芯材上，其主成分為與上述芯材不同的金屬；其中位於合接線表面的上述表皮層的晶粒之合接線圓周方向的平均尺寸a、位於合接線軸向的垂直截面的上述芯材的晶粒平均尺寸b的關係為(a/b)≦0.7。

简体摘要： 本发明的目的是提供高性能的合接线，其可以抑制焊球正上方部分的线倾(线偏)及弹性不佳，并具有优异的线弧的直线性、弧高的稳定性等，而可以适用于堆栈芯片的连接、缩小线径、窄间距封装等的半导体封装技术。半导体设备用合接线是包含：一芯材，由导电性金属所构成；一表皮层，位于上述芯材上，其主成分为与上述芯材不同的金属；其中位于合接线表面的上述表皮层的晶粒之合接线圆周方向的平均尺寸a、位于合接线轴向的垂直截面的上述芯材的晶粒平均尺寸b的关系为(a/b)≦0.7。

公开(公告)号：TW201118998A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：TW099113911

申请日：2010-04-30

申请人： 日亞化學工業股份有限公司

发明人： 白濱聰

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L33/52 ,  H01L23/4952 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48475 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49429 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/4554

摘要： 本發明之目的在於提供一種半導體裝置及其製造方法,該半導體裝置係包含接合有複數之導線之半導體元件者,能實現充分之接合可靠性,並且散熱性良好。本發明之半導體裝置之特徵在於:在設置於半導體層上之電極上,具有被球形焊接之第1導線,該第1導線係具有接合於上述電極上之球部、及從該球部延伸並折返之折返部,延伸至該折返部之部分與從該折返部延伸之部分係於上述球部上相接觸,且於上述球部之上,具有與上述第1金屬線接合之第2導線,於上述球部之周緣部上,在上述第1導線之折返部或上述第2導線與上述球部之間係具有空隙。

简体摘要： 本发明之目的在于提供一种半导体设备及其制造方法,该半导体设备系包含接合有复数之导线之半导体组件者,能实现充分之接合可靠性,并且散热性良好。本发明之半导体设备之特征在于:在设置于半导体层上之电极上,具有被球形焊接之第1导线,该第1导线系具有接合于上述电极上之球部、及从该球部延伸并折返之折返部,延伸至该折返部之部分与从该折返部延伸之部分系于上述球部上相接触,且于上述球部之上,具有与上述第1金属线接合之第2导线,于上述球部之周缘部上,在上述第1导线之折返部或上述第2导线与上述球部之间系具有空隙。

公开(公告)号：TW200917396A

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：TW097132934

申请日：2008-08-28

申请人： 美光科技公司 MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： 蔡瑞光 CHUA, SWEE KWANG ,  文傳勇 BOON, SUAN JEUNG ,  謝永富 CHIA, YONG POO

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/85 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/45012 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/4899 ,  H01L2224/4943 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/78302 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1064 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00

摘要： 本文中揭示包括互連之半導體裝置及組件及用於形成該等互連之方法。一種製造一半導體裝置之方法之一實施例包括在一具有成列及行排列之複數個晶粒的模製晶圓之一模製部分中形成至一中間深度的複數個第一側面溝槽。該方法亦包括自位於與該等第一側面溝槽對準之區域處的該模製部分之一第二側面移除材料,其中移除該材料形成穿過該模製部分之開口。該方法進一步包括在該模製部分之該第二側面於該等開口處形成複數個電接觸點及將該等第二側面接觸點電連接至該等晶粒上之相應結合位點。

简体摘要： 本文中揭示包括互连之半导体设备及组件及用于形成该等互连之方法。一种制造一半导体设备之方法之一实施例包括在一具有成列及行排列之复数个晶粒的模制晶圆之一模制部分中形成至一中间深度的复数个第一侧面沟槽。该方法亦包括自位于与该等第一侧面沟槽对准之区域处的该模制部分之一第二侧面移除材料,其中移除该材料形成穿过该模制部分之开口。该方法进一步包括在该模制部分之该第二侧面于该等开口处形成复数个电接触点及将该等第二侧面接触点电连接至该等晶粒上之相应结合位点。

公开(公告)号：TW200825370A

公开(公告)日：2008-06-16

申请号：TW096146410

申请日：2007-12-05

申请人： 田中電子工業股份有限公司 TANAKA DENSHI KOGYO K.K.

发明人： 三村利孝 MIMURA TOSHITAKA ,  高田滿生 TAKADA MITSUO

IPC分类号： G01B

CPC分类号： H01L2224/45 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2224/45116 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/4516 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45184 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/859 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 提供簡單且正確的評估成為銲(壓)接線之測平的原因的蜿蜒之一種金屬細線之真直性的測定方法。於垂下金屬細線並自垂直方向對該金屬細線拍攝,區分弧狀連接線長度之2~25倍的多數區間並評估由拍攝影像求取的曲線的蛇行度。影響測平的銲(壓)接線的蜿蜒,係由以挾持曲線的平行線的間隔予以把握成蛇行寬幅,但長周期的蜒即使蛇行寬幅較大,亦不影響測平,影響測平的曲率半徑較小的蜿蜒係與弧狀連接線長度有關而貝把握成於上述區間的蛇行寬幅。銲(壓)接線的攝影區分係配合機器之精確度而將供試銲(壓)接線區分成長度方向,以於寬幅方向上已放大的影像處理成2値數據,作為連續曲線予以評估。

