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公开(公告)号：TW201830708A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106138508
申请日：2017-11-07
Inventor： 伊藤大吾 , ITO, DAIGO , 岡崎豊 , OKAZAKI, YUTAKA , 石山貴久 , ISHIYAMA, TAKAHISA
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種能夠長期間保持資料的半導體裝置。本發明的一個實施方式是一種半導體裝置，包括第一電晶體、覆蓋第一電晶體的絕緣體以及絕緣體上的第二電晶體，其中，第一電晶體包括第一閘極電極、與第一閘極電極重疊的第二閘極電極以及第一閘極電極與第二閘極電極之間的半導體，並且，第一閘極電極電連接於第二電晶體的源極和汲極中的一個。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个实施方式的目的之一是提供一种能够长期间保持数据的半导体设备。本发明的一个实施方式是一种半导体设备，包括第一晶体管、覆盖第一晶体管的绝缘体以及绝缘体上的第二晶体管，其中，第一晶体管包括第一闸极电极、与第一闸极电极重叠的第二闸极电极以及第一闸极电极与第二闸极电极之间的半导体，并且，第一闸极电极电连接于第二晶体管的源极和汲极中的一个。
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公开(公告)号：TW201631775A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW105116112
申请日：2012-06-26
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 岡崎豐 , OKAZAKI, YUTAKA , 磯部敦生 , ISOBE, ATSUO
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本發明的目的之一是在通道長度小的氧化物半導體電晶體中防止不能確保導通/截止比。本發明關於一種半導體裝置，包括：氧化物半導體層；與所述氧化物半導體層的通道形成區重疊的閘極電極；與所述氧化物半導體層的第一區域重疊的源極電極或汲極電極；以及所述通道形成區和所述第一區域之間的第二區域，其中該第二區域的上層包含微小空洞。本發明關於一種半導體裝置，包括：氧化物半導體層；與所述氧化物半導體層的通道形成區重疊的閘極電極；與所述氧化物半導體層的第一區域重疊的源極電極或汲極電極；以及所述通道形成區和所述第一區域之間的第二區域，其中該第二區域的上層包含氮。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的之一是在信道长度小的氧化物半导体晶体管中防止不能确保导通/截止比。本发明关于一种半导体设备，包括：氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层的信道形成区重叠的闸极电极；与所述氧化物半导体层的第一区域重叠的源极电极或汲极电极；以及所述信道形成区和所述第一区域之间的第二区域，其中该第二区域的上层包含微小空洞。本发明关于一种半导体设备，包括：氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层的信道形成区重叠的闸极电极；与所述氧化物半导体层的第一区域重叠的源极电极或汲极电极；以及所述信道形成区和所述第一区域之间的第二区域，其中该第二区域的上层包含氮。
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公开(公告)号：TWI664731B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW103116084
申请日：2014-05-06
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 須澤英臣 , SUZAWA, HIDEOMI , 岡崎豊 , OKAZAKI, YUTAKA , 宮入秀和 , MIYAIRI, HIDEKAZU
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公开(公告)号：TWI555087B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW101114918
申请日：2012-04-26
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 肥塚純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 山出直人 , YAMADE, NAOTO , 佐藤裕平 , SATO, YUHEI , 岡崎豐 , OKAZAKI, YUTAKA , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC: H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/324 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1274 , H01L21/02565 , H01L21/02609 , H01L21/02667 , H01L21/383 , H01L21/44 , H01L21/477 , H01L27/1225 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78696
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公开(公告)号：TWI545762B
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：TW101122821
申请日：2012-06-26
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 岡崎豐 , OKAZAKI, YUTAKA , 磯部敦生 , ISOBE, ATSUO
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201528510A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103143320
申请日：2014-12-11
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 下村明久 , SHIMOMURA, AKIHISA , 佐藤裕平 , SATO, YUHEI , 山根靖正 , YAMANE, YASUMASA , 山元良高 , YAMAMOTO, YOSHITAKA , 須沢英臣 , SUZAWA, HIDEOMI , 田中哲弘 , TANAKA, TETSUHIRO , 岡崎豊 , OKAZAKI, YUTAKA , 奧野直樹 , OKUNO, NAOKI , 石山貴久 , ISHIYAMA, TAKAHISA
IPC: H01L29/772 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/41733 , H01L29/78606 , H01L29/78696
