晶片封裝體及其製作方法
    4.
    发明专利
    晶片封裝體及其製作方法 审中-公开
    芯片封装体及其制作方法

    公开(公告)号:TW201622087A

    公开(公告)日:2016-06-16

    申请号:TW103143333

    申请日:2014-12-11

    IPC分类号: H01L23/48 H01L21/60

    CPC分类号: H01L2224/11

    摘要: 一種晶片封裝體包含封裝基材、半導體元件與複數個導電結構。半導體元件具有中央區與圍繞中央區的邊緣區。導電結構位於封裝基材與半導體元件之間。導電結構具有不同的高度,且導電結構的高度從半導體元件的中央區往半導體元件的邊緣區逐漸增大,使得半導體元件的邊緣區與封裝基材之間的距離大於半導體元件的中央區與封裝基材之間的距離。

    简体摘要: 一种芯片封装体包含封装基材、半导体组件与复数个导电结构。半导体组件具有中央区与围绕中央区的边缘区。导电结构位于封装基材与半导体组件之间。导电结构具有不同的高度,且导电结构的高度从半导体组件的中央区往半导体组件的边缘区逐渐增大,使得半导体组件的边缘区与封装基材之间的距离大于半导体组件的中央区与封装基材之间的距离。

    一種感測晶片封裝體及其製造方法
    9.
    发明专利
    一種感測晶片封裝體及其製造方法 审中-公开
    一种传感芯片封装体及其制造方法

    公开(公告)号:TW201707144A

    公开(公告)日:2017-02-16

    申请号:TW105120424

    申请日:2016-06-29

    IPC分类号: H01L21/768 H01L27/146

    摘要: 本發明提供一種感測晶片封裝體,包括:一第一基板,具有一第一上表面與一第一下表面,該第一上表面上形成有一第一中間介電層(ILD),且該第一中間介電層內包括一第一導電墊及一第二導電墊;一第二基板,具有一第二上表面與一第二下表面,該第二下表面形成有一第二中間介電層(ILD),且該第二中間介電層內包括一第三導電墊,其中該第二基板藉由該第二中間介電層與該第一基板的該第一中間介電層接合;一第一貫通孔,貫穿該第二基板、該第二中間介電層及部分該第一中間介電層,並裸露出該第一導電墊的上表面;一第二貫通孔,貫穿該第二基板及部分該第二中間介電層,並裸露出該第三導電墊的上表面;一第一絕緣層,形成於該第二基板的該第二上表面及該第一貫通孔和該第二貫通孔的側壁,且位在該第一貫通孔與該第二貫通孔底部的該第一絕緣層分別具有一第一、第二孔洞,分別裸露出該第一、第三導電墊的上表面;一第一重佈線層,形成於該第一絕緣層上,並溝填於該第一貫通孔和該第二貫通孔內,且經由該第一、第二孔洞分別與該第一導電墊和該第三導電墊電性連接;以及一第一鈍化保護層,形成於該第二基板的該第二上表面,並覆蓋該第一重佈線層和該第一絕緣層。

    简体摘要: 本发明提供一种传感芯片封装体,包括:一第一基板,具有一第一上表面与一第一下表面,该第一上表面上形成有一第一中间介电层(ILD),且该第一中间介电层内包括一第一导电垫及一第二导电垫;一第二基板,具有一第二上表面与一第二下表面,该第二下表面形成有一第二中间介电层(ILD),且该第二中间介电层内包括一第三导电垫,其中该第二基板借由该第二中间介电层与该第一基板的该第一中间介电层接合;一第一贯通孔,贯穿该第二基板、该第二中间介电层及部分该第一中间介电层,并裸露出该第一导电垫的上表面;一第二贯通孔,贯穿该第二基板及部分该第二中间介电层,并裸露出该第三导电垫的上表面;一第一绝缘层,形成于该第二基板的该第二上表面及该第一贯通孔和该第二贯通孔的侧壁,且位在该第一贯通孔与该第二贯通孔底部的该第一绝缘层分别具有一第一、第二孔洞,分别裸露出该第一、第三导电垫的上表面;一第一重布线层,形成于该第一绝缘层上,并沟填于该第一贯通孔和该第二贯通孔内,且经由该第一、第二孔洞分别与该第一导电垫和该第三导电垫电性连接;以及一第一钝化保护层,形成于该第二基板的该第二上表面,并覆盖该第一重布线层和该第一绝缘层。