简体摘要： 提供简单且正确的评估成为焊(压)接线之测平的原因的蜿蜒之一种金属细线之真直性的测定方法。于垂下金属细线并自垂直方向对该金属细线拍摄,区分弧状连接线长度之2~25倍的多数区间并评估由拍摄影像求取的曲线的蛇行度。影响测平的焊(压)接线的蜿蜒,系由以挟持曲线的平行线的间隔予以把握成蛇行宽幅,但长周期的蜒即使蛇行宽幅较大,亦不影响测平,影响测平的曲率半径较小的蜿蜒系与弧状连接线长度有关而贝把握成于上述区间的蛇行宽幅。焊(压)接线的摄影区分系配合机器之精确度而将供试焊(压)接线区分成长度方向,以于宽幅方向上已放大的影像处理成2値数据,作为连续曲线予以评估。

公开(公告)号：TWI280643B

公开(公告)日：2007-05-01

申请号：TW094127964

申请日：2005-08-16

申请人： 飛思卡爾半導體公司 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.

发明人： 馮志成 FOONG, CHEE SENG

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/486 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/4569 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 一種封裝一積體電路晶粒(12)之方法，包含以下步驟：將一柔軟的傳導性球之陣列裝載至形成於一壓板上之凹座中；以及將該壓板定位於一鑄模空穴之一第一部分。將該鑄模之一第二部分向該等球擠壓以平整該等球之一表面。然後將一第一鑄模化合物注入至該鑄模中空穴，使得該鑄模化合物圍繞該等球之經曝露的部分。將該等球自該壓板上移除，且將一積體電路晶粒之一第一側附著於該等球，使得該晶粒係由該等球圍繞。將在該晶粒之一第二側上之晶粒接合襯墊電連接至圍繞該晶粒之該等球中之相應球，且然後以一第二鑄模化合物來囊封該晶粒、該等電連接及該等傳導性球之一頂部部分。結果為一具有一底部側之經囊封的IC，該底部側具有經曝露的球。

简体摘要： 一种封装一集成电路晶粒(12)之方法，包含以下步骤：将一柔软的传导性球之数组装载至形成于一压板上之凹座中；以及将该压板定位于一铸模空穴之一第一部分。将该铸模之一第二部分向该等球挤压以平整该等球之一表面。然后将一第一铸模化合物注入至该铸模中空穴，使得该铸模化合物围绕该等球之经曝露的部分。将该等球自该压板上移除，且将一集成电路晶粒之一第一侧附着于该等球，使得该晶粒系由该等球围绕。将在该晶粒之一第二侧上之晶粒接合衬垫电连接至围绕该晶粒之该等球中之相应球，且然后以一第二铸模化合物来囊封该晶粒、该等电连接及该等传导性球之一顶部部分。结果为一具有一底部侧之经囊封的IC，该底部侧具有经曝露的球。

公开(公告)号：TWI258499B

公开(公告)日：2006-07-21

申请号：TW092106347

申请日：2003-03-21

申请人： 日亞化學工業股份有限公司 NICHIA CORPORATION

发明人： 玉置寬人 TAMAKI, HIROTO ,  龜島正敏 KAMESHIMA, MASATOSHI ,  高島優 SUGURU TAKASHIMA ,  山田 元量 MOTOKAZU YAMADA ,  內藤隆宏 TAKAHIRO NAITO ,  阪井 一彥 KAZUHIKO SAKAI ,  村崎嘉典 YOSHINORI MURAZAKI

IPC分类号： C09K ,  C01B

CPC分类号： H01L33/502 ,  C01B21/0602 ,  C01B21/0821 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/61 ,  C04B35/44 ,  C04B35/584 ,  C04B35/597 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/764 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/77 ,  C09K11/7702 ,  C09K11/7703 ,  C09K11/7728 ,  C09K11/773 ,  C09K11/7731 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/00012

摘要： 本發明係提供一種氮化物螢光體，其製造方法及發光裝置之相關技術，其係提供含有較多的紅色成份且發光效率和亮度較高，而耐久性亦較高之螢光體及其製造方法，為此，在一般式LXMYN((2/3)X+(4/3)Y)：R或LXMYOZN((2/3)X+(4/3)Y-(2/3)Z)：R(L選自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn所組成之第II族元素之至少1種以上，M係選自C、Si、Ge之中Si為必須之第IV族元素之至少1種以上，R係選自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、 Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Lu之中Eu為必須之稀土類元素之至少1種以上)予以表示，其係吸收具有尖峰波長為500 nm以下之第1發光光譜的光之至少一部份、並將具有在520~780 nm之範圍內具備至少1個以上的尖蜂之第2發光光譜的光予以發光之氮化物螢光體(基底氮化物螢光體)的當中，更包含有相異之元素。

简体摘要： 本发明系提供一种氮化物萤光体，其制造方法及发光设备之相关技术，其系提供含有较多的红色成份且发光效率和亮度较高，而耐久性亦较高之萤光体及其制造方法，为此，在一般式LXMYN((2/3)X+(4/3)Y)：R或LXMYOZN((2/3)X+(4/3)Y-(2/3)Z)：R(L选自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn所组成之第II族元素之至少1种以上，M系选自C、Si、Ge之中Si为必须之第IV族元素之至少1种以上，R系选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、 Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Lu之中Eu为必须之稀土类元素之至少1种以上)予以表示，其系吸收具有尖峰波长为500 nm以下之第1发光光谱的光之至少一部份、并将具有在520~780 nm之范围内具备至少1个以上的尖蜂之第2发光光谱的光予以发光之氮化物萤光体(基底氮化物萤光体)的当中，更包含有相异之元素。