Abstract: 本發明提供一種導通(開啟)時的電流大的電晶體。本發明的一個方式是一種半導體裝置，包括包含過剩氧的第一絕緣體；第一絕緣體上的第一氧化物半導體；第一氧化物半導體上的第二氧化物半導體；在第二氧化物半導體上間隔開地配置的第一導電體及第二導電體；與第一氧化物半導體的側面、第二氧化物半導體的頂面及側面、第一導電體的頂面及第二導電體的頂面接觸的第三氧化物半導體；第三氧化物半導體上的第二絕緣體；隔著第二絕緣體及第三氧化物半導體面對第二氧化物半導體的頂面及側面的第三導電體，其中，第一氧化物半導體的氧透過性高於第三氧化物半導體。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种导通(打开)时的电流大的晶体管。本发明的一个方式是一种半导体设备，包括包含过剩氧的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物半导体；第一氧化物半导体上的第二氧化物半导体；在第二氧化物半导体上间隔开地配置的第一导电体及第二导电体；与第一氧化物半导体的侧面、第二氧化物半导体的顶面及侧面、第一导电体的顶面及第二导电体的顶面接触的第三氧化物半导体；第三氧化物半导体上的第二绝缘体；隔着第二绝缘体及第三氧化物半导体面对第二氧化物半导体的顶面及侧面的第三导电体，其中，第一氧化物半导体的氧透过性高于第三氧化物半导体。
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公开(公告)号：TWI699835B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：TW105119161
申请日：2016-06-17
Inventor： 伊藤大吾 , ITO, DAIGO , 松林大介 , MATSUBAYASHI, DAISUKE , 永井雅晴 , NAGAI, MASAHARU , 山本孔明 , YAMAMOTO, YOSHIAKI , 浜田崇 , HAMADA, TAKASHI , 岡崎豊 , OKAZAKI, YUTAKA , 笹川慎也 , SASAGAWA, SHINYA , 倉田求 , KURATA, MOTOMU , 山出直人 , YAMADE, NAOTO
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
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公开(公告)号：TW201921701A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW108102075
申请日：2016-01-22
Inventor： 淺見良信 , ASAMI, YOSHINOBU , 岡崎豊 , OKAZAKI, YUTAKA , 岡本悟 , OKAMOTO, SATORU , 笹川慎也 , SASAGAWA, SHINYA
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L21/365 , H01L21/477 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/8242 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/108 , H01L27/146
Abstract: 一種半導體裝置，包括：第一絕緣層上的第一氧化物絕緣層；第一氧化物絕緣層上的氧化物半導體層；氧化物半導體層上的源極電極層及汲極電極層；源極電極層及汲極電極層上的第二絕緣層；氧化物半導體層上的第二氧化物絕緣層；第二氧化物絕緣層上的閘極絕緣層；閘極絕緣層上的閘極電極層；以及第二絕緣層、第二氧化物絕緣層、閘極絕緣層、閘極電極層上的第三絕緣層，第二絕緣層在第二絕緣層的側面部與第二氧化物絕緣層接觸，閘極電極層包括具有互不相同的寬度的第一區域、第二區域，第一區域具有比第二區域大的寬度。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备，包括：第一绝缘层上的第一氧化物绝缘层；第一氧化物绝缘层上的氧化物半导体层；氧化物半导体层上的源极电极层及汲极电极层；源极电极层及汲极电极层上的第二绝缘层；氧化物半导体层上的第二氧化物绝缘层；第二氧化物绝缘层上的闸极绝缘层；闸极绝缘层上的闸极电极层；以及第二绝缘层、第二氧化物绝缘层、闸极绝缘层、闸极电极层上的第三绝缘层，第二绝缘层在第二绝缘层的侧面部与第二氧化物绝缘层接触，闸极电极层包括具有互不相同的宽度的第一区域、第二区域，第一区域具有比第二区域大的宽度。
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公开(公告)号：TW201807825A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106136965
申请日：2014-05-05
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 須澤英臣 , SUZAWA, HIDEOMI , 岡崎豊 , OKAZAKI, YUTAKA
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/24 , H01L29/517 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78648 , H01L29/78696
Abstract: 本發明的一個實施方式提供一種包含氧化物半導體的半導體裝置，該半導體裝置在維持良好的電特性的同時實現了微型化。一個實施方式在此半導體裝置中，以包圍氧化物半導體層的方式設置包含含有過剩的氧的氧化鋁膜的絕緣層。氧化鋁膜所包含的過剩的氧藉由半導體裝置的製程中的加熱處理而被供應給其中形成通道的氧化物半導體層。並且，由於氧化鋁膜具有對氧及氫的阻擋性，所以可以抑制氧從被包含氧化鋁膜的絕緣層包圍的氧化物半導體層脫離以及氫等雜質混入氧化物半導體層，並可以使氧化物半導體層高純度本質化。另外，由設置在氧化物半導體層上側及下側的閘極電極層良好地控制臨界電壓。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个实施方式提供一种包含氧化物半导体的半导体设备，该半导体设备在维持良好的电特性的同时实现了微型化。一个实施方式在此半导体设备中，以包围氧化物半导体层的方式设置包含含有过剩的氧的氧化铝膜的绝缘层。氧化铝膜所包含的过剩的氧借由半导体设备的制程中的加热处理而被供应给其中形成信道的氧化物半导体层。并且，由于氧化铝膜具有对氧及氢的阻挡性，所以可以抑制氧从被包含氧化铝膜的绝缘层包围的氧化物半导体层脱离以及氢等杂质混入氧化物半导体层，并可以使氧化物半导体层高纯度本质化。另外，由设置在氧化物半导体层上侧及下侧的闸极电极层良好地控制临界电压。
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公开(公告)号：TWI605521B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW105124153
申请日：2012-04-26
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 肥塚純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 山出直人 , YAMADE, NAOTO , 佐藤裕平 , SATO, YUHEI , 岡崎豐 , OKAZAKI, YUTAKA , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC: H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/324 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1274 , H01L21/02565 , H01L21/02609 , H01L21/02667 , H01L21/383 , H01L21/44 , H01L21/477 , H01L27/1225 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78696
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